周文政
- 作品数：48 被引量：46H指数：4
- 供职机构：广西大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划广西壮族自治区自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 力学中的一维势能曲线与简谐振动被引量：1
- 2010年
- 介绍了力学中的一维势能曲线与简谐振动的内在关联,对一维势能曲线、简谐振动进行了较为详尽的分析。用单摆与弹簧振子的简谐振动作为实例,进一步讨论了相关的物理问题及具体的物理图象,以期在教学中加深学生对简谐振动的理解与掌握。通过在教学实践中对一维势能曲线与简谐振动所涉及的理论问题和物理图像的具体讲解与分析,培养学生透彻理解物理问题的能力,提高学生发散思维、关联思维及自我学习的能力。
- 周文政代娴陶小马马树元欧阳义芳
- 关键词：简谐振动物理图象
- 一种三维活性多孔碳及其制备方法和应用
- 本发明公开了一种三维活性多孔碳及其制备方法和应用，其为具有N、O、S共掺杂的多孔碳材料，并负载活性金属元素，其内部具有三维网状孔隙结构，比表面积为647.55～1972.19m<Sup>2</Sup>/g、孔隙体积为0....
- 周文政农盛恒黄东源李耀营杨若茜谢佳伟李佳黄海富梁先庆黎光旭蓝志强刘海镇黄丹徐帅凯
- 交通事故中的车速鉴定方法——利用动量守恒计算车速被引量：3
- 2012年
- 碰撞是交通事故鉴定中最困难的类型。原因是对于机动车之间的碰撞，只有一个基本的理论工具，就是动量守恒定律：
- 黎光旭阳兆祥周文政
- 关键词：动量守恒定律交通事故车速机动车
- 水膜效应在车速计算中的应用被引量：1
- 2013年
- 在不少的交通事故案例中,由于下雨等缘故,路面上并没有留下汽车的刹车印迹或其它散落物的信息,在这种情况下,可以通过水膜效应进行车速鉴定。
- 沈大盛蓝志强周文政黎光旭
- 关键词：交通事故
- HfCl_4、ZrCl_4掺杂对NaAlH_4、LiAlH_4储氢性能的影响
- 2013年
- 为了降低NaAlH4和LiAlH4的吸放氢温度,以及提高其吸放氢的动力学性能,采用基于密度泛函理论(DFT)的平面波赝势(PW-PP)方法,计算了HfCl4、ZrCl4掺杂在NaAlH4、LiAlH4中取代不同位置的Na(Li)、Al前后的电子结构及相关热力学性质。电子态密度及电荷布居等分析表明,Hf和Zr取代NaAlH4或LiAlH4中的Na或Li的几率要比Al的大,掺杂后Al—H键的作用部分减弱,导致Al—H键比较容易断裂,有利于Al—Zr、Al—Hf和H—H键的形成,从而降低反应温度。晶格振动的计算表明,(Na3Zr)Al4H16的Al—H键断裂对应的频率在1 735～1 825 cm-1的范围内,而(Na3Hf)Al4H16的Al—H键断裂对应的频率在1 500～1 810 cm-1的范围内,HfCl4掺杂在NaAlH4中的反应温度要比ZrCl4掺杂在NaAlH4中的反应温度要低一些,这和实验结果相吻合。
- 黎光旭叶姗彭雯琦周文政蓝志强
- 关键词：电子结构储氢性能
- 新型双异质结高电子迁移率晶体管的电流崩塌效应研究被引量：3
- 2012年
- 针对传统单结GaN基高电子迁移率晶体管器件性能受电流崩塌效应和自加热效应限制的困境,对新型A1GaN/GaN/InGaN/GaN双异质结高电子迁移率晶体管的直流性质展开了系统研究.采用基于热电子效应和自加热效应的流体动力模型,研究了器件在不同偏压下电流崩塌和负微分电导效应与GaN沟道层厚度的相关.研究发现具有高势垒双异质的沟道层能更好地将电子限制在沟道中,显著减小高电场下热电子从沟道层向GaN缓冲层的穿透能力.提高GaN沟道层厚度可以有效抑制电流崩塌和和负微分输出电导,进而提高器件在高场作用下的性能.所得结果为进一步优化双异质结高电子迁移率晶体管结构提供了新思路,可促进新型GaN高电子迁移率晶体管器件在高功率、高频和高温等无线通讯领域内的广泛应用.
