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车全德

作品数:15 被引量:15H指数:3
供职机构:山东建筑大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金山东省自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程化学工程冶金工程更多>>

文献类型

  • 9篇期刊文章
  • 5篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 11篇一般工业技术
  • 6篇电气工程
  • 2篇化学工程
  • 1篇冶金工程

主题

  • 12篇铁电
  • 7篇
  • 6篇电性能
  • 6篇铁电性
  • 6篇铁电性能
  • 6篇
  • 6篇
  • 5篇铁电薄膜
  • 4篇
  • 3篇陶瓷
  • 3篇陶瓷厚膜
  • 3篇退火
  • 3篇厚膜
  • 3篇SR
  • 2篇烧结温度
  • 2篇速率
  • 2篇铁电陶瓷
  • 2篇退火温度
  • 2篇BI
  • 1篇电学性能

机构

  • 15篇山东建筑大学

作者

  • 15篇车全德
  • 14篇张丰庆
  • 14篇范素华
  • 11篇于冉
  • 10篇马建平
  • 3篇田清波
  • 2篇胡伟
  • 2篇张伟
  • 1篇陈杨
  • 1篇冯博楷

传媒

  • 4篇山东建筑大学...
  • 2篇稀有金属材料...
  • 1篇中国陶瓷
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇材料热处理学...

年份

  • 1篇2011
  • 4篇2010
  • 3篇2009
  • 7篇2008
15 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
烧结温度对Ca_(0.4)Sr_(0.6)Bi_4Ti_4O_(15)陶瓷介电性能影响被引量:1
2011年
用固相合成工艺制备Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15陶瓷材料样品,研究了烧结温度对其介电性能的影响,得出Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15陶瓷材料最佳的制备工艺。研究结果表明:烧结温度为1210℃,所得样品的晶粒发育较好,介电性能优良,相对介电常数εr=140、介电损耗tanδ=0.007。
陈杨范素华张丰庆车全德
关键词:陶瓷材料固相烧结法
退火温度和匀胶速率对SrBi3.88Nd0.12Ti4O15薄膜铁电性能的影响
用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了SrBi3.88Nd0.12Ti4O15铁电薄膜材料,研究了退火温度和匀胶速率对铁电薄膜材料结构、铁电性能的影响。退火温度为750℃、匀胶速率为3000r/min薄膜...
张丰庆范素华马建平车全德于冉
关键词:铁电薄膜材料退火温度
退火工艺对SrBi3.88Nd0.12Ti4O15铁电薄膜结构和性能的影响
本文从改善薄膜的铁电性能出发,采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/Si O/Si基片上制备了Nd掺杂改性的
张丰庆范素华马建平车全德于冉
文献传递
匀胶速度对钙锶铋钛陶瓷厚膜结构的影响被引量:1
2010年
用粉末—溶胶法和快速退火工艺在S i(100)基片上制备了Ca0.4Sr0.6B i4Ti4O15陶瓷厚膜。研究了匀胶速度及退火温度对厚膜结构的影响。用X射线衍射表征了厚膜的晶体结构,用扫描电镜观察了样品显微形貌。结果表明在750℃进行退火,匀胶速度为4500 r/m时样品晶粒发育良好,表面平整无裂纹,厚度约为1.5μm,且a轴取向较明显。
胡伟范素华张丰庆车全德于冉
关键词:厚膜
粉末特性对钙锶铋钛陶瓷厚膜性能的影响被引量:3
2008年
采用粉末溶胶法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了厚度约为1.50μm,铁电性能优良的CSBT铁电厚膜。研究了粉末的烧结温度对CSBT铁电厚膜的结构及性能的影响。结果表明:适当的粉末烧结温度有利于制备表面致密、晶粒发育良好的厚膜,从而有利于厚膜的铁电性能。750℃烧结的粉末制备的厚膜具有最佳的铁电性能,其Pr和Ec分别为13.3μC/cm2,46.2 kV/cm,具有较高的应用价值。
马建平范素华张丰庆车全德于冉
关键词:铁电性能粉末特性
烧结温度对Sr_2Bi_4Ti_5O_(18)铁电陶瓷性能的影响被引量:4
2009年
用固相合成方法制备了Sr2Bi4Ti5O18铁电陶瓷,研究了烧结温度对Sr2Bi4Ti5O18铁电陶瓷相结构、显微结构、铁电性能和介电性能的影响,分析了相关机理。结果表明,在1150℃进行烧结,样品晶粒发育完全,晶粒a轴择优取向,铁电性能优良,剩余极化强度2Pr达到15.3μC/cm2、矫顽场强2Ec为103kV/cm;在100kHz^1MHz频率范围内,介电常数为176~168,介电损耗为0.027~0.025,具有较好的频率稳定性。
范素华张丰庆车全德于冉田清波
关键词:铁电陶瓷烧结温度电学性能
Sm掺杂对Ca_(0.4)Sr_(0.6)Bi_4Ti_4O_(15)铁电薄膜性能的影响
2009年
利用溶胶凝胶工艺在Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备了Ca0.4Sr0.6SmxBi4-xTi4O15铁电薄膜。研究了不同钐掺量对薄膜的显微结构、晶粒取向及铁电性能的影响。结果表明:钐掺杂对钙锶铋钛铁电薄膜既有抑制氧空位所导致的畴钉扎作用,也有抑制晶粒生长发育的作用。当钐掺量x=0.05时薄膜样品晶粒发育较良好,沿a轴择优取向,I(200)/I(119)=0.869;样品铁电性能优良,剩余极化强度Pr=10.2μC/cm2,矫顽场强度Ec=120kV/cm。
车全德范素华张丰庆马建平于冉田清波
关键词:铁电薄膜
退火温度和匀胶速率对SrBi_(3.88)Nd_(0.12)Ti_4O_(15)薄膜铁电性能的影响被引量:1
2009年
用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了SrBi3.88Nd0.12Ti4O15铁电薄膜材料,研究了退火温度和匀胶速率对铁电薄膜材料结构、铁电性能的影响。退火温度为750℃、匀胶速率为3000r/min薄膜样品为纯的铋层状钙钛矿结构且没有其它杂相出现,a轴取向的晶粒较多,铁电性能较好,剩余极化强度和矫顽场分别为2Pr=26.7μC/cm2、2Ec=80kV/cm。
张丰庆范素华马建平车全德于冉
关键词:退火温度铁电性能
取向对钙锶铋钛陶瓷结构和性能的影响被引量:2
2010年
用固相烧结工艺制备了Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15陶瓷圆柱体。沿着圆柱体轴线方向切割制成测量样品A。研究了取向对样品结构和性能的影响。X射线和电性能测试结果表明:竖向切割样品A具有a/(b)择优取向;样品A的介电常数和介电损耗因子分别为εr=301和tanδ=0.0042;样品A的剩余极化强度(2Pr)和矫顽场(2Ec)分别为26.8μC/cm2和48.5V/cm,优于样品B。
于冉范素华张丰庆车全德胡伟
关键词:晶粒取向铁电性能
高取向钙锶铋钛铁电陶瓷的制备与性能研究
本实验采用传统的固相合成方法,通过压制成型进行烧结,制备了CSBT铁电陶瓷,又通过切片的方法制备了不同取向的CSBT铁电陶瓷,测试了样品的电学性能,利用现代仪器观察了CSBT陶瓷样品的相结构
范素华于冉张丰庆马建平车全德
文献传递
共2页<12>
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