贾长江
- 作品数：11 被引量：21H指数：2
- 供职机构：河北大学更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家自然科学基金河北省高等学校科学技术研究指导项目更多>>
- 相关领域：理学电气工程更多>>
- 非晶Nb-Ni薄膜用于Cu与Si之间阻挡层的性能和结构的研究
- 2014年
- 采用射频磁控溅射法架构了Cu(50 nm)/Nb-Ni(50 nm)/Si异质结,利用四探针电阻测试仪、X射线衍射仪和原子力显微镜等研究了样品在不同温度下高真空退火后的结构及输运性质。结果表明:经退火处理后的样品的方块电阻均小于常温下样品的方块电阻;X射线衍射图谱中,各个退火温度下均没有Nb-Ni结晶峰和其它杂峰出现;在AFM图像中,随着退火温度的上升,样品表面的粗糙度逐渐增加,晶粒的尺寸也在逐渐增大,直到当退火温度达到750℃左右,样品表面布满了岛状晶粒进而导致阻挡层失效。
- 张磊冯招娣王世杰贾艳丽贾长江闫其庚李晓红代秀红刘保亭
- 关键词：阻挡层铜互连
- 一种阻变存储元件及其制备方法
- 本发明公开了一种阻变存储元件，其异质结构层形式为Ag/a-IGZO/Pt或Ag/a-IGZO/Au，其中的a-IGZO层为非晶的IGZO阻变存储层，所述a-IGZO层中In、Ga、Zn原子的摩尔比为1∶1∶1。本发明还公...
- 闫小兵贾长江郝华陈英方娄建忠刘保亭
- 文献传递
- 一种微波铁电复合薄膜电容器及其制备方法
- 本发明公开了一种微波铁电复合薄膜电容器，其是以单晶基片为衬底、以1-3型微波铁电复合薄膜为介电层、以Pt、Au、Ag、Al、Cu、SrRuO或La<Sub>0.5</Sub>Sr<Sub>0.5</Sub>CoO<Sub...
- 刘保亭王世杰闫小兵郭哲贾长江娄建忠
- 含Ti电极的非晶钛酸锶薄膜的阻变开关特性研究被引量：4
- 2012年
- 采用射频磁控溅射法制备Ti金属薄膜作为反应电极,结合脉冲激光沉积法在Pt/Ti/Si衬底上制备了Ti/非晶-SrTiO3-δ(STO)/Pt结构的阻变存储器件单元。器件的有效开关次数可达200次以上。利用5 mV的小电压测量处于高低阻态的器件电阻,发现在经过3.1×105s以后,两种阻态的电阻值均没有明显的变化,说明器件具有较好的保持特性。器件处于高阻态和低阻态的电阻比值可达100倍以上。在9 mA的限制电流下,器件的低阻态为500Ω,有利于降低电路的功耗。氧离子和氧空位的迁移在阻变开关中起到重要的作用,界面层TiOχ发挥着氧离子库的作用。阻变开关机制归因为导电细丝(Filaments)的某些部分出现氧化或者还原现象,造成导电细丝的形成和断开。
- 闫小兵史守山贾长江张二鹏李钗李俊颖娄建忠刘保亭
- 关键词：STO脉冲激光沉积
- 真空退火温度对射频磁控溅射制备非晶In-Ga-Zn-O薄膜性能影响的研究
- 2013年
- 采用射频磁控溅射技术在室温下玻璃衬底上制备了铟镓锌氧（In—Ga—Zn-O）透明导电薄膜，并对该薄膜进行了真空退火。研究了不同退火温度对In-Ga—Zn-O薄膜结构、电学和光学性能的影响。X射线衍射（XRD）表明，在300℃至500℃退火温度范围内，In-Ga-Zn-O薄膜为非晶结构。随着退火温度的增加，薄膜的电阻率先减小后增大。透射光谱显示退火后In-Ga-Zn-O薄膜在500—800nm可见光区平均透过率超过80％，且在350nm附近表现出较强的紫外吸收特性。经过退火的薄膜光学禁带宽度随着退火温度的增加先增大后减小，350℃最大达到3．91eV。
- 闫小兵张二鹏贾长江史守山娄建忠刘保亭
- 关键词：退火温度磁控溅射光学带隙
- W-S共掺杂锐钛矿TiO_2第一性原理研究被引量：17
- 2012年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法,计算了未掺杂,W,S单掺杂及W-S共掺杂TiO2的电子结构和光学性质.结果表明:掺杂后晶格畸变,晶格常数变大并在TiO2禁带中引入杂质能级.对于S单掺杂TiO2,禁带宽度减小和杂质能级的引入导致吸收光谱红移,而对于W单掺杂和W-S共掺杂,禁带宽度的明显增大致使掺杂后TiO2的吸收光谱蓝移.
