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魏锡智

作品数：4 被引量：4H指数：1
供职机构：中国科学院新疆物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：核科学技术电子电信机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇核科学技术
  • 1篇机械工程

主题

  • 3篇量热
  • 2篇量热计
  • 2篇硅
  • 1篇电离辐射
  • 1篇电离辐射损伤
  • 1篇数据采集
  • 1篇数据采集和处...
  • 1篇数据处理
  • 1篇热法
  • 1篇量热法
  • 1篇铝
  • 1篇CMOS器件

机构

  • 4篇中国科学院

作者

  • 4篇何承发
  • 4篇魏锡智
  • 3篇巴维真
  • 3篇吾勤之
  • 1篇周光文

传媒

  • 3篇核技术
  • 1篇微电子学与计...

年份

  • 2篇1995
  • 1篇1994
  • 1篇1991
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
量热计数据采集和处理系统的设计被引量：1
1994年
本文建立了以ＰＣ２８６微机为核心的量热计数采集和处理系统，给出了修正量热计热损失的计算公式，改变了传统的量热计测量方法。
何承发巴维真吾勤之魏锡智
关键词：量热计数据采集数据处理
热损补偿型铝吸收剂量量热计的研制被引量：1
1995年
叙述了热损补偿型铝吸收剂量量热计的结构及测量原理，给出了量热计在１０一３５℃工作温区的电加热标定因子，得到了６０Ｃｏγ辐照室中剂量率对距离的分布。
巴维真吾勤之何承发魏锡智郝运海
关键词：铝量热计硅
脉冲X射线辐射剂量的量热法测量被引量：1
1995年
报道了一台硅吸收剂量量热计的结构和特性，给出了用该量热计测量脉冲Ｘ射线辐射剂量的实验结果。
巴维真吾勤之何承发魏锡智
关键词：硅
CMOS器件电离辐射损伤等效研究中损伤敏感性的确定被引量：1
1991年
损伤敏感性是CMOS器件的电离辐射损伤等效研究中的一个特征参量,这个参量是辐照总剂量、剂量率、辐射类型、能量、管子类型、偏置条件、电源电压等的复杂函数。本文主要研究总剂量和剂量率响应特性。实验证实,CMOS器件的损伤敏感性与电离辐照的总剂量基本无关,对剂量率的依赖也很弱。
何承发周光文魏锡智
关键词：CMOS器件
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