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刘明

作品数:1,354 被引量:401H指数:11
供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 1,132篇专利
  • 160篇期刊文章
  • 38篇会议论文
  • 16篇学位论文
  • 7篇科技成果

领域

  • 233篇电子电信
  • 162篇自动化与计算...
  • 31篇理学
  • 23篇一般工业技术
  • 16篇机械工程
  • 15篇文化科学
  • 9篇电气工程
  • 7篇经济管理
  • 7篇医药卫生
  • 6篇建筑科学
  • 6篇交通运输工程
  • 4篇化学工程
  • 4篇金属学及工艺
  • 4篇环境科学与工...
  • 2篇轻工技术与工...
  • 2篇航空宇航科学...
  • 2篇农业科学
  • 1篇矿业工程
  • 1篇动力工程及工...

主题

  • 371篇存储器
  • 164篇纳米
  • 161篇光刻
  • 158篇电极
  • 149篇衬底
  • 143篇晶体管
  • 121篇半导体
  • 118篇电路
  • 89篇金属
  • 82篇刻蚀
  • 78篇微电子
  • 70篇电子束光刻
  • 69篇感器
  • 69篇传感
  • 69篇传感器
  • 63篇衍射
  • 61篇场效应
  • 60篇有机半导体
  • 56篇晶体
  • 54篇沟道

机构

  • 1,292篇中国科学院微...
  • 32篇中国科学院
  • 30篇北京航空航天...
  • 28篇南京大学
  • 9篇安徽大学
  • 9篇河北大学
  • 8篇中国科学院大...
  • 7篇北京大学
  • 7篇兰州大学
  • 5篇中国工程物理...
  • 4篇清华大学
  • 3篇北京工业大学
  • 3篇湘潭大学
  • 3篇西安电子科技...
  • 2篇西安理工大学
  • 2篇湛江师范学院
  • 1篇长春理工大学
  • 1篇河海大学
  • 1篇大连理工大学
  • 1篇北京联合大学

作者

  • 1,353篇刘明
  • 379篇谢常青
  • 319篇龙世兵
  • 225篇刘琦
  • 212篇吕杭炳
  • 157篇李泠
  • 141篇李冬梅
  • 130篇陈宝钦
  • 127篇霍宗亮
  • 114篇卢年端
  • 110篇朱效立
  • 109篇刘璟
  • 108篇商立伟
  • 105篇牛洁斌
  • 102篇王琴
  • 71篇罗庆
  • 66篇张满红
  • 65篇涂德钰
  • 64篇贾锐
  • 60篇李海亮

传媒

  • 27篇Journa...
  • 17篇微纳电子技术
  • 12篇微细加工技术
  • 10篇微电子学
  • 9篇物理学报
  • 7篇固体电子学研...
  • 6篇物理
  • 5篇光电工程
  • 4篇半导体技术
  • 4篇科学通报
  • 4篇压电与声光
  • 4篇湘潭大学学报...
  • 4篇第十二届全国...
  • 3篇光学学报
  • 3篇微电子学与计...
  • 3篇电子器件
  • 3篇传感器与微系...
  • 2篇安徽农学通报
  • 2篇液晶与显示
  • 2篇功能材料与器...

