邓爱红
- 作品数：43 被引量：63H指数：4
- 供职机构：四川大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金四川省科技支撑计划中国工程物理研究院基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术金属学及工艺核科学技术更多>>
- He离子辐照金属钨引入缺陷的微结构研究被引量：3
- 2016年
- 采用能量为100keV的He离子在室温下辐照金属钨,辐照注量范围为1.4×1017-3.5×1017/cm2,辐照后对样品进行了1100℃退火处理.利用X射线衍射、慢正电子多普勒展宽和扫描电镜技术研究了钨中He离子辐照引入的缺陷和注量之间的关系.研究结果表明辐照并退火后材料内部晶面间距增大,空位型缺陷浓度或尺寸随辐照注量的升高而增大,而高注量辐照的样品表面晶粒间连接疏松并存在孔隙,钨表层可能生成了大尺寸的He空位复合体或He泡.
- 王康刘莉邓爱红王玲王勇卢晓波龚敏
- 关键词：钨氦正电子湮没
- 正电子深能级瞬态谱在Ga As缺陷研究中的应用被引量：4
- 2008年
- 本文介绍的正电子深能级瞬态谱（PDLTS）技术是结合了对固体缺陷有很高灵敏度的正电子湮没谱（PAS）和一些深能级瞬态谱（DLTS）技术而成新的实验方法．该技术能用来研究Ⅲ～Ⅴ，Ⅱ～Ⅵ族等半导体材料的缺陷特征，它的优点不仅能研究半导体材料中缺陷的电学特征而且还能够同时揭示这些电活性缺陷的微观结构信息．本文将介绍砷化镓中EL2缺陷能级的PDLTS研究，运用该技术并结合深能级Arrhenius分析，得到EL2能级值为0．82±0．02eV．
- 张英杰邓爱红幸浩洋龙娟娟喻菁于鑫翔程祥
- 关键词：正电子半导体
- 邻苯二钾酸氢铊晶体积分衍射效率的标定被引量：10
- 2007年
- 以北京同步辐射实验室487中能柬线为光源，在2．1～6．0keV的范围内对邻苯二钾酸氢铊（T1AP）平面晶体一、二、三级衍射的积分衍射效率进行了精确的实验标定。标定结果表明：TIAP晶体有较高的峰值衍射率；其一级衍射的积分衍射效率向低能端有增加的趋势，而在2．6～5．4keV的范围内大约为1．53×10^-4rad随着衍射级次的提高，衍射效率逐渐减小，二级衍射的积分衍射效率约为一级衍射效率的1／4，三级衍射结果比一级衍射下降一个量级。实验所标定的T1AP晶体可用于平晶谱仪对激光等离子体X射线光谱的定量分析。
- 甘新式杨家敏易荣清张继彦赵屹东赵阳崔明启邓爱红
- 关键词：X射线晶体
- 半绝缘InP的铁掺杂激活与电学补偿被引量：3
- 2006年
- 比较了掺Fe和非掺退火半绝缘(SI)InP材料中Fe杂质的分布,掺杂激活机理以及Fe原子与点缺陷的相互作用.原生掺Fe SI-InP中Fe的替位激活主要通过填隙-跳跃机制,但Fe原子易在位错周围聚集,与空位形成复合体缺陷,占据填隙位等,从而降低Fe的激活效率.在FeP2气氛下退火非掺InP获得的SI-InP材料中,Fe原子的激活主要通过扩散过程的“踢出-替位”机制.退火前材料中存在的In空位使Fe原子通过扩散充分占据In位,同时抑制了材料中深能级缺陷的形成.因此,这种SI-InP材料的Fe激活效率高、电学性能好.
- 苗杉杉赵有文董志远邓爱红杨俊王博
- 关键词：INP退火半绝缘
- 磷化铟中铁原子替位与填隙的热致转变及其对材料性质的影响被引量：3
- 2007年
- 高温退火后掺铁半绝缘(SI)InP单晶转变为n型低阻材料.利用霍尔效应(Hall),热激电流谱(TSC),深能级瞬态谱(DLTS),X射线衍射等方法分别研究了退火前后InP材料的性质和缺陷.结果表明受高温热激发作用部分铁原子由替位转变为填隙,导致InP材料缺少深能级补偿中心而发生导电类型转变.通过比较掺杂、扩散和离子注入过程Fe原子的占位和激活情况分析了这一现象的机理和产生原因.
