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颜骥

作品数：60 被引量：43H指数：3
供职机构：株洲南车时代电气股份有限公司更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信电气工程金属学及工艺文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 50篇专利
  • 7篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 9篇电子电信
  • 4篇电气工程
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇文化科学

主题

  • 21篇半导体
  • 13篇晶闸管
  • 13篇半导体器件
  • 9篇散热
  • 9篇封装
  • 7篇压装
  • 7篇芯片
  • 7篇绝缘
  • 6篇整流
  • 6篇整流管
  • 6篇脉冲
  • 6篇脉冲功率
  • 6篇开关
  • 5篇散热器
  • 5篇成品率
  • 4篇底座
  • 4篇钝化层
  • 4篇阴极
  • 4篇圆片
  • 4篇陶瓷层

机构

  • 60篇株洲南车时代...

作者

  • 60篇颜骥
  • 23篇任亚东
  • 20篇熊辉
  • 20篇孙文伟
  • 16篇郭金童
  • 13篇曾文彬
  • 11篇陈芳林
  • 9篇彭勇殿
  • 9篇方杰
  • 9篇常桂钦
  • 9篇潘学军
  • 8篇李世平
  • 8篇唐豹
  • 8篇熊思宇
  • 8篇谢腾飞
  • 7篇田媛
  • 6篇陈彦
  • 6篇刘国友
  • 6篇刘芹
  • 5篇彭明宇

传媒

  • 6篇大功率变流技...
  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇第2届全国脉...

年份

  • 1篇2019
  • 6篇2018
  • 5篇2017
  • 9篇2016
  • 12篇2015
  • 12篇2014
  • 6篇2013
  • 7篇2012
  • 2篇2011
共 60 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
半导体脉冲功率开关的最新进展被引量：19
2012年
简述了脉冲功率开关的发展及国内外脉冲功率晶闸管产品的现状,并详细介绍了国内的脉冲功率开关产品及其特点。阐述了脉冲功率晶闸管组件产品的设计与应用,以及半导体脉冲功率开关的测试试验平台。简要介绍了脉冲功率晶闸管及其组件在工程应用中的同步驱动、感应取能和串联均压等关键技术,并简述了脉冲功率晶闸管组件的工程应用实际效果。阐述了半导体脉冲功率开关及其测试试验平台的发展方向。
任亚东李世平颜骥熊辉熊思宇余伟曾文彬张方毅
关键词：脉冲功率脉冲放电半导体开关
一种半导体器件的压装装置及压装方法
本发明提供一种半导体器件的压装装置，包括顶压组件、多个散热器及两组绝缘支撑板，两组所述绝缘支撑板平行且相对布置，沿绝缘支撑板的长度方向，多个所述散热器水平支撑于两组所述绝缘支撑板之间，位于底层的所述散热器通过紧固件固定于...
曾文彬任亚东颜骥孙文伟窦金龙
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一种快恢复二极管的制备方法
本发明涉及一种集成门极换流晶闸管配套用快恢复二极管的制备方法，包括如下步骤：1)对N型硅圆片的任意一面进行抛光处理；2)进行铝预沉积，在所述硅圆片抛光面进行硼离子注入，并进行氧化推进工艺，使硅圆片内形成P<Sup>+</...
郭润庆陈芳林颜骥高建宁蒋谊彭文华陈勇民邱凯兵
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一种周波浪涌试验装置
本发明公开了一种周波浪涌试验装置，包括时间继电器、第一和第二试验晶闸管、波形记录装置、电阻、变压装置、分流器、第一开关和第二开关，变压装置的输入端通过第二开关连接输入交流电，第一和第二试验晶闸管采取反并联连接，第一试验晶...
彭力湘颜骥彭军华
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直流高压电源、高位取能装置及其供电方法
本发明提供了一种直流高压电源、高位取能装置及其供电方法，包括高压输入端、低压输出端、取能电路、储能电路、锁存电路和节流电路；取能电路包括开关电路和与开关电路连接的控制电路，开关电路包括至少两个串联的开关，控制电路通过控制...
唐柳生任亚东颜骥吴煜东孙文伟张西应石铿
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应力-强度干涉模型在功率半导体器件失效分析中的应用被引量：2
2016年
功率半导体器件发生机械应力失效的直接原因是外部应力大于器件自身强度,并间接引发器件上电应力或者热应力过载,最终造成器件损坏。文章结合机械可靠性理论中应力-强度干涉模型,以晶闸管为例对其机械应力失效的物理过程和失效机理进行解释,得出失效分析和可靠性设计的工程计算方法,并结合测试中发生的晶闸管失效案例对该分析计算方法的可行性和有效性进行了验证。
张西应颜骥任亚东
关键词：晶闸管失效模式可靠性
GCT门极绝缘座及门极组件
本发明提供了一种GCT门极绝缘座及门极组件，所述绝缘座为单向开口的腔体，所述腔体包括内侧壁、外侧壁和底部，所述外侧壁包括若干个间断的外子侧壁，所述内侧壁的内表面和/或所述外侧壁的至少一个外子侧壁的外表面呈阶梯式结构，即该...
曾文彬陈彦潘学军万超群张明颜骥陈芳林蒋谊
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基于内冷却散热的平板型功率器件封装结构
本发明公开了一种基于内冷却散热的平板型功率器件封装结构，它包括芯片、钼片、门极和外壳组件，所述外壳组件包括外壳和电极铜块，所述电极铜块的周侧设置用来导热绝缘的散热体组件，所述散热体组件呈包裹状围绕在电极铜块的周侧。本发明...
李继鲁方杰常桂钦贺新强曾雄彭明宇彭勇殿颜骥
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一种硼扩散源双面喷涂装置及方法
本发明提供了一种硼扩散源双面喷涂装置，包括：射流器；承载底座，其与射流器的喷射方向相对设置，所述承载底座包括：位于承载底座底部的定位孔，用于固定承载底座；用于定位喷涂样品的定位边缘，用于固定样品；和用于支撑所述喷涂样品的...
刘锐鸣唐革操国宏邹冰艳颜骥吴煜东邹昌刘芹王政英姚震洋
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一种半导体台面及制作方法
本发明公开了一种半导体台面，其中，PN结交界面延伸至该半导体台面的表面，应用于半导体技术领域，该半导体台面包括：由第一钝化膜和覆盖于第一钝化膜上的第二钝化膜形成的钝化层；在钝化层上形成的保护层，本发明同时公开了制作该半导...
张弦陈芳林颜骥邱凯兵高建宁王政英
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