顾珊珊
- 作品数：2 被引量：10H指数：1
- 供职机构：浙江工业大学化学工程与材料学院更多>>
- 发文基金：浙江省“钱江人才计划”国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- 硼掺杂纳米金刚石薄膜的微结构与电学性能研究
- 采用热丝化学气相沉积(HFCVD)法与离子注入法制备硼掺杂纳米金刚石(BDND)薄膜,并对薄膜进行真空退火处理,系统研究退火温度、掺杂浓度、掺杂方法对BDND薄膜微结构和电学性能的影响,对于制备高电导率高Hall迁移率的...
- 顾珊珊
- 关键词：纳米金刚石薄膜硼掺杂离子注入微结构电学性能
- 文献传递
- 退火温度对硼掺杂纳米金刚石薄膜微结构和p型导电性能的影响被引量：10
- 2013年
- 采用热丝化学气相沉积法制备硼掺杂纳米金刚石(BDND)薄膜,并对薄膜进行真空退火处理,系统研究退火温度对BDND薄膜微结构和电学性能的影响.Hall效应测试结果表明掺B浓度为5000ppm(NHB)的样品的电阻率较掺B浓度为500ppm(NLB)的样品低,载流子浓度高,Hall迁移率下降.1000℃退火后,NLB和NHB样品的迁移率分别为53.3和39.3cm2·V-1·s-1,薄膜的迁移率较未退火样品提高,电阻率降低.高分辨透射电镜、紫外和可见光拉曼光谱测试结果表明,NLB样品的金刚石相含量较NHB样品高,高的硼掺杂浓度使薄膜中的金刚石晶粒产生较大的晶格畸变.经1000C退火后,NLB和NHB薄膜中纳米金刚石相含量较未退火时增大,说明薄膜中部分非晶碳转变为金刚石相,为晶界上B扩散到纳米金刚石晶粒中提供了机会,使得纳米金刚石晶粒中B浓度提高,增强纳米金刚石晶粒的导电能力,提高薄膜电学性能.1000℃退火能够恢复纳米金刚石晶粒的晶格完整性,减小由掺杂引起的内应力,从而提高薄膜的电学性能.可见光Raman光谱测试结果表明,1000℃退火后,Raman谱图中反式聚乙炔(TPA)的1140cm-1峰消失,此时薄膜电学性能较好,说明TPA减少有利于提高薄膜的电学性能.退火后金刚石相含量的增大、金刚石晶粒的完整性提高及TPA含量的大量减少有利于提高薄膜的电学性能.
- 顾珊珊胡晓君黄凯
- 关键词：退火微结构电学性能
