您的位置: 专家智库 > >

刘施峰

作品数:32 被引量:67H指数:4
供职机构:重庆大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家科技重大专项重庆市自然科学基金更多>>
相关领域:金属学及工艺一般工业技术理学化学工程更多>>

文献类型

  • 17篇期刊文章
  • 13篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 23篇金属学及工艺
  • 15篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇化学工程

主题

  • 10篇钽板
  • 9篇退火
  • 8篇织构
  • 7篇溅射
  • 7篇溅射靶材
  • 7篇靶材
  • 6篇再结晶
  • 6篇纳米
  • 6篇
  • 5篇电子背散射衍...
  • 5篇阳极
  • 5篇阳极氧化
  • 5篇纳米管
  • 5篇晶粒
  • 4篇合金
  • 4篇EBSD
  • 4篇材用
  • 4篇储存能
  • 3篇异步轧制
  • 3篇再结晶行为

机构

  • 29篇重庆大学
  • 3篇中南大学
  • 1篇北京航空航天...
  • 1篇贵州电网有限...
  • 1篇贵州电网有限...
  • 1篇贵州电网有限...
  • 1篇贵州电网有限...
  • 1篇贵州电网有限...

作者

  • 32篇刘施峰
  • 16篇邓超
  • 11篇刘庆
  • 8篇姚力军
  • 8篇邓超
  • 7篇王学泽
  • 4篇张志清
  • 4篇张静
  • 4篇杨帅
  • 3篇洪睿
  • 2篇郭明星
  • 2篇汪明朴
  • 2篇李周
  • 2篇范海洋
  • 1篇王学军
  • 1篇方善峰
  • 1篇陈珊
  • 1篇张玉
  • 1篇程建奕
  • 1篇郝晓博

传媒

  • 7篇电子显微学报
  • 4篇材料导报
  • 2篇稀有金属材料...
  • 1篇金属学报
  • 1篇矿冶工程
  • 1篇中国有色金属...
  • 1篇精密成形工程

