赛青林
- 作品数：29 被引量：24H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海光学精密机械研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市科学技术委员会资助项目江苏省高校优势学科建设工程资助项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信化学工程一般工业技术更多>>
- 光学浮区法生长掺锡氧化镓单晶及性能研究被引量：3
- 2015年
- 作为垂直结构的Ga N基LED新型衬底材料,β-Ga2O3单晶已经引起了人们的广泛关注。β-Ga2O3单晶的导电性是通过掺杂来实现的,Sn4+掺入是其中一种很好提高β-Ga2O3导电性的方法。利用光学浮区法生长了尺寸为5×20 mm2,掺杂浓度为10%的掺锡氧化镓单晶(Sn∶β-Ga2O3),并对Sn∶β-Ga2O3单晶的缺陷密度、导电和荧光光谱特性进行了研究。结果表明:实验制得Sn∶β-Ga2O3样品的线缺陷约为6.51×105/cm2,掺入Sn4+杂质后β-Ga2O3的电导率增加,样品的最高电导率为2.210 S/cm,同时Sn4+的掺入会抑制β-Ga2O3的红绿光发射。
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- 关键词：浮区法电导率荧光光谱
- 掺杂氧化镓晶态材料及其制备方法和应用
- 本发明公开了一种VB族元素掺杂β‑氧化镓晶态材料及其制备方法和应用。该系列掺杂β‑Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>晶态材料属于单斜晶系，空间群为C2/m，电阻率在2.0×10<Sup>‑4</Sup...
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- 文献传递
- Ce掺杂Al2O3-YAG共晶荧光体及其在白光LED中的应用
- Ce掺杂AlO-YAG共晶是一种无需树脂封装的新型荧光体,它具有独特的两相三维交错结构,其中AlO和YAG两相各自独立,但原子尺度上紧密连续,同时具有相近的折射率(AlO和YAG在可见波段折射率分别为1.78和1.83左...
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- 关键词：白光LED
- 文献传递
- 用于宽禁带半导体的氧化铝-氧化镓混晶材料
- 一种用于宽禁带半导体的氧化铝-氧化镓混晶材料，结构式为Ga<Sub>2-2x</Sub>Al<Sub>2x</Sub>O<Sub>3</Sub>，其中氧化铝掺杂摩尔比x为0-50％，及其制备方法。本发明保持了原有的氧化镓...
- 夏长泰赛青林肖海林
- 文献传递
- 铈掺杂氧化铝-钇铝石榴石共晶荧光材料的生长方法
- 一种铈掺杂的氧化铝-钇铝石榴石共晶荧光材料的生长方法。采用的垂直温梯法，主要利用加热体的各处发热功率分布不同，制造一个合理的垂直温度梯度环境，经过预处理的原料放入坩埚内升温熔化，熔体静止在该温场中，通过控制速度的分段降温...
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- 文献传递
- (Y_(0.99-x)Ce_(0.01)Gd_x)_3Al_5O_(12)-Al_2O_3共晶的生长和性能研究被引量：1
- 2014年
- 采用光学浮区法生长了质量较好(Y0.99-xCe0.01Gdx)3Al5O12-Al2O3共晶,直径约为7 mm,长度约为25 mm。通过XRD分析,结果表明共晶中只有Al2O3和YAG两种晶相;通过SEM观察表明,两种晶相在三维空间交错生长,形成自生互穿网络结构,共晶间距为10μm左右。在室温下,进行了发射光谱和荧光寿命的测试,发现随着Gd3+浓度的增加,发射光谱发生了红移,最大发射波长从555 nm移至570 nm,荧光寿命为65 ns附近,并测试了共晶荧光体与大功率蓝光芯片匹配所得的光色性能。
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- 关键词：浮区法发射光谱
- 铝酸铍晶体的坩埚下降法生长方法
- 本发明属于单晶生长技术领域，公开了一种采用坩埚下降法生长铝酸铍晶体的方法。将原料Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>和BeO按照化学计量比称料，混合均匀、压块；在1200～1350℃炉温下预烧结8～12...
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- 文献传递
- 氧化镓单晶在酸碱条件下的腐蚀坑形貌研究
- 2023年
- 氧化镓晶体材料由于其优异的性能以及可以用熔体法生长的优势,在功率器件、光电领域有着巨大的潜力。近年来,国内外众多专家也随之开展对氧化镓单晶材料的研究工作,高质量低缺陷的氧化镓单晶材料对后续的外延、器件的制备极其重要。目前,国际上主流的生长方法是导模法,导模法具有生长周期短、尺寸大及生长稳定等优点,然而在晶体缺陷控制方面还有很大的进步空间。本文围绕氧化镓单晶的腐蚀坑形貌,对导模法生长的氧化镓单晶进行加工制样,进行了不同酸碱条件下的腐蚀实验。详细介绍了观察到的不同腐蚀坑形貌,分析了晶体缺陷对腐蚀坑形貌的影响,对今后氧化镓单晶生长机理和晶体缺陷的研究具有重要意义。
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- 关键词：导模法单晶生长
- Cr3+掺杂Al2O3-YAG共晶的生长及光谱性能研究
- 三价铬离子Cr3+以其价格低,颜色深。发光强烈等许多优点,被广泛应用于各种发光材料中,如YAG:Cr3+,MgAl2O4:Cr3+等。Al2O3-YAG共晶材料作为一种被广泛报道的结构材料,具有连续无规则交错分布的两相结...
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- 高电导率的共掺杂氧化镓晶体及其制备方法
- 本发明公开了一种电阻率低至10<Sup>‑3</Sup>Ω·cm量级的共掺杂氧化镓晶体，通过Sn和In离子掺入氧化镓形成的n型导电晶体，化学式为Ga<Sub>2‑2x‑</Sub><Sub>2y</Sub>In<Sub>...
- 夏长泰张宏哲王林军赛青林周威齐红基潘明艳
