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代宇

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇石墨
  • 3篇石墨烯
  • 2篇电子束光刻
  • 2篇图形化
  • 2篇紫外光刻
  • 2篇微电子
  • 2篇微电子工艺
  • 2篇光刻
  • 2篇辐照损伤
  • 1篇探测器
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米线
  • 1篇晶体管
  • 1篇光电
  • 1篇光电探测
  • 1篇光电探测器
  • 1篇反相器
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体纳米线
  • 1篇场效应

机构

  • 3篇北京大学

作者

  • 3篇代宇
  • 2篇秦国刚
  • 2篇戴伦
  • 2篇叶堉

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2011
  • 1篇2010
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种图形化石墨烯的制备方法
本发明公开了一种图形化石墨烯的制备方法，该方法通过紫外光刻或电子束光刻等微电子工艺在器件衬底上图形化光刻胶，在需要石墨烯的地方开出窗口。通过石墨烯转移方法，将大面积石墨烯转移到图形化的光刻胶上，通过丙酮浸泡的方法将光刻胶...
叶堉戴伦代宇秦国刚
半导体纳米线(带)、石墨烯及其相关器件研究
一维纳米半导体和石墨烯具有广阔的应用前景，是近年来科学研究的热点。本文通过实验与相关的理论分析，研究了若干化合物半导体纳米线（带）（主要包括Zn3P2纳米线、CdS和CdSe纳米线（带））和石墨烯材料的化学气相沉淀法(C...
代宇
关键词：纳米线石墨烯场效应晶体管反相器光电探测器
一种图形化石墨烯的制备方法
本发明公开了一种图形化石墨烯的制备方法，该方法通过紫外光刻或电子束光刻等微电子工艺在器件衬底上图形化光刻胶，在需要石墨烯的地方开出窗口。通过石墨烯转移方法，将大面积石墨烯转移到图形化的光刻胶上，通过丙酮浸泡的方法将光刻胶...
叶堉戴伦代宇秦国刚
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