刘扬
- 作品数：156 被引量：42H指数：3
- 供职机构：中山大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划广东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程文化科学历史地理更多>>
- 一种纵向导通的GaN常关型MISFET器件及其制作方法
- 本发明涉及一种纵向导通的GaN常关型MISFET器件及其制作方法，外延层包括一次外延生长的n型轻掺杂GaN层和其上的选择区域生长的二次外延层，所述二次外延层自下至上为第一杂质过滤层、电子阻挡层、第二杂质过滤层、非掺杂外延...
- 刘扬何亮杨帆姚尧倪毅强
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- Si衬底垂直导通AlN/GaN DBR结构GaN基LED
- 目前,Si衬底GaN基LED已经得到了广泛的研究,其性能也得到了很大的提高,但是要实现量产还面临着不小的困难.这主要是因为GaN受到Si衬底的张应力导致龟裂以及Si衬底对光的吸收作用.因此,为了提高Si衬底LED的发光效...
- 杨亿斌林秀其吴志盛刘扬张佰君林艳向鹏柳铭岗陈伟杰韩小标胡钢伟胡国亨臧文杰
- 一种高质量MIS结构的AlNGaN基场效应晶体管
- 本实用新型涉及半导体器件领域，公开了一种高质量MIS栅结构的GaN MISFET。具体涉及MIS界面的改进，该器件包括衬底及生长在衬底上的外延层以及栅介质层、源极、漏极、栅极。所述外延层包括一次外延生长的应力缓冲层和Ga...
- 刘扬王文静何亮
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- 一种纵向结构氮化镓功率晶体管的制备方法
- 本发明属于半导体技术领域，更具体地，涉及一种纵向结构氮化镓功率晶体管的制备方法。通过选择区域外延，同时形成深槽p阱屏蔽层和凹槽结构，能够有效降低栅氧化层电场，避免了高氧化层电场带来的器件可靠性问题，同时避免了干法刻蚀带来...
- 刘扬黎城朗
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- 一种结势垒肖特基功率器件
- 本实用新型属于半导体器件技术领域，更具体地，涉及一种结势垒肖特基功率器件。器件由下至上依次包括：覆盖衬底的欧姆电极‑二极管阴极、衬底、n型低载流子浓度区域‑器件漂移区、在漂移区中交错排列的p型区域、在n型漂移区与p型区域...
- 刘扬张琦
- 一种新型GaN基凹槽栅MISFET器件
- 本实用新型提供一种半导体器件制备技术，具体涉及一种新型GaN基凹槽栅MISFET器件，由下往上依次包括衬底，应力缓冲层，GaN外延层，AlGaN势垒层，反应刻蚀形成凹槽，在位生长AlN薄层，栅极绝缘介质层，两端形成源极和...
- 刘扬李柳暗
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- 一种新型垂直结构的Si基GaN绿光LED
- 2008年
- 为了改善Si基LED的电流扩展问题以及降低其工作电压,阐述了一种工艺简单新型垂直结构的Si基GaN绿光LED(V-LED)。利用ICP在芯片上刻蚀出通孔结构露出n-GaN层和Si衬底层,在通孔上的n-GaN层和Si衬底层蒸镀金属,将n-GaN层和Si衬底层直接导通,形成第一n电极,在减薄的Si衬底背面蒸镀背电极用于形成第二n电极。并且通过改变探针的测试位置,在同一芯片上进行了V-LED与横向导电的LED结构(L-LED)的比较,V-LED展现出了良好的性能,其串联电阻相对降低了10%,在大电流注入的情况下,相对光输出强度也有了提高。
- 卫静婷张佰君刘扬范冰丰招瑜罗睿宏冼钰伦王钢
- 关键词：硅衬底通孔电流扩展绿光LED
- 一种GaN基异质结肖特基二极管器件
- 本实用新型涉及一种GaN基异质结肖特基二极管器件。该器件包括衬底及生长在衬底之上的外延层，其中，外延层由下往上包括应力缓冲层、GaN层以及异质结构势垒层。在外延层阳极区域刻蚀形成凹槽，凹槽与异质结构势垒层的部分表面蒸镀低...
- 刘扬钟健姚尧
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- 一种提高N极性面GaN欧姆接触热稳定性及可靠性的结构及其方法
- 本发明为一种提高N极性面GaN欧姆接触性能的结构，所述结构包括GaN材料，覆盖于所述GaN材料的N极性面GaN的外延层(1)的TiN薄层(2)，以及覆盖于所述TiN薄层(2)的金属叠层(3)。本发明的有益效果在于，TiN...
- 刘扬丘秋凌李柳暗
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- 一种三族氮化物肖特基势垒二极管的生长及制备方法
- 本发明公开了一种厚膜、低缺陷密度、高耐压的三族氮化物肖特基势垒二极管（SBD）的制备方法，该三族氮化物SBD利用了选择区域外延生长的方法，其结构由下到上依次包括：底层衬底，带有选择区域生长窗口的介质层，以及利用选择性外延...
- 张佰君陈杰刘扬
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