邓永晴
- 作品数：3 被引量：0H指数：0
- 供职机构：广州大学物理与电子工程学院更多>>
- 发文基金：广东省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学机械工程更多>>
- 双量子阱中的非线性光学性质研究
- 论文的的第一章对非线性光学的研究背景、基本概念及研究方法作了简单的介绍,并对近年来人们在低维半导体系统中非线性光学的研究所取得的成果进行了综述.论文的第二章在有效质量近似下,通过求解系统中相应的Schrodinger方程...
- 邓永晴
- 关键词：非线性光学双量子阱折射率改变
- 文献传递
- 双量子阱中的子带光吸收(英文)
- 2005年
- 由于微制造技术的不断发展,如液相外延(LPE), 气相外延(VPE),金属有机化学气相沉积(MOCVD)以及分子束外延技术(MBE)等先进的材料生长技术方法也日趋完善,从而使得各种低维半导体量子器件(如半导体、超晶格、量子阱、量子线和量子点等)制造日趋成熟。由于这些低维半导体量子器件具有很强的非线性光效应,而且随着材料、外形、尺寸等的不同,非线性光效应也有很大的差别,更由于其可能存在的广泛的应用前景,所以近年来,一直是人们研究的重点。近来,由于人们相信,利用GaAs/AlGaAs量子阱有可能制造出一些新型的光学仪器,如光开关、光限幅器、光调制器等,所以,对不同势形的GaAs/AlGaAs量子阱的非线性光学特性一直吸引着人们进行理论和实验的研究。而在最近几年,对双量子阱的研究也成为了人们的研究重点。通过密度矩阵和迭代的方法,得到双量子阱中的第一、第三阶子带光吸收表达式,我们将用一个典型的GaAs/AlGaAs双量子阱代入其中进行数值计算,并进行讨论。我们的计算结果显示,阱的光吸收峰不但与中间的势垒宽度有关,更与入射光强有关。
- 邓永晴郭康贤于凤梅俞友宾王瑞强
- 关键词：双量子阱
- 双量子阱中的折射率改变(英文)
- 2005年
- 用量子力学的密度矩阵和迭代的方法,得到双量子阱的光致折射率改变的解析表达式,并以典型的GaAs/AlGaAs双量子阱为例,进行数值计算.结果表明,折射率改变不但与入射光强有关,更与阱中的势垒宽度有关.
- 邓永晴郭康贤于凤梅王瑞强
- 关键词：折射率双量子阱