- 余晨辉罗向东周文政罗庆洲刘培生
- 关键词：电流崩塌自加热效应
- 使用锁相放大技术的自动化磁输运测量系统和测量方法
- 本发明设计了一种使用锁相放大技术的自动化磁输运测量系统和测量方法，可用于精确测量低温强磁场下材料的电学输运相关的性质，如测量磁阻震荡、霍尔效应等。系统主要包括：标准霍尔板样品、低温杜瓦及温控装置、磁体及磁控装置、1号锁相...
- 褚君浩孙雷俞国林周远明高矿红林铁周文政商丽燕
- 文献传递
- As掺杂碲镉汞多载流子体系电学特性研究
- 2010年
- 用液相外延（LPE）方法在CdZnTe衬底上生长了厚度为14.19μm的Hg1-xCdxTe样品。在Hg1-xCdxTe中进行As掺杂,获得低温下的p型导电材料。对As掺杂Hg1-xCdxTe样品进行了磁输运测试,获得磁电阻和Hall电阻在不同温度下随磁场的变化曲线。用最大熵原理迁移率谱结合多载流子拟合（MEPMS＋MCF）的分析方法,获得样品中参与导电的载流子种类,以及每种载流子浓度和迁移率随温度的变化。结果表明,在20~280 K的温度范围,空穴的浓度开始随温度的升高不断增加,到100 K后,空穴的浓度随温度的升高逐渐减小。其迁移率在低温区随温度的升高逐渐减小,到100 K后,迁移率随温度的升高逐渐增加。在100~280 K的温度范围,本征激发的电子开始参与导电,其浓度随温度的升高不断增加,迁移率随温度的升高不断减小。用MEPMS＋MCF分析方法获得的零场电阻与实验结果很好符合。
- 周文政代娴林铁徐庆庆褚君浩
- 关键词：HG1-XCDXTE磁输运载流子浓度载流子迁移率
- 一种钨包覆及掺杂的单晶富镍三元正极材料的制备方法
- 本发明公开了一种钨包覆及掺杂的单晶富镍三元正极材料的制备方法，具体包括以下步骤：(1)将镍钴锰三元前驱体与锂源混合，煅烧，球磨，得到单晶富镍三元正极材料；(2)将单晶富镍三元正极材料与钨源混合，煅烧，冷却，即得钨包覆及掺...
- 周文政区丽敏农盛恒黄甜甜黄海富梁先庆刘海镇蓝志强黄丹郭进
- 单边掺杂InAlAs/InGaAs单量子阱中二维电子气的磁输运特性被引量：5
- 2006年
- 研究了双子带占据的In_(0·52)Al_(0·48)As/In_(0·53)Ga_(0·47)As单量子阱中磁电阻的Shubnikov-de Haas(SdH)振荡效应和霍耳效应,获得了不同子带电子的浓度、迁移率、有效质量和能级位置.低磁感应强度(B<1·5T)下由迁移率谱和多载流子拟合相结合的方法得到的各子带电子浓度与通过SdH振荡得到的结果一致.在d2ρ/dB2-1/B的快速傅里叶变换谱中,观察到除了通常强烈依赖温度的对应于各子带的频率f1和f2以及f1的倍频(2f1)外,还观察到对温度不敏感的频率f1-f2.这是由于量子阱中不同子带的电子具有相近的有效质量,两个子带之间发生了强烈的磁致子带间散射.
- 周文政姚炜朱博仇志军郭少令林铁崔利杰桂永胜褚君浩
- 关键词：二维电子气
