陈炳若
- 作品数：53 被引量：122H指数：7
- 供职机构：武汉大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：湖北省科技攻关计划国家重点实验室开放基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术机械工程理学更多>>
- 硅紫外光伏探测器件响应度的研究被引量：2
- 1997年
- 分析了硅紫外光伏探测器件的响应度与器件使用模式之间的关系．研究了包括网格结构在内的３种版图设计及所对应的响应度．结果表明，网格结构对改善紫外响应度的实际作用只是减小了串联电阻．细致讨论了光伏器件串联电阻的主要来源，给出了串联电阻对紫外响应度发生显著影响时所对应的估算数值．
- 陈炳若李启亮高繁荣王飚李振
- 关键词：紫外探测器光电管
- 基于PC的双路补偿式光功率波长计被引量：1
- 2006年
- 设计并实现了一种用硅双结色敏器件作为探测器,单片机作为控制器,PC作为处理器和显示器的光功率、波长同步测量系统。利用PC对信号进行高速处理,系统具有低成本,高精度,易控制和易扩展的优点。
- 张庆兵钟茗陈炳若
- 关键词：串口通信
- 硅双结型颜色传感器的研究被引量：7
- 2000年
- 硅双结型色敏器件的短路电流比与入射光波长存在线性关系．双结型色敏器件与合理设计的信号处理电路组成的颜色传感器对单色光波长以及颜色差别有良好的分辨能力.
- 王飚陈炳若魏正和李玉传杜科
- 关键词：色敏器件颜色传感器
- GaN蓝光LED电极接触电阻的优化被引量：2
- 2006年
- 通过分析LED的工作电压和晶圆上两相邻N电极间电阻来讨论快速退火(RTA)和表面处理对GaN基蓝光LED接触电极的影响。研究了p-GaN表面处理对Ni/Au与p-GaN接触电阻的影响。结果表明,用KOH清洗p-GaN表面比用HCl清洗更能有效地改善Ni/Au与p-GaN的接触电阻。讨论了在氧和氮混合气氛下两种退火温度对P电极接触电阻的影响,当退火温度从570℃升到620℃时接触电阻升高。研究了氮气氛下不同退火温度和时间对LED电极接触的影响,发现在480℃下连续退火对N接触有利,但却使P接触变差,而450℃、10 min的氮气氛退火能同时得到较好P接触和N接触。
- 裴风丽陈炳若陈长清
- 关键词：GAN基蓝光LED接触电阻RTA表面处理
- 高效单晶硅太阳电池的结构分析与设计被引量：1
- 2005年
- 完成了对目前光电转换效率最高的商品单晶硅太阳电池的结构分析,并结合其结构特点得到了影响转换效率的关键因素.完成了全背电极太阳电池的版图设计,采用高少子寿命硅材料,进行了多项工艺实验,发现绒面制作前的硅片表面预处理条件对短路电流值有重要影响,预处理时间的不同造成短路电流值有显著差别.
- 杜樊立付秋明陈炳若
- 便携式双色验钞器的设计与研制
- 2005年
- 对商品验钞器的现状和存在的问题进行了分析,提出了合理的解决方案.在理论分析的基础上,设计并研制出一种便携式双色验钞器,该装置以紫光发光二极管(LED)和红外半导体激光二极管(LD)作为双色光源,照射人民币的荧光标志产生不同的荧光效应,紫光激发的图案用肉眼可以清晰分辨,而红外光的激发图案为绿色光斑.该装置设计了自动报警系统,提高了验钞的可靠性.
- 杜鹏搏陈炳若
- 关键词：验钞
- 间接耦合光电探测器被引量：12
- 1990年
- 本文提出了间接耦合光电探测的新概念,找到并分析了两种工作模式的结型间接耦合光电探测器,实验结果表明,这是一类性能优异的光电探测器件,最后讨论了结型间接耦合光电探测器的实际意义和研究前景。
- 何民才陈炳若黄启俊刘国友
- 关键词：光电探测器信号输出
- 硅光电二极管快中子和氧离子的辐照效应被引量：5
- 1998年
- 研究了硅光电二极管经快中子（注入剂量为1011cm2、能量2．45MeV）和O+++（注入剂量为1010cm－2、能量12MeV）辐照后光电参数的变化规律，并通过光谱光电流的变化，对辐照损伤的空间分布进行了分析。结果表明：两种辐照均引起器件的光电流下降、暗电流增加。在本实验条件下，快中子造成的损伤轻微且均匀地分布在整个器件体内，而O+++辐照损伤区集中在器件表面附近，其损伤较快中子的严重。
- 高繁荣陈炳若李世清鄢和平
- 关键词：硅光电二极管辐照效应
- 色敏器件的研究进展和应用被引量：6
- 2003年
- 介绍了色敏器件的结构、制作工艺、工作原理、信号处理电路的发展以及利用信息处理技术和集成电路技术实现智能化颜色探测的应用前景。提出了通过改进材料。
- 季峰陈炳若
- 关键词：色敏器件信号处理电路光谱响应
- p型含氮CZ—Si单晶的退火性质被引量：1
- 1993年
- 本文报道了在不同热处理条件下P型含氮CZ-Si单晶材料的退火性质。实验表明:400℃及1100℃温度的退火处理都会在含氮CZ-Si单晶中产生新的施主态。400℃退火时产生的施主态会在高温(T>600℃)退火时迅速消灭,它与单晶中N-O复合体的生成和生长机制有关;1100℃退火时产生的施主态则与材料中的氮沉淀有关。
- 陈畅生曾繁清曾瑞陈炳若龙理何民才张锦心李立本
- 关键词：单晶制备退火
