赵元龙
- 作品数：7 被引量：11H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 220毫米长的大尺寸氟化铈晶体的生长技术
- 本发明涉及晶体生长技术，尤其是大批量生长220毫米长的大尺寸优质氟化铈晶体的技术，属晶体生长领域。本发明提供的技术包括原料处理、坩埚、生长设备以及生产工艺四方面。用本发明提供的技术可以大批量生长长度达220mm的CeF<...
- 胡关钦殷之文徐力古佩新赵元龙江金娥
- 文献传递
- 大尺寸氟化铈晶体的生长技术
- 本发明涉及晶体生长技术，尤其是大批量生长大尺寸优质氟化铈晶体的技术，属晶体生长领域。;本发明提供的技术包括原料处理、坩埚、生长设备以及生产工艺四方面。用本发明提供的技术可以大批量生长长度达220mm的CeF<Sub>3<...
- 胡关钦殷之文徐力古佩新赵元龙江金娥
- 文献传递
- OH^-和氧离子杂质对BaF_2晶体辐照损伤的影响被引量：5
- 1995年
- 从理论和实验两方面研究ＯＨ－和氧离子杂质对ＢａＦ２晶体辐照损伤的影响，并对其机理进行讨论．理论上用（ＨＦＳ－ＤＶＭ－Ｘα）局域密度离散变分法计算ＯＨ－和氧离子杂质心在ＢａＦ２中的电子结构，得到ＯＨ－，Ｈｓ－（Ｕ心），Ｏｓ－，Ｏｓ２－和（Ｏｓ２－－Ｆ＋）都可能是引起辐照损伤的源泉．实验发现，ＢａＦ２晶体水解处理后，ＯＨ－和氧离子杂质很容易进入ＢａＦ２，在晶体中的存在形式主要是：ＯＨ－占据阴离子位置，氧离子以Ｏｓ２－的形式占据Ｆ－的晶格位置，并由氟空位（Ｆ＋）作电荷补偿，较大可能以（Ｏｓ２－Ｆ＋）形式存在．γ辐照前后水解处理样品的光吸收谱（ＶＵＶ，ＵＶ，ＩＲ）和电子顺磁共振谱（ＥＰＲ）验证了理论计算的正确性．综合理论和实验，我们认为ＯＨ－氧离子杂质引起ＢａＦ２晶体辐照损伤的主要原因是：ＯＨ－和（Ｏｓ２－Ｆ＋）辐照分解成Ｈｓ－（Ｕ心）和Ｏｓ－．上海硅酸盐研究所在晶体生长工艺中，有意识地对ＯＨ－和氧离子给予特别的注意，在改进辐照损伤上获得较好的效果．
- 陈玲燕顾牡王利明项开华杜杰李培俊谢幼玉赵元龙殷之文郑万辉李学鹏俞方华
- 关键词：氟化钡晶体辐照损伤氧离子
- 掺钕Bi＃-[4]Ge＃-[3]O＃-[12](BGO)晶体的生长和激光性质
- 赵元龙胡关钦古佩斯
- 关键词：钕闪烁晶体染料激光器光谱分析锗酸盐
- 氟化钡晶体的辐照损伤与恢复
- 1997年
- 氟化钡（ＢａＦ２）晶体是碱土氟化物晶体，无色透明，属立方晶系结构，具有从真空紫外到红外波长范围的透光特性。７０年代初发现其闪烁特性并对它进行研究后发现：在ＢａＦ２晶体的发射光谱中其峰值波长为２２０ｎｍ处有一荧光衰减时间常数为０．６ｎｓ的快成分，同时ＢａＦ２晶体又被认为是最抗辐照的无机闪烁体，使它在高能物理、核医学等领域有着广泛的应用前景，从而引起了人们的兴趣。无色透明的ＢａＦ２晶体受到高能粒子或射线照射后往往会着色，使透过率降低，荧光输出减少，造成所谓的辐照损伤。我们对下述三类晶体进行了辐照损伤的试验：（１）不同条件下生产的晶体；（２）同一晶体的不同生长部位；（３）进行水解处理的晶体试验。方法是测试上述三类晶体辐照前后的吸收光谱和透射光谱，对它们进行比较。以此对辐照损伤的机理进行了讨论；对恢复ＢａＦ２晶体辐照损伤的方法也进行了试验。认为在生长工艺稳定，晶体结晶基本完整的前提下，ＢａＦ２晶体的抗辐照性能与晶体中杂质含量的多少有关；当阳离子杂质下降到一定的数量级后，晶体中氧和氢氧离子成为最有害的杂质。本文实验所用的ＢａＦ２晶体皆用真空下降法生长；用ＡｃｔｏｎＶＭ５０５，ＧｒａｐｈｉｃｏｒｄＵＶ２０４和Ｎｉｃｏｌ?
