刘明
- 作品数：5 被引量：0H指数：0
- 供职机构：烟台师范学院物理与电子工程学院物理系更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- AM混合相Si:P:H薄膜的制备与分析
- 1989年
- 本文介绍了SiH_4/PH_3混合气体的高频辉光放电法,在硅、玻璃衬底上淀积的掺P氢化非晶硅膜的结构和特性,并对样品作了高温退火试验。应用x射线衍射和红外吸收,对淀积膜的结构性质作了探讨和分析。结果表明,所淀积的是一种微晶——非晶混合相掺P氢化非晶硅膜(AM-Si:P:H),这种膜具有良好的光电性能,较高的掺杂效率。经退火后,光电性能有所改善,是P-i-n太阳能电池所希望的n^+材料。
- 刘明
- 关键词：退火
- AM混合相Si:P:H膜
- 1989年
- 本文介绍采用辉光放电法分解SiH_4+Ar+PH_3的混合气体淀积掺磷氢化非晶硅膜,即a-Si:P:H.再使其结晶化,得到非晶-微晶混合相结构的Si:P:H膜,即AK-Si:P:H.对膜的结构和性质作了探讨和分析.结果表明,AM-Si:P:H合金膜结构均匀、致密,对可见光及近红外有良好光吸收.退火温度达到500℃以上时,AM-Si:P:H膜的电导特性有一大的突破.S-W效应明显减小,是p-i-n太阳能电池所希望的n^+型材料.
- 刘明汪树成
- 全文增补中
- 氢化非晶硅膜的制备及其钝化机理
- 1989年
- 介绍了采用辉光放电(GD)法淀积用作钝化的氢化非晶硅(a-Si:H)膜,并将其应用于硅器件的表面钝化。结果表明,采用a-Si:H钝化,器件表面态密度显著下降,特性有较大改善。此外,对a-Si:H的钝化机理作了讨论。
- 刘明
- 关键词：钝化膜
- 数字锁相环的原理及应用
- 1989年
- 一、前言锁相环电路(PLL),以往大多采用模拟技术制成。近年来,随着数字技术的发展,出现了数字化锁相环(DPLL)。我们将以SN54/74LS297电路为例,介绍DPLL的原理及应用。SW54/74LS297采用低功耗肖特基工艺制成。其主要特点如下: ·PLL完全数字化; ·可以设定频带宽度及中心频率; ·不用VCO,可以减轻温度、电源电压对整个环路的影响; ·利用串级方式,可更容易形成高次环路。
- 吕铁良刘明
- 关键词：数字锁相环锁相环
- 氢化非晶硅膜的光学特性
- 1991年
- 用辉光放电法制备了氢化非晶硅(a-Si:H)膜,并对其光电导、光吸收特性进行了研究。结果表明,a-Si:H膜具有良好的光电导和光吸收性,是一种理想的廉价太阳能电池材料。
- 刘明
- 关键词：非晶硅氢化光学特性
