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陈小雪

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：中山大学更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇电子自旋
  • 2篇自旋
  • 2篇自旋极化
  • 1篇电子自旋极化
  • 1篇动力学
  • 1篇双量子阱
  • 1篇自旋电子学
  • 1篇量子
  • 1篇GAAS材料
  • 1篇INGAN薄...
  • 1篇弛豫
  • 1篇弛豫动力学
  • 1篇INGAN

机构

  • 2篇中山大学

作者

  • 2篇陈小雪
  • 1篇刘晓东
  • 1篇滕利华
  • 1篇赖天树
  • 1篇文锦辉
  • 1篇林位株
  • 1篇黄绮雯

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 2篇2008
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
InGaN薄膜中电子自旋偏振弛豫的时间分辨吸收光谱研究
2008年
采用飞秒时间分辨圆偏振光抽运-探测光谱对In0·1Ga0·9N薄膜的电子自旋注入和弛豫进行了研究.获得初始自旋偏振度约为0·2,此结果支持在圆偏振光激发下,重、轻空穴带的跃迁强度比为3∶1,而不支持1∶1或1∶0·94的观点·同时获得自旋偏振弛豫时间为490±70ps,定性分析了自旋弛豫机理,认为BAP机理是电子自旋弛豫的主要机理.
陈小雪滕利华刘晓东黄绮雯文锦辉林位株赖天树
关键词：电子自旋INGAN自旋极化
InGaN和GaAs材料中电子自旋极化和弛豫动力学研究
自旋电子学是当前凝聚态物理中由多学科交叉而形成的新兴研究领域，它以自旋自由度为研究对象，并以发展新型的可替代传统电子器件的自旋电子器件为目标。与传统电子器件相比，自旋电子器件具有速度快，功耗低和非易失性等优点，引起人们的...
陈小雪
关键词：自旋电子学自旋极化弛豫动力学双量子阱
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