- 赵有文苗杉杉董志远吕小红邓爱红杨俊王博
- 关键词：磷化铟退火半绝缘
- RAP晶体积分衍射效率的实验研究被引量：7
- 2009年
- 以北京同步辐射装置的4B7中能束线为光源,对RAP(邻苯二甲酸氢銣)晶体的积分衍射效率进行了实验标定.结果显示:晶体在不同能量段都得到了完整的衍射峰,扭摆曲线的光滑性和对称性较好,在偏离布喇格角以后衍射效率都迅速下降到本底量级.在2.1～5.8keV范围内,晶体的积分衍射效率在1×10-4rad左右.
- 甘新式杨家敏易荣清张继彦赵屹东赵阳郑雷马陈艳陈凯崔明启邓爱红
- 关键词：激光等离子体X射线光谱
- 用正电子湮没谱学方法研究W-ZrC合金在高热/粒子流作用下微结构的变化
- 钨及其合金材料作为聚变堆装置中面临等离子体的重要候选材料,其在高热/粒子流作用下的损伤行为,不仅关系到材料的使用寿命,还会影响等离子的稳定性以及聚变反应堆装置的安全性,因此研究钨及其合金材料在高热/粒子流作用下的损伤行为...
- 卢晓波邓爱红王康张元元王玲
- 用正电子湮没技术研究H/He中性束辐照钨钾合金中缺陷的演化被引量：2
- 2021年
- 钾掺杂钨合金是一种典型的弥散强化钨基材料,钾掺入在提高钨材料抗冲击能力的同时,也引入大量缺陷,这些缺陷会对合金在服役过程中氢原子和氦原子的存在形态以及演变产生影响.本文使用正电子湮没谱学方法从微观角度研究辐照后钨钾合金中的缺陷信息,通过对氢氦相关缺陷的正电子湮没参数进行模拟,发现氢原子对正电子寿命的影响比氦原子小,弥散在位错或晶界中的氢、氦原子会影响正电子湮没区域,而单个钾原子的存在对氢氦相关缺陷的正电子寿命影响甚微;结合扫描电镜与正电子湮没寿命谱和慢正电子束多普勒展宽谱,测试结果确认了钨钾合金中钾泡以及其钉扎的位错等缺陷对氢原子和氦原子的影响,与纯钨相比,在纯H和H+6%He中性束辐照下钾泡等缺陷会促进氢原子的释放,同时成为氦原子的捕获中心,促使其形成氦-空位复合体,并在此成核,生长为尺寸更大的氦泡,在应力和温度梯度的作用下促进其从表面释放,有利于相关缺陷的恢复,降低其损伤程度.
- 贺玮迪张培源刘翔田雪芬付馨葛邓爱红
- 用慢正电子束研究H/He中性束辐照W-ZrC合金中的缺陷演化被引量：1
- 2021年
- 利用GLADIS中性粒子束辐照设备对W-ZrC(W-0.5%ZrC,质量分数)合金进行纯H中性束辐照、H+6%He(原子分数)中性束辐照。采用Doppler展宽慢正电子束分析(DB-SPBA)和SEM表征样品的空位型缺陷和表面形貌。在相同纯H中性束辐照功率与注量下,Doppler展宽结果表明,辐照表面温度为850℃时,样品中缺陷类型主要为空位与H之比较大的H-V复合体;1000℃的样品不存在缺陷损伤层,这主要是由于缺陷在高温下进行了恢复。SEM结果表明,辐照表面温度为1000℃的样品比850℃的样品表面光滑,表面损伤得到恢复。在相同H+6%He中性束辐照功率与注量下,辐照表面温度为800℃的样品相比700℃的样品,S参数更大,表明辐照表面温度为800℃时,空位型缺陷迁移合并更为明显,空位型缺陷体积更大,样品中的缺陷损伤层更宽,损伤更为严重。
- 田雪芬刘翔龚敏张培源王康邓爱红
- 关键词：H
- 多能氦离子注入对W金属微结构的影响被引量：2
- 2017年
- 利用SEM和慢正电子束分析(SPBA)方法研究了不同注量的多能氦离子注入和注氦后不同温度退火的多晶W中He相关缺陷的演化机制。结果表明,W材料中由多能氦离子注入引入的空位型缺陷数目随着He+注量的升高而增大;220℃退火引起注氦W样品中的间隙W原子与空位的复合,降低了材料中的空位型缺陷数目;450℃和650℃退火的注氦W材料中形成了He泡,He泡尺寸与退火温度有关,650℃退火的样品中观测到直径达600 nm的大尺寸He泡和孔洞结构。
- 王康邓爱红龚敏卢晓波张元元刘翔
- 关键词：WHE正电子湮没