年份

  • 2篇2023
  • 2篇2022
  • 5篇2021
  • 2篇2020
  • 3篇2019
  • 6篇2018
  • 3篇2017
  • 2篇2016
  • 2篇2014
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 2篇2005
  • 1篇2004
32 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种高纯钽溅射靶材的加工工艺
张志清张静刘施峰刘庆姚力军王学军
本发明公开了一种高纯钽溅射靶材的加工工艺,将锻造开坯后的钽溅射靶材圆坯进行轧制处理,其特征在于,在轧制过程中每轧制一道次将轧制方向旋转135°后进行轧制,且道次压下量的弧厚比控制在2~3。总轧制道次需与弧厚比及总的形变量...
关键词:
一种用于电镜观察的微米级球形颗粒截面的制备方法
本发明公开了一种用于电镜观察的微米级球形颗粒截面的制备方法,包括如下步骤:(1)将导电胶带粘贴于导电金属基体上;(2)取微米级球形颗粒粉末平铺粘在导电胶带上,并吹走多余粉末;(3)将粘有粉末的导电金属基体置于离子束抛光机...
邓超文婷婷洪睿杨帅周仕远刘施峰
文献传递
Ta_2O_5纳米管的阳极氧化法可控性制备研究被引量:1
2018年
以高纯钽板为基底,采用电化学阳极氧化法在H2SO4/HF溶液中制备出排列整齐,开孔率高,管壁光滑的Ta_2O_5纳米管。本实验通过优化样品前期处理工艺(在样品表面形成一层自组织的多孔Ta_2O_5氧化膜模板),同时调控阳极氧化电压和时间,实现了纳米管管径和管长的可控性生长,提高了Ta_2O_5纳米管的形貌质量。结果表明经过电解抛光后再进行阳极氧化得到的纳米管表面没有氧化物残留,开孔率高并且管壁光滑。阳极氧化电压恒定时,管径随氧化时间的增加基本保持不变,管长呈直线增长趋势。阳极氧化电压对于Ta_2O_5纳米管的形成及其形貌具有重要影响。当氧化时间为30 s时,在低电压5 V下并不会形成纳米管,在15 V和25 V条件下在钽基板上生成Ta_2O_5纳米管,其平均管径分别为45 nm和55 nm,纳米管的平均长度分别为1.46μm和4.03μm。XRD结果表明钽金属表面生成的一层纳米管薄膜为无定形态Ta_2O_5,并以罗丹明B为目标降解物,考察了Ta_2O_5纳米管薄膜的光催化活性,结果显示模拟太阳光下光照2 h后Ta_2O_5纳米管催化剂对罗丹明B染料的降解率为93%。
李利娟刘施峰林男邓超
关键词:阳极氧化
钽板退火过程中的储存能演变与再结晶行为被引量:1
2019年
对高纯钽板分别进行单向轧制和周向轧制,得到了87%变形量的样品。将单向轧制和周向轧制样品各分为两组。其中,一组样品随炉升温至800℃进行预回复处理,然后在1 300℃保温30 min进行再结晶退火处理;另一组则直接进行再结晶退火处理。应用X射线峰形分析(XLPA)定量计算两种轧制方式下钽板的宏观储存能,结合电子背散射衍射(EBSD)和透射电子显微镜(TEM)技术表征其预回复及再结晶微观组织,同时半定量地评估不同取向晶粒预回复后的微观储存能。结果表明:87%周向轧制钽板经过800℃预回复处理后,{111}([111]//ND,ND为板法向)与{100}([100]//ND)取向晶粒内部的储存能差别明显减小,后续再结晶晶粒更为均匀细小且基本呈等轴状。这主要是由于低温预回复处理使得亚晶形核机制成为钽再结晶形核的主导机制,同时基体内储存能的释放极大降低了后续再结晶驱动力及晶粒长大速率。
祝佳林邓超柳亚辉刘施峰张玉
关键词:储存能再结晶
交叉轧制周期对高纯Ta板变形及再结晶梯度的影响被引量:3
2019年
采用新的轧制工艺即135°交叉轧制,获得1周期和2周期Ta板。结合XRD、EBSD、显微硬度及TEM等技术,系统研究了1和2周期Ta板不同厚度层晶粒的变形及再结晶行为。结果表明,2周期Ta板沿厚度方向形成了均匀的θ-fiber和γ-fiber混合型织构。此外,2周期Ta板不同厚度层中{111}与{100}晶粒内的储存能分布也更为均匀。通过EBSD和TEM对变形Ta板的微结构进行表征发现,1周期中心层{111}晶粒内出现了许多相互平行的微带及微剪切带,而2周期表面与中心层晶粒发生相对均匀的变形且亚组织呈胞块状。这主要是因为交叉轧制周期的增加显著地提高了位错交互、湮灭和重排的几率,有利于改善晶粒内部组织的均匀性。因此,2周期Ta板退火时表面和中心层再结晶动力学基本保持一致。
祝佳林刘施峰曹宇柳亚辉邓超邓超
关键词:储存能再结晶
一种靶材用高纯钽板的热处理方法
本发明公开一种靶材用高纯钽板的热处理方法,将钽板靶坯进行塑性变形后,将其于800℃~900℃条件下恒温热处理60min~90min,取出进行第一次淬火;再于1200℃~1300℃条件下恒温热处理60min~90min,取...
刘施峰柳亚辉邓超刘庆姚力军王学泽
文献传递
一种获得均匀组织和织构的溅射靶材用钽板轧制方法
本发明公开一种获得均匀组织和织构的溅射靶材用钽板轧制方法,按以下步骤进行:对钽板采用多道次异步轧制,每道次完成后,将钽板相对于其进给方向水平旋转90°,并将钽板的两个轧制面互换,整个轧制过程中钽板的水平旋转方向一致。通过...
刘施峰林男柳亚辉刘庆姚力军王学泽
文献传递
高纯钽板中晶粒生长的取向相关性研究被引量:2
2016年
钽溅射靶材主要用于集成电路中导线的扩散阻挡层,其溅射性能受微观组织影响较大。本文采用电子背散射衍射(EBSD)技术,结合Extend Cahn-Hagel模型对周向轧制钽板的再结晶行为进行分析。并侧重于钽板再结晶初、中期与取向相关的晶粒生长速率的研究。结果表明,{111}〈uvw〉(〈111〉//ND)晶粒具有生长优势,初始阶段生长速率约为同期{001}〈uvw〉(〈100〉//ND)晶粒的1.6倍。
柳亚辉刘施峰范海洋刘庆
关键词:形核机制EXTEND
一种五氧化二钽纳米管阵列薄膜的制备方法
本发明公开了一种五氧化二钽纳米管阵列薄膜的制备方法,所述制备方法为恒流阳极氧化方法,电解液组成为氟化铵(NH<Sub>4</Sub>F)、硫酸(H<Sub>2</Sub>SO<Sub>4</Sub>)、水(H<Sub>2...
邓超谭浩䶮张玮辰沈泉风文婷婷刘施峰
高纯钽板异步轧制及后续退火过程中微观组织及织构演变研究被引量:3
2018年
采用1.2的轧速比对高纯钽板材进行异步轧制,获得了变形量分别为60%、70%和80%的异步轧制钽样品。采用电子背散射衍射(EBSD)对样品进行显微组织分析,研究了异步轧制过程中高纯钽板沿整个板厚方向的微观组织及织构演变规律。结果表明:变形量为60%时,钽板近表面区域的晶粒主要为{100}(〈100〉//ND,ND为板法向)和{110}(〈110〉//ND)取向,而中心区域的晶粒主要为{111}(〈111〉//ND)取向。随着变形量的增大,轧制变形组织逐渐变得均匀,同时沿板厚方向的织构分布也愈发均匀。当变形量为80%时,形成了γ织构(〈111〉//ND)与θ织构(〈100〉//ND)交替、均匀分布的现象。这种特殊的织构变化与异步轧制过程中沿厚度方向引入的剪切变形有关。对上述不同变形量的异步轧制高纯钽板的退火微观组织的对比研究发现,80%变形量样品表现出更为细小均匀的再结晶组织。80%变形量的样品经1 200℃退火30 min后,获得了平均晶粒尺寸为53.4μm的再结晶组织,同时{111}取向的晶粒与{100}取向的晶粒均匀分布。
林男刘施峰柳亚辉范海洋祝佳林邓超
关键词:异步轧制退火电子背散射衍射技术
共4页<1234>
聚类工具0