陈汉松
- 作品数：6 被引量：20H指数：3
- 供职机构：江苏石油化工学院更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 低电阻率PTC陶瓷及限流保安器的研究被引量：1
- 1994年
- 采用Ｓｂ（３＋）、Ｎｂ（５＋）双施主掺杂并添加ＡＳＴＬ玻璃料，研制出限流保安器用的ＢａＴｉＯ３基低电阻率ＰＴＣ陶瓷材料。探讨了施主杂质、受主杂质等微量元素及玻璃料对ＰＴＣ陶瓷性能的影响。应用上述ＰＴＣ陶瓷制作出开关温度Ｔｂ＝１２０℃的限流保安器。
- 孙慷周锋李福兴陈汉松
- 关键词：PTC陶瓷电阻率
- 低阻PTC半导体陶瓷及限电器的研究被引量：2
- 1994年
- 本文给出了笔者研制的低阻ＰＴＣ半导体陶瓷的制备工艺。该ＰＴＣ陶瓷的主要性能如下：Ｔ＿ｃ≈１１０℃，ρ＿（２５℃）≈５０Ω·ｃｍ，ａ＿Ｔ＞１５％／℃，Ｒ＿（ｍａｘ）／Ｒ＿（ｍｉｎ）＞１０￣５．Ｖ＿（ｗ，ｖ）＞１５０Ｖ／ｍｍ。此外；还给出了用该陶瓷设计和制作限电器的方法。
- 孙慷周锋陈汉松
- 关键词：半导体陶瓷限电器PTC
- ITO用作铁电薄膜电极的研究被引量：9
- 2001年
- 研究了sol -gel掺锡氧化铟 (ITO)溶胶在SiO2 /Si衬底和光学玻璃衬底上的成膜及结晶性能 ,并与CVD法生长的ITO薄膜作了对比。结论是 ,sol -gelITO膜 ,虽然具有与CVDITO膜相似的结晶性能和较高的导电性 ,但以sol -gelITO膜作下电极 ,无法使PLT、PZT的sol -gel膜具有明显的结晶取向。因漏电太大 ,sol -gelITO也无法作sol -gel铁电膜 (如PLT ,PZT)的上电极。但在CVDITO膜上 ,sol -gel铁电膜能很好结晶 ,且Au/PLT/ITO电容 ,具有良好的电学性能。
- 李金华陈汉松李坤汤国英陈王丽华
- 关键词：ITO薄膜SOL-GEL法FERAM
- ITO衬底上PZT膜的性能研究被引量：3
- 1999年
- 用Ｓｏｌ－ Ｇｅｌ 锆钛酸铅（ＰＺＴ） 溶胶， 在ＣＶＤ 法沉积生成的掺锡氧化铟（ＩＴＯ） ／ 玻璃衬底上旋转涂胶成膜。经快速热退火（ＲＴＡ） 处理后， 用Ｘ 射线衍射（ＸＲＤ） 测试了膜的结晶取向， 用ＲＴ６６Ａ 测试了膜的电学性能。结果表明， Ｓｏｌ－ Ｇｅｌ ＰＺＴ膜在ＣＶＤ 法生长的ＩＴＯ 衬底上能正常结晶， 但结晶温度比在Ｐｔ 衬底上略高， 结晶取向以＜ １１０ ＞ 为主取向。ＩＴＯ 衬底上厚度为０－６４ μｍ 的ＰＺＴ 膜的漏电约为５ ×１０ － ７ Ａ／ｍ ｍ２ ， 比Ｐｔ 衬底上高不到一个数量级。８ Ｖ 时膜的有效介电常数Ｋｅｆ 约１ ３８０ ， 剩余极化强度Ｐｒ＝ １３ μＣ／ｃｍ２ ， 与Ｐｔ 衬底上无明显差别。ＣＶＤＩＴＯ／ 玻璃衬底可取代昂贵的Ｐｔ 衬底作铁电薄膜的性能研究。
- 陈汉松李金华李坤
- 关键词：锆钛酸铅铁电薄膜衬底ITO
- 快速退火Sol-Gel PZT铁电薄膜的性能研究被引量：3
- 1997年
- 报道了以乙酸铅、乙酸氧锆和钛酸正丁酯为原料，用溶胶-凝胶（Sol-Gel）法，经多次旋转涂膜，在Pt／Ti／SiO2／Si衬底上制备了PZT凝胶薄膜。用快速退火（RTA）作薄膜的热解和结晶热处理，制备了以（100）取向为主的PZT薄膜。用X射线衍射（XRD）和RT66A测试了膜的结晶取向、漏电流、电滞回线和抗疲劳性能等。结果表明，经RTA处理的溶胶凝胶法PZT膜具有良好的性能。
- 李坤李金华朱毅青周锋陈汉松罗志伟汤国英陈王丽华
- 关键词：PZT薄膜快速退火铁电薄膜溶胶凝胶法退火
- 硅基传感器的微机械加工被引量：3
- 1998年
- 叙述了硅基传感器微机械加工的特点和要求，简要说明了硅衬底微细加工的常用方法。并以高过载双向压力传感器和悬空结构热释电传感器的硅衬底微细加工为例，作了进一步说明。传感器性能的测试结果表明了微机械加工对提高传感器性能的重要性。
- 陈汉松李坤李金华
- 关键词：微机械加工传感器
