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吴金星

作品数：18 被引量：5H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇专利
  • 3篇学位论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 2篇化学工程

主题

  • 7篇二极管
  • 7篇发光
  • 7篇发光二极管
  • 6篇衬底
  • 5篇多量子阱
  • 5篇蓝宝
  • 5篇蓝宝石
  • 5篇蓝宝石衬底
  • 4篇拥堵
  • 4篇深紫外
  • 3篇退火
  • 3篇紫外发光二极...
  • 3篇掺杂
  • 3篇H-BN
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化硼
  • 2篇氮气
  • 2篇电子阻挡层
  • 2篇调制掺杂
  • 2篇刑侦

机构

  • 18篇西安电子科技...
  • 1篇中国船舶重工...

作者

  • 18篇吴金星
  • 13篇李培咸
  • 13篇周小伟
  • 12篇郝跃
  • 11篇马晓华
  • 9篇许晟瑞
  • 2篇孟锡俊
  • 2篇李智敏
  • 1篇张进成

传媒

  • 1篇舰船电子对抗

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 3篇2021
  • 7篇2020
  • 4篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2011
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
TFT-LCD驱动芯片MIPI高速接口电路的设计与研究
随着智能电子设备的飞速发展，较高的分辨率与优质的显示效果对接口的传输速度提出了挑战，而传统的接口，如RGB接口，传输速度无法满足高速的需要，除此之外还会产生电磁兼容等方面的问题。我们的目标是使接口电路具有更快的速度，更低...
吴金星
关键词：驱动芯片电路设计
n型AlGaN层调制掺杂的高效紫外发光二极管及制备方法
本发明公开了一种AlGaN层调制掺杂的高效紫外发光二极管及其制备方法，主要解决现有紫外发光二极管电流拥堵的问题。其自下而上包括：磁控溅射AlN的c面蓝宝石衬底层(1)、u型Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x...
周小伟王燕丽吴金星张心禹李培咸许晟瑞孟锡俊马晓华郝跃
文献传递
基于h-BN/p-AlGaN超晶格的高效深紫外发光二极管
本发明公开了一种基于h‑BN/p‑AlGaN超晶格的高效深紫外发光二极管及其制备方法，要解决现有深紫外发光二极管的空穴浓度低和电流拥堵问题。其自下而上包括：衬底(1)、n型Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x...
周小伟王燕丽吴金星李培咸许晟瑞马晓华郝跃
文献传递
一种基于蓝宝石衬底的AlON矩形纳米阵列及其制备方法
本发明涉及一种基于蓝宝石衬底的AlON矩形纳米阵列及其制备方法，该制备方法包括步骤：S1、在蓝宝石衬底的表面进行氮离子注入；S2、对经过氮离子注入的蓝宝石衬底进行退火处理，形成AlON矩形纳米阵列框架；S3、在AlON矩...
岳文凯李培咸李智敏周小伟吴金星王燕丽
文献传递
某雷达数据通信系统的设计与实现
通信系统是雷达的神经中枢，协调着各个分系统的工作。本雷达通信系统主要负责接收终端计算机发出的控制指令，将指令解析处理后实现对各分系统的控制，同时采集各分系统的工作状态以及故障状态信息，并将这些信息发送至终端计算机，以达到...
吴金星
关键词：现场可编程门阵列以太网TCP/IP协议
大角度斜切蓝宝石衬底AlN制备、发光二极管及其制备方法
本发明公开了一种大角度斜切蓝宝石衬底AlN制备、发光二极管及其制备方法，大角度斜切蓝宝石衬底AlN制备方法包括：选取大角度斜切蓝宝石衬底、常规蓝宝石衬底；分别在大角度斜切蓝宝石衬底、常规蓝宝石衬底上生长AlN层得到大角度...
周小伟岳文凯吴金星李培咸王燕丽许晟睿马晓华郝跃
文献传递
一种铪基AlN厚膜及其制备方法
本发明涉及一种铪基AlN厚膜及其制备方法，包括：在铪衬底层的侧面和下表面沉积SiC保护层；对沉积完所述SiC保护层的所述铪衬底层进行超声清洗；对完成超声清洗的所述铪衬底层进行退火得到α晶型铪衬底层；在所述α晶型铪衬底层的...
周小伟岳文凯李培咸吴金星王燕丽许晟睿马晓华郝跃
基于SiC衬底和LiCoO<Sub>2</Sub>缓冲层的AlN单晶材料制备方法
本发明公开了基于SiC衬底和LiCoO<Sub>2</Sub>缓冲层的AlN单晶材料制备方法，主要解决现有技术制得的自支撑c面AlN单晶材料缺陷密度高，厚度小，物理强度差和剥离成本高的问题。其实现方案是：选用c面SiC作...
许晟瑞吴江涛马德璞高源吴金星张雅超张进成郝跃
文献传递
基于h-BN电子阻挡层的高效深紫外发光二极管及制备方法
本发明公开了一种基于h‑BN电子阻挡层的高效深紫外发光二极管及其制备方法，主要解决现有深紫外发光二极管的电流泄露和低发光功率问题。其自下而上包括：衬底层(1)、n型Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Su...
周小伟王燕丽吴金星李培咸许晟瑞马晓华郝跃
文献传递
GaN HEMT器件的AlN缓冲层MOCVD外延生长研究
2020年
探讨了GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的基础——AlN缓冲层的制备,运用金属有机化学气相沉淀(MOCVD)技术,采用脉冲原子层外延(PALE)和传统连续生长相结合的方法,在提高AlN缓冲层生长速度的同时改善晶体的质量。采用优化后的生长工艺,降低了AlN模板的半高宽,有效改善了缓冲层的晶体质量和表面形貌,为后续高性能GaN HEMT器件的外延结构制备打下了基础。
倪洪亮吴金星
关键词：GAN高电子迁移率晶体管ALN缓冲层
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