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陈填源

作品数:13 被引量:7H指数:2
供职机构:福州大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:一般工业技术理学电子电信金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 5篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇一般工业技术
  • 4篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信

主题

  • 7篇场发射
  • 4篇纳米
  • 4篇纳米管
  • 3篇碳纳米管
  • 3篇透光
  • 3篇透明电极
  • 3篇显示技术
  • 3篇显示器
  • 3篇显示器件
  • 3篇光栅
  • 3篇场发射性能
  • 3篇磁场
  • 2篇第三电极
  • 2篇电极
  • 2篇性能研究
  • 2篇液晶
  • 2篇液晶光栅
  • 2篇遮光
  • 2篇三电极
  • 2篇显示装置

机构

  • 13篇福州大学
  • 1篇电子科技大学

作者

  • 13篇陈填源
  • 12篇郭太良
  • 11篇颜敏
  • 11篇叶芸
  • 8篇蔡寿金
  • 7篇林志贤
  • 6篇张永爱
  • 5篇刘玉会
  • 5篇曾祥耀
  • 4篇姚剑敏
  • 4篇周雄图
  • 4篇林金堂
  • 4篇徐胜
  • 2篇林锑杭
  • 1篇胡海龙
  • 1篇蒋亚东
  • 1篇胡利勤

传媒

  • 2篇中国电子学会...
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇物理学报
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇材料研究学报

