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靳立伟

作品数:3 被引量:1H指数:1
供职机构:杭州电子科技大学电子信息学院教育部射频电路与系统重点实验室更多>>
发文基金:浙江省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 2篇毫米波
  • 1篇电路
  • 1篇电路设计
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇射频
  • 1篇射频功率
  • 1篇射频功率放大...
  • 1篇神经网
  • 1篇神经网络
  • 1篇神经网络模型
  • 1篇势垒
  • 1篇势垒层
  • 1篇缩放
  • 1篇频率特性
  • 1篇迁移率
  • 1篇网络
  • 1篇网络模型
  • 1篇晶体管
  • 1篇宽带
  • 1篇功率放大

机构

  • 3篇杭州电子科技...
  • 1篇河北半导体研...
  • 1篇卡尔顿大学

作者

  • 3篇靳立伟
  • 2篇程知群
  • 1篇张齐军
  • 1篇冯志红

传媒

  • 2篇微波学报

年份

  • 3篇2012
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
宽带GaN HEMT射频功率放大器研究
本文研究了覆盖C、X、K波段的功率放大器的电路设计。讨论了射频有源无源器件尤其是AlGaN/GaN HEMT器件和共面波导的建模过程,宽带匹配理论方法,并利用功率合成技术设计了13-17GHz和6-18GHz的宽带射频功...
靳立伟
关键词:射频功率放大器电路设计
文献传递
毫米波AlGaN/GaN HEMT交流特性研究被引量:1
2012年
毫米波频段已经成为AlGaN/GaN HEMT研究的一个发展趋势。利用器件仿真软件TCAD,对AlGaN/GaN HEMT交流特性进行了研究。从势垒层的Al组分和厚度两个参数分析了器件特征频率变化趋势。用TCAD仿真得到的AlGaN/GaN HEMT器件本征S参数,在ADS中添加器件的非本征参数,得到器件仿真的频率特性。在器件设计的基础上,进行了器件版图设计和流片,并测量了器件频率特性。测试和仿真结果的对比表明两者较为一致,表明器件仿真的有效性和指导意义。
程知群靳立伟冯志红
关键词:势垒层ALGANGAN高电子迁移率晶体管频率特性
硅基毫米波共面波导可缩放神经网络模型
2012年
随着微电子工艺技术的发展,硅基CMOS器件的截止频率已经达到毫米波频段,使硅基微波单片集成电路实现成为可能。因此,建立硅基毫米波频段共面波导结构模型使准确设计硅基微波单片集成电路成为必要。文章提出了一种基于神经网络技术的共面波导结构(CPW)毫米波可缩放模型,采用3层神经网络结构,根据共面波导的测试结果,用神经网络来学习其物理变量和测试的相应S参数空间映射关系。仿真与测试结果比较表明:基于神经网络方法建立的毫米波共面波导可缩放模型对不同几何参数CPW能够快速和准确地给出对应的CPW的S参数结果。
程知群靳立伟张齐军
关键词:硅基毫米波共面波导神经网络
共1页<1>
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