- 赵元龙谢幼玉李培俊
- 关键词：氟化钡晶体辐照损伤晶体缺陷
- BGO∶TR(TR=Nd,Er),Cr,Fe晶体的吸收光谱和发光光谱被引量：2
- 1990年
- 在化学计量的Bi_2O_3(5N)和 GeO_2(6N)的配料里,加入0.01wt%Nd_2O_3,0.01wt%Er_2O_3,0.02wt%Cr_2O_3或0.02wt%Fe_2O_3,用 Bridgman 方法生长 Bi_4Ge_3O_(12)掺杂晶体。给出 eulytite 的结构投影和 BGO 晶体的点阵常数。掺杂稀土 BGO 晶体的室温吸收光谱由稀土离子所特有的几个吸收带所组成。采用3d^3电子的能量久期方程计算 O_h 场下掺 Cr^(3+)BGO 的库仑相互作用参数和内晶体场参数,其吸收光谱是由基态~4A_2到~2E,~4T_2和~4T_1跃迁的三个带组成。以300nm 激发观察到纯锗酸铋强的宽带发光,其峰值位置在498和550nm。这种发射被认为是 Bi^(3+)的~3P_1→~1S_0跃迁。由于存在大的 Stokes 迁移,Bi^(3+)系统猝灭心受到阻止。另外,由于~3P-~1S 能级差别大,使多声子过程中的非辐射衰减亦受到限制。通过接收498nm 发射波长,测量纯 BGO 室温激发光谱,其峰值位置在250、272和285nm,这和 M.J.Weber 测定的吸收收和反射光谱的结果基本一致。按不同波长范围分别采用光电倍增管和 PbS 接收,测量了 BGO 掺 Nd^(3+)的~4F_(3/2)→~4I_(11/2),~4I_(13/2)跃迁;掺 Er^(3+)的~4I_(13/2)→~4I_(15/2)跃迁的荧光光谱。强的荧光发射以及发射带宽界于 YAG和玻璃之间,表明掺杂稀土的 BGO 晶体是一类有希望的激光材料。
- 刘建成胡关钦冯锡淇赵元龙王效仙薛志麟殷之文
- 关键词：BGO光谱
- 大尺寸氟化钡晶体的辐照损伤被引量：4
- 1993年
- 采用γ射线对 BaF_2晶体进行辐照试验,并通过测量其辐照前后透光率的变化,研究其辐照损伤.对晶体辐照损伤与晶体生长状况之间的关系的研究结果表明,BaF_2晶体的辐照损伤与晶体中的杂质和缺陷有关,当阳离子杂质浓度降至一定程度以后,氧和氢氧离子成为最有害的杂质,晶体中的缺陷如散射颗粒将导致辐照损伤.由于对晶体生长工艺的改进,大尺寸 BaF_2晶体的抗辐照性能获得了大幅度的提高.在辐照损伤机理方面,可以认为,原先溶解在晶体中的氧在晶体辐照时形成氧离子是引起190～250nm 吸收带的原因,F 色心的形成是产生500～600nm 吸收带的原因.
- 李培俊谢幼玉赵元龙殷之文
- 关键词：氟化钡晶体辐照损伤
