任谦
- 作品数：3 被引量：12H指数：1
- 供职机构：北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- MOCVD生长InGaN/GaN MQW紫光LED被引量：10
- 2003年
- 利用LP MOCVD系统生长了InGaN/GaNMQW紫光LED外延片 ,双晶X射线衍射测试获得了 2级卫星峰 ,室温光致发光谱的峰值波长为 399 5nm ,FWHM为 15 5nm ,波长均匀性良好。制成的LED管芯 ,正向电流2 0mA时 ,工作电压在 4V以下。
- 李忠辉杨志坚于彤军胡晓东杨华陆曙任谦金春来章蓓张国义
- 关键词：INGANMOCVD
- 对GaN薄膜不同腐蚀方法的腐蚀坑的研究(英文)被引量：1
- 2004年
- 用 Thom as Swan公司的 MOCVD系统在蓝宝石 (0 0 0 1)面上生长了高质量的 Ga N薄膜 .采用多种化学腐蚀方法 ,如熔融 KOH ,H3PO4 与 H2 SO4 混合酸和 HCl气相腐蚀法 ,利用 SEM及 TEM技术对 Ga N薄膜中的位错进行了研究 .SEM显示在 Ga N薄膜相同位置处 ,不同腐蚀法所得的腐蚀坑的形态和密度有明显差别 .结果表明 HCl气相腐蚀可以显示纯螺位错、纯刃位错和混合位错 ;H3PO4 与 H2 SO4 混合酸腐蚀可以显示纯螺位错和混合位错 ;而熔融
- 陆敏常昕方慧智杨志坚杨华黎子兰任谦张国义章蓓
- 关键词：氮化镓
- 侧向外延法生长的高质量GaN及其外延缺陷的观察(英文)被引量：1
- 2005年
- 在有条状SiO2 图形的GaN“模板”上,侧向外延方法生长了高质量的GaN。荧光显微镜的结果表明在SiO2 掩膜区有成核过程发生。原因可能是SiO2 的质量不高,为GaN的生长提供了一些成核中心。在GaN层的厚度达到 4. 5μm后,侧向的融合开始发生。侧向生长的速度与垂直生长速度几乎相同。在所有的SiO2 掩膜上方都形成了空洞。样品在 240℃熔融的KOH中腐蚀 13min。在SiO2 掩膜区生长的GaN,其腐蚀坑密度(相当于穿透位错密度 )减少到几乎为零。而在窗口区生长的GaN,腐蚀坑密度仍然很高,达到 108 cm-2量级。同时,我们发现具有不同窗口尺寸的样品在SiO2掩膜区上侧向生长的GaN的晶体质量基本相同,与窗口区的宽度几乎无关。室温光荧光结果表明侧向外延法生长的GaN中的晶格失配应力已被部分释放。
- 杨志坚胡晓东章蓓陆敏陆羽潘尧波张振声任谦徐军李忠辉陈志忠秦志新于彤军童玉珍张国义
- 关键词：氮化镓金属有机化学气相沉积