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 3篇2014
  • 8篇2013
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
SiO_2/聚酰亚胺(PI)/SiO_2/PI/SiO_2复合绝缘薄膜性能研究
采用射频磁控溅射和旋涂法制备SiO2/聚酰亚胺(PI)/SiO2/PI/SiO2复合绝缘膜。利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)对PI薄膜结构和薄膜表面形貌进行表征;利用超高阻微电流测试仪...
蔡寿金颜敏陈填源刘玉会张永爱胡利勤郭太良
关键词:绝缘性能
文献传递
磁场辅助热处理金属化碳纳米管场发射性能
2014年
利用化学镀方法对多壁碳纳米管(multi-walled carbon nanotubes,MWNTs)表面金属化镀镍(MWNTs/Ni),采用丝网印刷制备MWNTs/Ni场发射阴极,并在磁场辅助下热处理所得阴极,研究磁场辅助热处理对MWNTs/Ni阴极的场发射性能的影响,经300mT磁场辅助热处理的MWNTs/Ni的场发射阴极开启场强约为0.80V·μm^(-1),场增强因子β约为16068,对单根MWNTs/Ni在磁场中的受力情况进行建模分析,实验结果表明:磁场辅助热处理有助于提高MWNTs/Ni在阴极表面的直立分布,提高了MWNTs/Ni的场发射性能。
叶芸陈填源郭太良蒋亚东
关键词:场发射磁场化学镀
退火温度对AZO薄膜场发射性能的影响被引量:3
2014年
以纯度为99.95%、Al2O3为2wt.%的ZnO-Al2O3金属氧化物为溅射靶材,采用射频(RF)磁控溅射的方法,在玻璃衬底上制备Al掺杂ZnO(AZO)薄膜,研究其场发射特性和导电性能,并分析了不同的退火温度对AZO薄膜的形貌、导电及场发射性能的影响。采用原子力显微镜(AFM)及X射线衍射(XRD)对AZO薄膜表面形貌与结晶特性进行测试的结果表明,随着退火温度的升高,AZO薄膜的表面粗糙度随之增大,AZO薄膜的结晶度变好;场发射性能研究的结果表明,AZO薄膜的开启电场随着退火温度增加呈先减小后增大的趋势,当退火温度为300℃时,AZO薄膜样品粗糙度最大,场发射性能最好,开启场强为2.8V/μm,发光均匀性较好,亮度达到650cd/m2,导电性能最好,电阻率为5.42×10-4Ω·cm。
叶芸蔡寿金颜敏陈填源刘玉会郭太良林志贤
关键词:退火温度磁控溅射场发射
磁场对磁性金属化CNTs的调控及其场发射性能研究
碳纳米管(Carbon Nanotubes, CNTs)是一种具备特殊电子结构和优秀电学、力学、磁学、光学等性能的纳米材料。因其较大的长径比、较小的尖端曲率半径、较高的导电性和导热性等优点,被认为是最为理想的场致发射显示...
陈填源
关键词:磁场碳纳米管场发射
文献传递
基于电子墨的动态光栅及控制方法和立体显示装置
本发明涉及显示技术领域,特别是一种基于电子墨的动态光栅及控制方法和立体显示装置。该电子墨动态光栅包括第一控制层、第二控制层和电子墨层;所述第一控制层包括第一透明基板、复数个第一透明电极、第一透明绝缘层、复数个第二透明电极...
叶芸郭太良张永爱林志贤姚剑敏陈填源徐胜曾祥耀颜敏蔡寿金
文献传递
磁场辅助热处理对碳纳米管场发射性能的研究
采用丝网印刷法制备碳纳米管场发射阴极并进行磁场辅助热处理,研究磁场辅助处理碳纳米管阴极的场发射性能。未进行磁场处理的场发射阴极的开启场强较大,为1.50V/μm,场增强因子β较小,约为5256;磁场处理过的碳纳米管场发射...
陈填源叶芸蔡寿金颜敏刘玉会胡海龙林金堂郭太良
关键词:场发射碳纳米管磁场丝网印刷
文献传递
不同环境湿度对CuO纳米线生长及场发射性能的影响被引量:3
2013年
首先在400℃的干燥空气(流量为500 sccm)及不同水汽流量(500、1500、3000、4000 sccm)等条件下分别热氧化铜片获得了系列垂直生长的氧化铜纳米线,随后,采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)研究了不同条件下所制备的氧化铜纳米线形貌、结构等性能,并进一步研究了其场发射性能。研究结果表明:水汽对氧化铜纳米线的密度及场发射性能影响较大,在500 sccm空气流量条件下,通入水汽(500 sccm)条件与未通入水汽条件生长得到的氧化铜纳米线相比,其密度明显增大,场发射性能提升,其开启场强约为3.7 V/μm,明显低于干燥空气中生长氧化铜纳米线的开启场强(6.5 V/μm);此外,制备得到的氧化铜纳米线的场发射性能随着通入水汽量增大出现先升高后降低的趋势,并且,在通入水汽流量为3000 sccm时,获得最佳的氧化铜纳米线场发射性能,其开启场强低至1.4 V/μm。
叶芸陈填源蔡寿金颜敏刘玉会郭太良
关键词:热氧化法环境湿度场发射
基于电子墨的动态光栅及控制方法和立体显示装置
本发明涉及显示技术领域,特别是一种基于电子墨的动态光栅及控制方法和立体显示装置。该电子墨动态光栅包括第一控制层、第二控制层和电子墨层;所述第一控制层包括第一透明基板、复数个第一透明电极、第一透明绝缘层、复数个第二透明电极...
叶芸郭太良张永爱林志贤姚剑敏陈填源徐胜曾祥耀颜敏蔡寿金
文献传递
阳极氧化TiO_2纳米管阵列的制备及场发射性能被引量:1
2013年
采用阳极氧化法以HF水溶液为电解液制备二氧化钛(TiO2)纳米管阵列,用场致发射扫描电子显微镜和X射线光电子能谱对纳米管阵列的表面形貌、断面结构及元素组成进行表征,并使用场发射测试系统测试其场发射性能,研究了HF水溶液的pH值对TiO2纳米管阵列形貌(管径及管长)的影响。结果表明:调节电解液的pH值可改变TiO2纳米管阵列的形貌,从而提高其场发射性能。当电解液pH值为2.0时TiO2纳米管阵列的场发射开启场强降为2.52 V/μm,且具有较好的电流稳定性。
叶芸颜敏陈填源蔡寿金郭太良
关键词:TIO2纳米管阵列阳极氧化XPS场发射
一种动态液晶光栅的控制方法
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种动态液晶光栅的控制方法,其特征在于:动态液晶光栅包括一第一控制层、一第二控制层、一液晶层和一控制模块,所述第一控制层包括一第一电极和一第二电极,所述第二控制层包括一第三电极。本发明通过...
张永爱郭太良叶芸林金堂周雄图姚剑敏林志贤陈填源颜敏徐胜林锑杭曾祥耀
文献传递
共2页<12>
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