陶永春
- 作品数：7 被引量：20H指数：2
- 供职机构：南京师范大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省高校自然科学研究项目江苏省普通高校研究生科研创新计划项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 外应力场下铁磁/反铁磁双层膜系统中的交换偏置被引量：17
- 2006年
- 采用自由能极小的方法研究了铁磁/反铁磁双层膜系统在外应力场下的交换各向异性.本模型中铁磁层具有单轴磁晶各向异性和立方磁晶各向异性,而反铁磁层仅具有单轴磁晶各向异性,但其厚度趋于半无穷.理论上解析地给出了系统的等效交换偏置和钉扎角(它显示了反铁磁层对铁磁层磁化的钉扎作用)与外应力场之间的关系.数值计算表明:系统的等效交换偏置与外磁场的方向有关,而与其大小无关;然而外应力场的大小和方向均对系统的等效交换偏置有影响,其根源在于外应力场的大小和方向都影响着钉扎角.
- 潘靖陶永春胡经国
- 关键词：交换偏置应力场
- 纳米CMOS器件中热载流子产生缺陷局域分布的表征
- 2024年
- 本文针对纳米小尺寸CMOS器件,提出了一种根据表面势模型表征热载流子产生电荷陷阱和界面态局域分布的方法。热载流子注入(Hot Carrier Injectione,HCI)应力会在栅氧化层和Si/SiO_(2)界面中产生电荷陷阱和界面态,随着应力时间递增,这些缺陷的增多引起阈值电压等器件参数的漂移,在漏致势垒降低(Drain Induced Barrier Lowering,DIBL)效应下,可以选取表面势最大值处的阈值电压偏移量来表征沟道相应位置处HCI致电荷陷阱和界面态。研究发现,通过测量施加HCI应力前后器件阈值电压偏移量随源/漏极电压的分布,结合表面势模型计算出源/漏极电压随沟道表面势峰值的分布,可以得到HCI致电荷陷阱和界面态沿沟道的局域分布。利用此方法,精确地表征了在32 nm CMOS器件中HCI应力引起的电荷陷阱和界面态沿沟道的分布,并进一步分析了HCI效应的产生机理。
- 马丽娟陶永春
- 关键词：CMOS器件热载流子注入界面态
- 一种提取纳米CMOS器件中源/漏寄生电阻的恒定迁移率方法
- 2018年
- 源/漏寄生电阻作为器件总电阻的一个重要组成部分,严重制约着纳米CMOS器件性能.随着纳米CMOS器件尺寸不断减小,源/漏寄生电阻占器件总电阻比例越来越高,已经成为衡量CMOS器件可靠性的一个重要参数.本文提出一种恒定沟道迁移率条件下提取纳米CMOS器件中源/漏寄生电阻的方法.本方法通过测量固定偏压条件下一个器件的两条线性区I_d-V_(gs)曲线之比,推导出纳米CMOS器件中源/漏寄生电阻,操作简单,精确度高,避免了推导过程中由沟道迁移率退化引入与器件栅长相关的误差.我们详细研究并选取合适外加偏压条件,保持推导过程中沟道迁移率恒定,确保源/漏寄生电阻值的稳定性.在固定外加偏压条件下,我们提取了45 nm CMOS工艺节点下不同栅长器件的源/漏寄生电阻值,结果表明源/漏寄生电阻值与栅长不存在直接的依赖关系.最后,我们研究了工艺过程和计算过程引入的波动并进行了必要的误差分析.
- 鲁明亮陶永春
- 关键词：纳米CMOS器件
- 外应力场下铁磁/反铁磁双层膜系统中的自旋波被引量：4
- 2007年
- 采用自由能极小的方法研究了铁磁/反铁磁双层膜系统在外应力场下的一致进动自旋波性质,即铁磁共振现象.本模型中铁磁层很薄可看成单畴结构,但具有单轴磁晶各向异性和立方磁晶各向异性;而反铁磁层仅具有单轴磁晶各向异性,但其厚度趋于半无穷.推导出了该系统的铁磁共振频率和频谱宽度的解析式.结果表明,外应力场和界面交换耦合或反铁磁磁强度仅在弱磁场下对系统的铁磁共振有影响,且系统的铁磁共振行为按磁场强度可分为两支,其区分弱磁场和强磁场的临界场依赖于外应力场的方向.另一方面,应力场方向的改变可借助于反铁磁层磁畴变化对铁磁层磁晶各向异性轴有影响.
- 潘靖周岚陶永春胡经国
- 关键词：铁磁共振应力场
- 狭窄的二维拓扑绝缘体超导结中新奇的0-π态转变
- 2017年
- 边间耦合引起的边间背散射是赋予狭窄的二维拓扑绝缘体的重要特性,能够大大地丰富拓扑超导电子学.本文在考虑边间耦合的情况下,使用基于Bogoliubov-de Gennes(BdG)方程的理论方法,研究了由狭窄的二维拓扑绝缘体构成的Josephson结,其中两个相距长度为d的超导电极置于同一边上.结果发现,通过改变d总可以导致0-π态转变,同时这0-π态转变能反过来证明边缘态螺旋性的自旋结构.引起这个新奇的结果的机制源于边间背散射引诱了一个额外的π相移,不同于由两个超导电极间铁磁体夹层厚度变化所引起的传统的0-π态转变.此外,在0-π态转变点处存在相当大的Josephson临界电流残余值.因此,这些结果在超导电子学器件的设计中具有潜在的应用价值,譬如,高性能的超流开关.
- 俞清云陶永春
- 关键词：JOSEPHSON结
- GaMnAs/AlAs/GaAs/AlAs/GaMnAs隧道结的磁致电阻效应
- 2022年
- 利用k·p微扰和多能带量子传输边界相结合,推导出自旋空间中的量子坐标轴变换矩阵,以及空穴透过GaMnAs/AlAs/GaMnAs/AlAs/GaMnAs双势垒铁磁半导体(FS)隧道结的透射系数和磁致电阻(TMR)理论公式.计算了重空穴和轻空穴透射系数随入射能量的变化,得到TMR与两层FS磁化方向夹角(θ)的关系.研究发现透射系数随着入射能量递增出现明显震荡,相对于非磁性半导体,轻空穴和重空穴透射系数的差值减小;与单势垒隧道结不同,双势垒隧道结中TMR和sin^(2)(θ/2)之间呈现出非线性关系.其结果对磁性半导体隧道结的研究具有一定的参考价值.
- 鲁明亮马丽娟陶永春
- 关键词：隧道结磁致电阻
- GaMnAs/AlAs/GaMnAs构成隧道结的隧道磁致电阻效应被引量：1
- 2019年
- 铁磁半导体构成隧道结的研究是凝聚态领域中一个重要的研究方向.k·p模型在处理半导体异质结空穴传输问题时非常有效,利用k·p模型研究GaMnAs/AlAs/GaMnAs隧道结的磁致电阻效应,通过将k·p微扰与多能带量子传输边界相结合的新方法,给出自旋量子轴的转换矩阵.计算了各种空穴的透射系数随能量的变化以及隧道结的磁致电阻,讨论了隧道磁致电阻对自旋量子轴方向的依赖关系,并对计算结果进行了理论分析.
- 鲁明亮马丽娟陶永春
- 关键词：隧道结TMR
