赵一
- 作品数：2 被引量：4H指数：1
- 供职机构：河北大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- 多晶硅薄膜的铝诱导晶化法制备及其晶粒的择优取向特性被引量：3
- 2012年
- 采用铝诱导非晶硅薄膜晶化技术制备了多晶硅薄膜,并研究了多晶硅的成核和生长特性。非晶硅薄膜采用等离子体增强化学气相沉积法制备,其表面沉积铝薄膜后经不同温度的氮氛围退火处理。结果表明,退火后的硅薄膜层与铝层发生置换,所生长的多晶硅颗粒的平均尺寸约为150nm。X射线衍射分析结果揭示,薄膜的晶向显著依赖于退火温度,较低温度下,铝诱导晶化速率较慢,薄膜的优化晶向与非晶硅薄膜中团簇的初始原子排列趋势紧密相关。而较高温度下,铝诱导晶化促使多晶硅(111)择优成核及随后的固相生长。
- 于威郭亚平杨彦斌郭少刚赵一傅广生
- 关键词：多晶硅薄膜低温退火
- 初始晶硅多层薄膜光电响应及载流子输运特性被引量：1
- 2013年
- 采用等离子体化学气相沉积技术,通过交替改变H2流量,制备了多层结构的氢化初始晶硅薄膜,利用拉曼(Raman)散射、傅里叶变换红外(FTIR)透射光谱和光电流谱等技术研究了薄膜的微观结构和光电响应特性.微观结构分析揭示,薄膜呈现为由纳米晶硅和非晶硅两相组成的初始晶硅结构,薄膜光学带隙随晶化度提高逐渐降低.光电流谱的结果显示,纳米硅晶粒对薄膜内部光生载流子的空间分离可有效降低其非辐射复合几率,导致薄膜光电响应峰值随晶化度的提高向短波方向移动,然而纳米硅晶粒界面缺陷对载流子的空间限制使薄膜长波谱段的光电响应显著降低.外加偏压下,观察到350～1000nm范围的光电响应,表明外加偏压可促进光生载流子的有效收集.分析表明,纳米硅晶粒内部电子-空穴对的空间分离及界面载流子激发的共同作用,导致薄膜光电响应及外量子效率大幅增加和峰位的红移.实验结果为初始晶硅高效太阳电池的载流子输运控制提供了基础数据.
- 于威朱海荣赵一孙宇凯卢海江傅广生
- 关键词：光电响应
