靳瑞敏
- 作品数：23 被引量：54H指数：5
- 供职机构：南阳理工学院太阳能电池研究所更多>>
- 发文基金：河南省基础与前沿技术研究计划项目河南省科技攻关计划河南省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程政治法律更多>>
- 退火温度和时间对制备多晶硅薄膜的影响被引量：4
- 2010年
- 通过PECVD法于不同温度直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,选择于850℃分别退火2h、3h、6h、8h,于700℃分别退火5h、7h、10h、13h,于900℃分别退火1h、3h、8h,分别于720℃、790℃、840℃、900℃、940℃退火1h,然后用拉曼光谱和SEM进行对比分析,发现退火温度与退火时间的影响是相互关联的,并且出现一系列晶化效果好的极值点。
- 靳瑞敏王玉仓陈兰莉罗鹏辉郭新峰卢景霄
- 关键词：PECVD法非晶硅薄膜多晶硅薄膜拉曼光谱扫描电镜
- 在不同时间下退火对非晶硅薄膜晶化的影响被引量：1
- 2008年
- 用玻璃作衬底在不同温度下用PECVD法直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,在400℃和500℃分别光退火5min、10min、20min、30min、40min、60min、120min,用拉曼光谱分析前后样品,发现随着晶化时间的延长晶化效果越好,500℃退火的薄膜比400℃的晶化效果好。
- 靳瑞敏陈兰莉罗鹏辉郭新峰卢景霄
- 关键词：PECVD法非晶硅薄膜拉曼光谱
- 多孔硅在太阳能电池应用中的相关研究被引量：5
- 2006年
- 本文用化学腐蚀法在多晶硅基片上制作多孔硅,通过SEM、XPS对多孔硅的表面微结构及其组成进行了研究,定性地分析了氧在多孔硅层中的作用及主要热行为。分析了多孔硅用于太阳能电池时应注意的问题:多孔层微孔尺寸、太阳电池工艺中各热处理过程的温度和时间、多孔层与电极材料是否形成欧姆接触及快速热氧化(RTO)的钝化效果。
- 王海燕卢景霄吴芳王子健张宇翔靳瑞敏张丽伟
- 关键词：减反膜
- PVA对SiO_2减反膜表面结构的影响被引量：1
- 2013年
- 以正硅酸乙酯(TEOS)为有机硅源,乙醇为溶剂,NH3.H2O为催化剂,采用溶胶-凝胶技术,加入PVA(聚乙烯醇)添加剂,在玻璃上用旋涂法制备减反膜,并对其进行热处理;分别采用椭偏仪和扫描电镜对所制备减反膜的结构、物性进行研究,研究PVA添加剂对减反膜结构、折射率的影响。结果表明:适量的PVA添加剂可以控制SiO2太阳电池减反膜的开裂。
- 靳瑞敏蔡志端苍利民阎韬徐建军栗书增
- 关键词：溶胶-凝胶
- 如何在大学物理教学中对学生进行素质教育被引量：1
- 2008年
- 如何在大学物理教学中贯彻素质教育的原则,是一个重要且迫切需要解决的现实问题.具有科学精神就是具有彻底的唯物主义精神和逻辑思维能力,有科学的怀疑精神,有独立见解,不迷信权威,不盲从潮流.科学的世界观是大学生必备的基本素质.也是我国成为创新型国家的必然要求.大学物理教育就是培养具有这种科学素养的合格大学生.
- 靳瑞敏
- 关键词：大学物理素质教育
- 光和传统热固化对SiO_2减反膜影响的对比
- 2013年
- 以正硅酸乙酯(TEOS)为有机硅源,采用溶胶-凝胶技术,通过调节添加剂控制溶胶溶液性能,然后分别用光固化和传统电阻炉固化两种不同的热处理方案,制备出低折射率SiO2光学减反薄膜。分别采用椭偏仪、扫描电镜等对所制备薄膜的结构、物性进行研究。研究结果表明:光固化比传统电阻炉固化减反膜折射率低。
- 靳瑞敏蔡志端苍利民阎韬徐建军栗书增
- 关键词：光固化
- 我国行政监督现状及思考被引量：5
- 2006年
- 政府及其工作人员拥有巨大公共权力,如果不进一步加强和改善对政府及其工作人员的行政监督,就会导致权力的失控。文章论述了我国现行行政监督体系中存在的一些问题,从改革原有的行政监督体制、增强监督的力度、完善行政监督方法等方面对我国现行行政监督体系的改革提出了一些想法。
- 靳瑞敏
- 关键词：行政监督腐败
- 太阳能级多晶硅标准的现状及发展被引量：8
- 2009年
- 回顾了太阳能级多晶硅标准这一问题的由来,分析了制定太阳能级多晶硅标准中的有关杂质含量的争论,对太阳能级多晶硅标准提出了一些看法和思考:应加快以物理法多晶硅为原料制作太阳能电池技术问题的研究;解决太阳能电池的衰减、生产工艺改进及物理法多晶硅性能的稳定性问题;多晶硅标准最终应该是一个不区分生产方法的、以主要杂质含量为指标的标准。
- 靳瑞敏郭新峰陈兰莉罗鹏辉郑小燕
- 在不同温度下退火制备多晶硅薄膜的研究被引量：1
- 2009年
- 通过PECVD法,用玻璃作衬底在30℃、350℃和450℃下直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,在600℃和850℃下退火三个小时,把前后样品用拉曼光谱和XRD分析,发现二次晶化后的晶化效果比直接沉积的薄膜好,850℃下退火的薄膜比600℃下好。
- 靳瑞敏郑小燕陈兰莉卢景霄
- 关键词：PECVD法非晶硅薄膜多晶硅薄膜拉曼光谱XRD
- 对柱状多晶硅薄膜的制备研究被引量：10
- 2006年
- 在多晶硅薄膜(Poly-S i)生长理论的基础上,用等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)系统,配合快速光热退火装置(RTP),在玻璃衬底和石英衬底上制备了柱状结构的多晶硅薄膜。借助于扫描电子显微镜(SEM)等测试手段,对薄膜的表面形貌和断面形貌进行了分析。结果发现:(1)柱晶的形成对薄膜的厚度有一定要求,而且薄膜越厚,柱晶直径越容易长得更大。本实验中,薄膜厚度达到2.5μm左右时,柱晶直径达到了1.5μm以上;(2)再结晶过程是从靠近光源的薄膜表面开始进而到薄膜内部的。再次说明RTP中再结晶的发生,与光和物质的相互作用密切相关。
- 张丽伟赵新蕖卢景霄郜小勇陈永生靳瑞敏
- 关键词：SEMRTP多晶硅薄膜
