严学俭
- 作品数：47 被引量：162H指数：7
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家科技部专项基金“上海－应用材料研究与发展”基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信金属学及工艺更多>>
- 应用纳米压痕法测试类金刚石薄膜力学性能的研究被引量：11
- 2003年
- 介绍一种被称为材料机械性质微探针的新型纳米压痕仪 ,藉助于加荷 卸荷过程中压痕对负荷和压入深度 ,即压头位移的敏感关系 ,测试材料的硬度及弹性模量等力学性质。纳米和纳牛顿量级的压头位移与作用力 ,使得测试始终在大多数材料 ,特别是薄膜材料的弹性限度内 ,克服了维氏法、努氏法等传统方法引起压痕边缘模糊或者碎裂的缺点 ,保证了测试的正确性、可靠性和重复性。应用纳米压痕法成功地对具有脆性的类金刚石薄膜的硬度及弹性模量进行了测试和分析。
- 严学俭I. Hermann
- 关键词：纳米压痕法机械性质类金刚石薄膜力学性质
- 方块电阻法原位表征Cu薄膜氧化反应动力学规律被引量：7
- 2007年
- 提出并建立了一种基于方块电阻测量的原位表征Cu薄膜氧化反应动力学规律的方法.利用Cu薄膜方块电阻随氧化时间的变化情况,得到氧化产物厚度与氧化时间的关系,反应动力学表征结果符合抛物线规律.还利用不同的氧化反应温度条件和对应的抛物线常数之间的关系得到体系的扩散激活能.结果表明,提出的表征方法适用于Cu薄膜氧化反应体系.
- 罗宇峰钟澄张莉严学俭李劲蒋益明
- 关键词：动力学
- 用于HREM分析的位错结构模型
- ＜正＞本文推荐建立一种用于高分辨电子显微术 （HREM）分析的位错结构模型,希望对该问题的解决有所帮助。 1 位错结构模型制作的原理位错是线缺陷。它最基本的特征,除位错线的位置、走向外,就是其柏格斯矢量。当位错线取向平行...
- 陈一胡岗郑国祥严学俭吴晓京
- 关键词：电子显微术线缺陷
- 文献传递
- 纳米晶粒Ag-TCNQ络合物薄膜的制备及电双稳特性被引量：20
- 2001年
- 以物理气相沉积方法将TCNQ和Ag制备的金属有机络合物薄膜 ,在一定的工艺条件下可做到构成薄膜的晶粒直径为 40nm左右 ,粗糙度也为纳米量级。同时在大气及室温条件下 ,在STM电场的作用下薄膜可从高阻态转换为低阻态 ,作用点的直径约为 70nm。
- 叶钢锋严学俭潘钢张群章壮健华中一
- 关键词：银TCNQ纳米晶粒物理气相沉积
- STM脉冲电压极性对材料微细加工影响的研究被引量：1
- 2006年
- 利用扫描隧道显微镜(STM)可对不同材料表面进行纳米级微细加工。在选取高定向裂解石墨(HOPG)和有机电双稳材料Ag-TCNQ分别进行直接刻蚀和电学改性的研究中,发现STM脉冲电压极性对实验结果有影响。本文为此构建了物理模型,分析表明在不同极性的脉冲电压下,分别主要呈现电场效应或电子轰击效应。需要针对具体材料的具体加工要求,选择STM相应的脉冲电压极性。
- 曾志刚严学俭邱伟民沈淼张莉朱国栋华中一
- 关键词：STM脉冲电压
- 纳米铜薄膜氧化反应动力学规律研究被引量：9
- 2007年
- 研究了140℃下纳米尺度Cu薄膜的氧化行为.采用真空蒸发法以不同沉积速率制备一系列Cu薄膜,利用原子力显微镜(AFM)观察其微观形貌,选取形貌良好的Cu薄膜样品.采用方块电阻和透射光谱两种方法为表征手段,测量16～22nm范围内不同厚度Cu薄膜在140℃下完全氧化所需要的时间,得到了Cu薄膜氧化反应的动力学曲线,并利用X射线衍射(XRD)分析了氧化产物的晶相结构和成分.结果表明,纳米尺度下Cu薄膜在140℃下氧化反应的动力学表征结果满足特殊的反对数生长规律,反应产物为Cu2O.
- 罗宇峰钟澄张莉严学俭李劲蒋益明
- 关键词：铜薄膜方块电阻透射光谱
- TiC/i-C复合硬质薄膜的制备和摩擦学行为的研究(英文)
- 2001年
- 介绍一种 TiC/i－ C双层复合硬质薄膜，该复合膜由碳化钛（ TiC）膜层和 i－ C（离子辅助沉 积）无定形硬质碳膜组成。采用反应磁控溅射的方法沉积碳化钛（ TiC）膜层。随后在维持镀膜系 统真空度的情况下，利用等离子体分解结合高能离子轰击的方法不间断地连续制备 i－ C类金刚 石薄膜。 TiC膜层对金属基片和表面 i－ C膜层都有良好的附着与结合强度， 因此被用作中间过 渡层，而表面 i－ C膜层则保持了 DLC薄膜硬度高和摩擦系数小等优良的性能。对 TiC/i－ C复 合膜的机械性能和摩擦学行为的测试显示该复合膜具有非常高的显微硬度及优良的摩擦学特性， 诸如很高的抗附着磨损、磨耗磨损、划痕磨损的性能及很低的摩擦系数。与 TiC单层膜与 DLC单 层膜比较，显示该 TiC/i－ C复合膜更能适合实际应用的需要，在国民经济中将有广阔的应用前景。
- 严学俭
- 关键词：复合膜摩擦学行为硬质膜碳化钛离子辅助沉积
- 沉积速率及相关工艺条件对直流反应磁控溅射制备TiO_2薄膜性质的影响被引量：27
- 2000年
- 在玻璃基板上用直流反应磁控溅射钛靶的方法制备TiO2 薄膜。在溅射总气压为 0 4Pa ,氧氩比分别为 1∶9,1∶5及 1∶3 2的情况下 ,调节溅射功率使沉积速率由 0 99nm/min变化到 12 12nm/min ,而且当基板温度为 34 0℃时 ,薄膜在可见光范围内的平均折射率基本不变 ,为 2 48± 0 0 3,而薄膜的表面形貌却有明显变化。XRD表明 ,在pO2 /pAr为 1∶9的条件下 ,薄膜中出现了TiOx(x <2 )的晶粒 ,但这对薄膜的光学性质并无影响。另外对TiO2
- 张永熙沈杰杨锡良陈华仙陆明严学俭章壮健
- 关键词：二氧化钛薄膜反应磁控溅射光学薄膜
- 一种扫描探针显微镜三维校准用胶体球标样的制备方法
- 本发明属于扫描探针显微镜技术领域，具体为一种扫描探针显微镜三维校准用胶体球标样的制备方法。本发明采用改进的垂直沉积方法，将一片新鲜解离的云母基片垂直插入适当浓度的单分散胶体球溶液中，将垂直沉积系统置入恒温恒湿箱中，严格控...
- 朱国栋曾志刚严学俭
- 文献传递
- 一种无损的测定原子力显微镜探针形状参数的方法
- 本发明属于测量技术领域，具体为一种无损伤的测定原子力显微镜探针形态参数的方法。通过用待测探针分别扫描分散状聚苯乙烯微球和密排状聚苯乙烯微球，获取一定参数后，用扫描时探针和微球的几何关系所确定的方程式来计算即可求得待测探针...
- 朱国栋曾志刚严学俭
- 文献传递