- 吴国浩郑树凯刘磊贾长江
- 关键词：电子结构杂质能级光学性质
- 硅基Pt/Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3/Pt电容器不同温度下的漏电机理研究
- 2014年
- 利用脉冲激光沉积技术在Pt(111)/TiO2/SiO2/Si(001)衬底上生长了厚度约为200 nm的Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)薄膜,构架了Pt/BST/Pt平行板电容器,测量了Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜电容器在不同温度下的漏电流,研究了BST薄膜的结构和性能。结果表明BST薄膜为多晶钙钛矿结构,随着测量温度的降低,漏电流密度也随之降低,但是正负偏压下的J-V曲线并不对称,这主要归因于上下Pt电极与BST的界面热处理不同。通过不同导电机理对漏电流密度拟合发现,在负向偏置电压下,Pt/BST/Pt电容器均基本符合欧姆导电机制;而对于正向偏置电压,在低电压下符合欧姆导电机制,并且符合欧姆导电机制的电压范围在不断扩大,在高电压下符合空间限制电流(SCLC)导电机制。
- 王世杰代秀红贾长江张磊贾艳丽刘保亭
- 关键词：脉冲激光沉积漏电流
- 溅射功率对射频磁控溅射制备非晶In-Ga-Zn-O薄膜的影响
- 2013年
- 采用射频磁控溅射法在室温玻璃衬底上成功地制备出了铟镓锌氧(In-Ga-Zn-O)透明导电薄膜。研究了不同溅射功率对In-Ga-Zn-O薄膜结构、电学和光学性能的影响。X射线衍射(XRD)表明,在80～150 W溅射功率范围内,In-Ga-Zn-O薄膜为非晶结构。随着溅射功率的增加,生长速率成线性增加,电阻率逐渐降低。透射光谱显示在350 nm附近出现较陡的吸收边缘,说明In-Ga-Zn-O薄膜在以上溅射功率范围内具有良好的薄膜质量。光学禁带宽度随着溅射功率增加而减小。In-Ga-Zn-O薄膜在500～800 nm可见光区平均透过率超过90%。
- 张锁良贾长江郝彦磊史守山张二鹏李钗娄建忠刘保亭闫小兵
- 关键词：溅射功率禁带宽度
- 一种阻变存储元件及其制备方法
- 本发明公开了一种阻变存储元件，其异质结构层形式为Ag/a-IGZO/Pt或Ag/a-IGZO/Au，其中的a-IGZO层为非晶的IGZO阻变存储层，所述a-IGZO层中In、Ga、Zn原子的摩尔比为1∶1∶1。本发明还公...
- 闫小兵贾长江郝华陈英方娄建忠刘保亭
- 文献传递
- 一种微波铁电复合薄膜电容器及其制备方法
- 本发明公开了一种微波铁电复合薄膜电容器，其是以单晶基片为衬底、以1‑3型微波铁电复合薄膜为介电层、以Pt、Au、Ag、Al、Cu、SrRuO或La<Sub>0.5</Sub>Sr<Sub>0.5</Sub>CoO<Sub...
- 刘保亭王世杰闫小兵郭哲贾长江娄建忠
- 文献传递
