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文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 2篇化学工程
  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 3篇溶胶
  • 3篇PZT
  • 2篇溶胶-凝胶法
  • 2篇陶瓷
  • 2篇PZT薄膜
  • 1篇压电
  • 1篇压电陶瓷
  • 1篇溶胶-凝胶法...
  • 1篇溶胶凝胶
  • 1篇溶胶凝胶法
  • 1篇湿化学
  • 1篇湿化学法
  • 1篇陶瓷粉
  • 1篇陶瓷粉料
  • 1篇铁电
  • 1篇铁电薄膜
  • 1篇凝胶法制备
  • 1篇疲劳性
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米晶

机构

  • 4篇哈尔滨工业大...

作者

  • 4篇张洪喜
  • 4篇刘大格
  • 3篇赵连城
  • 2篇王中
  • 2篇蔡伟
  • 1篇徐崇泉

传媒

  • 2篇硅酸盐学报
  • 2篇压电与声光

年份

  • 1篇1999
  • 2篇1998
  • 1篇1995
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
湿化学法合成PZT微粉的工艺研究被引量:5
1995年
通过湿化学法合成PZT陶瓷微粉可实现粉料的高纯、超细、粒度均匀及化学成分的精确控制。综述了湿化学法制备PZT陶瓷粉料的常用方法及其基本原理和生产工艺条件,并对溶胶-凝胶法、共沉淀-煅烧法和水热法制备PZT微粉的优越性及不足进行了评价。
张洪喜刘大格徐崇泉
关键词:PZT陶瓷粉料溶胶-凝胶法共沉淀湿化学法
溶胶-凝胶法制备PZT薄膜晶化过程的跟踪监测被引量:10
1999年
用溶胶-凝胶技术制备了组成在准同型相界点[m(Zr)/m(Ti)=52/48]附近的钙钛矿相PZT薄膜,并运用原子力显微分析与椭偏法测试相结合的方法跟踪了薄膜的烧结过程.结果表明:钙钛矿相PZT[m(Zr)/m(Ti)=52/48]薄膜晶化发生于约550℃,并伴随着薄膜表面的粗糙化;镀铂硅基片表面粗糙度对PZT薄膜的晶化有很大影响.根据AFM,XRD测试结果,分析了不同热处理条件对PZT薄膜微结构及漏电流特性的影响,提出合适的热处理条件.
刘大格张洪喜王中赵连城
关键词:溶胶-凝胶法PZT薄膜陶瓷
以硝酸氧锆为锆源溶胶-凝胶合成PZT纳米晶的研究被引量:25
1998年
以硝酸氧锆、钛酸四丁酯、醋酸铅为原料,乙二醇为溶剂,用改进的溶胶-凝胶技术,通过优化工艺条件制备了组成在准同型相界点附近的钙钛矿相球形颗粒状PZT纳米晶(Zr/Ti=52/48),实验中发现前驱物间的聚合反应使硝酸氧锆能很好地溶于乙二醇.通过溶胶的红外光谱分析给出了溶胶、凝胶形成的机理.通过X射线衍射分析,热重及差热分析,透射电镜显微分析对从凝胶到PZT纳米晶的形成过程及粉体性能进行了表征.实验证明:在415℃PZT开始结晶,450℃恒温2h粉末粒径约为50nm.
刘大格蔡伟张洪喜吴湘伟赵连城
关键词:溶胶凝胶法钙钛矿相压电陶瓷
Sol-Gel法制备PZT薄膜及其抗疲劳性能研究进展被引量:10
1998年
综述了Sol-Gel法制备PZT系列铁电薄膜各种因素对薄膜微结构及性能的影响,分析了铁电薄膜极化疲劳微观机制,提出了优化的工艺条件及极化疲劳改善方法。
刘大格张洪喜王中蔡伟赵连城
关键词:PZT铁电薄膜SOL-GEL法
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