侯思普
- 作品数：4 被引量：41H指数：3
- 供职机构：华中科技大学物理学院物理系更多>>
- 发文基金：湖北省自然科学基金国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信理学更多>>
- 脉冲激光制膜过程中等离子体演化规律的研究被引量：10
- 2003年
- 利用有限差分法对脉冲激光沉积 (PLD)技术制备KTa0 6 5Nb0 35O3(KTN)薄膜过程中等离子体在等温和绝热两个阶段的速度演化进行了模拟 ,并给出了其中主要粒子在空间的具体演化规律 ,对等离子体在空间膨胀的物理机制 ,进行了深入的讨论 ,给出了相应演化过程的物理图像 ,并揭示了等离子体羽辉在膨胀过程中呈现椭球外形的内在原因 .
- 张端明关丽李智华钟志成侯思普杨凤霞郑克玉
- 关键词：脉冲激光沉积等离子体有限差分
- 靶材吸收率变化与烧蚀过程熔融前靶材温度分布被引量：13
- 2005年
- 讨论了脉冲激光沉积法中烧蚀阶段熔融前靶材吸收率的变化对于其温度分布的影响 .给出了靶材吸收率随时间的变化规律 ,并在此基础上 ,利用较为符合实际的高斯分布表示脉冲激光输入能量密度 ,建立了相应的热传导方程 .结合适当的边界条件 ,利用有限差分法 ,以硅靶材和钨靶材为例 ,给出了靶材熔融前温度分布随时间和深度变化的演化分布规律 ,同时对相关过程的物理图像进行详细的讨论 .对于吸收率的变化与脉冲激光能量密度的分布对于相应过程的影响 ,进行了分析讨论 .结果表明 ,在脉冲激光中间的持续过程中 ,忽略靶材吸收率的变化对于最终的模拟结果有重要影响 ,从而导致理论结果与实验数据有较大差异 .
- 张端明李莉李智华关丽侯思普谭新玉
- 关键词：硅靶脉冲激光沉积法热传导方程熔融靶材吸收率
- PLD中等离子体屏蔽效应与烧蚀机理的研究
- 脉冲激光沉积技术(Pulsed Laser Deposition简称PLD)是近年来发展起来的使用范围最广、最有希望的一项制膜技术,它自20世纪60年代世界上出现了第一台红宝石激光器起开始萌芽,一直比较缓慢地发展.直到1...
- 侯思普
- 文献传递
- 脉冲激光制备薄膜材料的烧蚀机理被引量：18
- 2004年
- 研究了脉冲激光烧蚀靶材的整个过程 .从包含热源项的导热方程出发 ,利用适当的动态边界条件 ,详细研究了靶材在熔融前后的温度分布规律 ,并且给出了熔融后的固、液分界面的变化规律 .熔融后的温度演化规律和固液相界面均以解析表达式的形式给出 .还根据能量平衡原理给出烧蚀面位置随时间的变化规律 .以硅靶材为例计算模拟了激光烧蚀的整个过程 ,与实验结果符合较好 .
- 张端明侯思普关丽钟志成李智华杨凤霞郑克玉
- 关键词：脉冲激光沉积薄膜生长熔融