年份

  • 13篇2024
  • 69篇2023
  • 56篇2022
  • 67篇2021
  • 85篇2020
  • 65篇2019
  • 39篇2018
  • 53篇2017
  • 44篇2016
  • 56篇2015
  • 76篇2014
  • 108篇2013
  • 153篇2012
  • 88篇2011
  • 89篇2010
  • 97篇2009
  • 42篇2008
  • 35篇2007
  • 26篇2006
  • 19篇2005
1,354 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种存储单元、三值内容寻址存储器以及电子设备
本发明提供一种存储单元、三值内容寻址存储器以及电子设备。存储单元包括:两个选通晶体管、两个放大晶体管以及两个阻变存储器;其中,第一阻变存储器的一端与第一选通晶体管的漏极相连,另一端与位线相连,第一选通晶体管的源极与源线相...
窦春萌王雪红钱其昌王琳方叶望刘琦刘璟刘明
文献传递
微纳光学结构制备技术及应用
<正>本文首先简要介绍了近年来国外微纳光学结构制备技术的一些重要进展。接着报道了我们所发展的基于电子束+X射线+接近式光学的混合光刻制作微纳光学结构技术。基于我们的微纳光学结构加工平台,建立了微纳光子学器件复杂图形微光刻...
谢常青朱效立牛洁斌李海亮刘明陈宝钦胡媛史丽娜
文献传递
65nm闪存芯片擦除时间退化的优化设计
2019年
随着制造工艺进入65 nm节点,闪存的可靠性问题也越来越突出,其中闪存芯片擦除速度随着擦写循环的增加出现明显退化。该文从单个存储器件的擦写退化特性入手,详细讨论了隧穿氧化层缺陷的产生原因、对器件性能的影响及其导致整个芯片擦除时间退化的内在机理,并提出针对性的优化方案:采用阶梯脉冲电压擦写方式减缓存储单元退化;对非选中区块进行字线浮空偏置以抑制擦除时的阵列干扰。该文基于65 nm NOR Flash工艺平台开发了128 Mb闪存芯片,并对该方案进行了验证,测试结果表明,采用优化设计方案的芯片经过10万次擦写后的Sector擦除时间为104.9 ms,较采用常规方案的芯片(大于200 ms)具有明显的提升。
刘璟谢元禄谢元禄霍长兴张坤张坤毕津顺
关键词:闪存氧化层陷阱可靠性
纳米孔结构、控制纳米孔大小的装置及方法
本公开提供一种纳米孔结构、控制纳米孔大小的装置及方法,该纳米孔结构,包括:介电薄膜材料,其上形成有纳米孔或纳米孔阵列;以及金属层,其形成于所述介电薄膜材料的正反表面;其中,所述介电薄膜材料和所述金属层上对应设置有通孔。本...
梁圣法张文昌项飞斌姚志宏李冬梅刘明谢常青
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提高非易失性电阻转变存储器均一性的方法
本发明公开了一种提高非易失性电阻转变存储器均一性的方法包括施加一个电流扫描信号到电阻转变存储器,直到该电阻表示电阻转变存储器的置位态;以及施加一个电流扫描信号到电阻转变存储器,直到该电阻表示电阻转变存储器的复位态。根据本...
刘明连文泰龙世兵吕杭炳刘琦
一种透射光栅
本发明提供了一种透射光栅,包括:不透光薄膜及N个透光对称多边形孔;其中,N个透光对称多边形孔在不透光薄膜上呈斜方格子分布,且斜方格子的周期与对称多边形孔的大小之间具有预设的比例;如此,因N个透光对称多边形孔在不透光薄膜上...
史丽娜刘子维浦探超李海亮牛洁斌谢常青刘明
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石墨烯晶体管的小信号模型的截止频率的计算方法
一种石墨烯晶体管的小信号模型的截止频率的计算方法,包括:在衬底上形成多个以石墨烯材料作为有源区的MOSFET,其中在各个有源区上形成源漏金属接触;测量各个MOSFET的截止频率;针对于原始的小信号模型和石墨烯有源区与源漏...
汪令飞王伟徐光伟李泠刘明卢年端
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现场可编程门阵列多版本配置的芯片及系统
本实用新型提供了一种FPGA多版本配置芯片,所述芯片为一个封装体,包括:至少一个存储单元,用于存储FPGA的配码数据文件;控制单元,与存储单元相连接,能够对存储单元进行读取、擦除、写入操作,包括:版本切换通信接口,用于控...
谢元禄刘明张坤呼红阳霍长兴刘璟毕津顺王艳卢年端
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一种表征有机半导体器件驰豫现象的方法
本发明公开了一种表征有机半导体器件驰豫现象的方法,包括:计算有机半导体器件中载流子的跃迁速率,并选择一种状态密度来表示载流子的分布状况;根据计算的有机半导体器件中载流子的跃迁速率和选择的状态密度,确定能量空间中没有被载流...
卢年端李泠刘明孙鹏霄
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一种结合压印技术制备各向异性有机场效应管的方法
本发明属于有机半导体学中的微细加工领域,特别涉及一种结合压印技术制备各向异性有机场效应管的方法。其步骤如下:1、在导电基底上制备绝缘介质层;2、在绝缘介质层薄膜表面上沉积生长第一层有机半导体薄膜;3、利用模板压印有机薄膜...
商立伟涂德钰王丛舜刘明
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共136页<12345678910>
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