公共文化服务平台

刘媛媛: 作品数：61 被引量：103H指数：6; 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目中国政法大学青年教师学术创新团队项目更多>>; 相关领域：电子电信理学农业科学文化科学更多>>

合作作者

具有角度调节功能的样品托: 一种具有角度调节功能的样品托，包括：一基台，在圆心的直径方向有一条V形固定槽；一角度调节杆，为矩形结构，与角度调节杆纵向垂直的该角度调节杆下面有一条三角凸起，该三角凸起与基台上的V形固定槽配合；一弹簧，其一端位于基台上的...; 刘媛媛杨富华; 文献传递

一种二极管激光泵浦头: 本发明涉及光电子技术领域，公开了一种二极管激光泵浦头，包括：采用侧面光泵浦形式将半导体激光器列阵器件发出的光均匀地照射在激光晶体上的一多边形密闭型泵浦腔；位于所述多边形密闭型泵浦腔内部的一激光晶体；用于给二极管激光泵浦头...; 刘媛媛方高瞻李伟马骁宇; 文献传递

采用光陷阱超小发散角高功率半导体激光器外延材料结构: 一种采用光陷阱超小发散角高功率半导体激光器外延材料结构，包括：一衬底，用于在其上进行激光器各层材料外延生长；一缓冲层，制作在GaAs衬底上；一N型下限制层，制作在缓冲层上；一下渐变光陷阱层，制作在N型下限制层上；一上渐变...; 王俊白一鸣崇锋熊聪仲莉韩淋王翠鸾冯小明刘媛媛刘素平马骁宇

60%电光效率高功率激光二极管阵列被引量：5: 2008年; 设计并制备了980 nm高量子效率和极低光损耗的激光二极管(LD)外延材料和器件。微通道封装1 cm激光二极管阵列在连续(CW)工作条件下最大电光效率达到60.0%,相应的斜率效率和输出光功率分别为1.1 W/A和38.2 W。测试得到外延材料的内损耗系数和内量子效率分别为0.58 cm-1和91.6%。测试分析表明,器件电光效率的提高主要在于新型的InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱和大光腔结构设计。; 王俊白一鸣崇锋刘媛媛冯小明王勇刚张广泽刘素平马骁宇; 关键词：半导体激光器电光效率大光腔

高功率连续运转二极管列阵激光器: 2014年; 针对InGaAs/GaAsP/AlGaAs应变补偿量子阱非对称宽波导结构进行了实验研究。利用不同腔长,100μm发光区,500μm周期的管芯测量了外延片的内量子效率和内损耗,其分别为83.81%和0.698 2 cm-1;采用C-mount标准封装,腔长为1.5 mm的单管测量了阈值电流和微分量子效率的特征温度,其分别为299和1 278 K;采用填充因子为74%,高纯度In焊料烧结,标准热沉封装制备了列阵激光器,比较了三种不同腔长的器件的P-I特性。最终确定腔长为1.5 mm,当工作电流为230 A时,二极管列阵激光器最大连续输出功率为204 W,电光转换效率为52%。; 徐小红刘媛媛王晓薇马骁宇; 关键词：内量子效率列阵激光器

用于泵浦固体激光器的大功率激光二极管列阵泵浦腔: 本发明一种用于泵浦固体激光器的大功率激光二极管列阵泵浦腔，其特征在于，其中包括：一热沉，该热沉为一矩形体，在热沉的中间开有一通孔；一绝缘圈置于热沉的通孔内；多个激光二极管列阵条与多个弧形电极围成一圈安装于绝缘圈的内表面，...; 方高瞻肖建伟马骁宇王晓薇冯小明刘斌刘媛媛; 文献传递

非对称波导结构提高980nm激光二极管电光效率的机理研究被引量：3: 2010年; 采用高电流注入条件下的载流子扩散方程和复折射率波导模型情况下的亥姆霍兹方程,对980nm高功率激光二极管外延材料的非对称和对称波导结构的光吸收损耗进行了理论计算。采用低压金属有机化学气相外延技术制备了两种波导结构的外延材料,并制作了激光器件,进行了光电特性测试和对比分析。理论计算和实验结果表明:与对称波导结构相比,非对称波导结构外延材料并未减小光吸收损耗,而是减小了串联电阻,因而降低了器件的焦耳热损耗,从而提高器件的电光效率。; 王俊白一鸣刘媛媛崇锋熊聪王翠鸾冯小明仲莉刘素平马骁宇; 关键词：激光二极管电光效率光损耗

腔面非注入区技术在808 nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵中的应用被引量：2: 2013年; 在808nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵的前后腔面两端约25\mm长的区域进行氦离子注入,使p型GaAs获得高的电阻率,形成腔面电流非注入区,以此来提高腔面灾变性损伤(COD)阈值。常规条宽100\mm,含有19个发光单元的1cm列阵激光器的COD阈值功率为30W,而带有腔面非注入区的器件的最大输出功率达到了42.7W,没有发生失效。; 刘斌刘媛媛; 关键词：GAAS ALGAAS 激光二极管列阵

大功率半导体列阵激光器的偏振复用技术研究被引量：5: 2008年; 根据大功率半导体激光器输出光束的偏振特性,基于偏振复用的原理,分别利用双折射晶体和偏振合束晶体对两只大功率半导体线列阵激光器进行了偏振合束研究。依据理论计算结果,生长了双折射晶体YVO4,并进行了特殊的光路系统设计,最终实现了偏振复用,功率效率达到66%;利用偏振合束,晶体功率效率为85%。最后,从各方面比较了两种方法的优缺点。; 韩淋刘媛媛王翠鸾冯小明王晓薇刘素平马骁宇; 关键词：激光技术双折射晶体

High Power 808nm AlGaAs/GaAs Quantum Well Laser Diodes with Broad Waveguide被引量：4: 2002年; The 808nm laser diodes with a broad waveguide are designed and fabricated.The thickness of the Al_ 0.35 - Ga_ 0.65 As waveguide is increased to 0.9μm.In order to suppress the super modes,the thickness of the Al_ 0.55 Ga_ 0.45 As cladding layers is reduced to only 0.7μm while keeping the transverse radiation losses of the fundamental mode below 0.2cm -1 .The structures are grown by metal organic chemical vapour deposition.The devices show excellent performances.The maximum output power of 10.2W in the 100μm broad-area laser diodes is obtained.; 方高瞻肖建伟马骁宇冯小明王晓薇刘媛媛刘斌谭满清蓝永生; 关键词：WAVEGUIDE