周潘兵
- 作品数：16 被引量：78H指数：5
- 供职机构：南昌大学更多>>
- 发文基金：教育部科学技术研究重点项目更多>>
- 相关领域：金属学及工艺动力工程及工程热物理一般工业技术电气工程更多>>
- 分离硅粉体与碳化硅粉体的泡沫浮选方法
- 本发明涉及一种太阳能光伏领域的硅片线锯工艺产生的砂浆中的硅与碳化硅的粉体分离技术，特别是采用泡沫浮选方法分离硅与碳化硅。该分离硅粉体与碳化硅粉体的泡沫浮选方法的步骤如下：向从硅片线锯工艺产生的砂浆中加入处理剂，按重量配比...
- 熊裕华魏秀琴周浪尹传强周潘兵杨志宏
- 文献传递
- 冶金级硅中杂质的表面吸附与去吸附除杂被引量：5
- 2008年
- 对冶金级硅的物理提纯因可望成为低成本太阳能级硅生产技术而受到各国高度关注。利用硅中杂质的表面吸附偏聚,对冶金级硅粉进行酸洗去吸附除杂。并尝试在此后进行高温退火以再次造成表面扩散偏聚,然后继以二次酸洗去吸附除杂。结果表明这种技术对硅中金属杂质有一定除杂效果,可以作为进一步提纯前的预处理;高温退火后二次酸洗能够进一步降低杂质含量,但效果并不显著,难于生产应用。扩散计算表明,高温退火偏聚处理对较重金属杂质有效,而对B、P杂质则几乎没有效果。
- 颜颉颃彭继霆周浪周潘兵杜国平苏文华
- 关键词：太阳能级硅酸洗
- 热处理和冷却速率对直拉单晶硅少子寿命的影响被引量：3
- 2012年
- 研究了加热温度与冷却速率对热处理直拉单晶硅少子寿命和间隙铁含量的影响。结果表明,直拉单晶硅在300～1050℃加热40 min,以50℃/s的速率快冷至室温会提高硅片的间隙铁含量,降低硅片的少子寿命;加热温度越高,快冷后硅片的间隙铁含量越高,少子寿命越低;直拉单晶硅片在900～1050℃加热,当以50℃/s的速率快冷至室温,90%以上的铁以沉淀形式存在,其余的铁以间隙态存在。直拉单晶硅片分别经800、900和1000℃加热40 min后在0.017～50℃/s的速率范围冷却,硅片间隙铁含量随冷却速率增加而增加,少子寿命随冷却速率增加而降低,加热温度越高,间隙铁含量上升的幅度越大,而少子寿命下降的幅度越大。
- 周潘兵柯航周浪
- 关键词：直拉单晶硅冷却速率少子寿命
- 氧化层对渗氮动力学的影响被引量：24
- 2005年
- 以纯铁为对象,采用增重测量、X射线衍射分析和扫描电镜显微分析方法就充分预氧化对渗氮的作用进行研究。结果表明,渗氮初期,预氧化纯铁表面发生Fe3O4氧化层向εFe3N相的转化;氮原子极易穿过Fe3O4氧化层渗入基体,并在氧化层之下的铁基体形成γ′氮化物;γ′氮化物呈指状延伸生长,使得纯铁渗氮时的化合物层平直界面失稳。渗氮后,与未预氧化试样相比,扣除氧化层本身氮化带来的贡献,预氧化试样的催渗增重达45%,证实较厚的Fe3O4氧化层不仅不会阻碍渗氮,反而具有明显的催渗作用,并提出了两种可能的催渗机理。
- 周潘兵周浪
- 关键词：气体渗氮预氧化纯铁催渗
- 抛光腐蚀深度对多晶硅片抛光与位错刻蚀效果的影响被引量：2
- 2013年
- 对抛光液新旧程度、抛光时间、抛光腐蚀深度等条件对多晶硅片抛光与位错刻蚀显示效果的影响进行实验研究。发现多晶硅片抛光效果与抛光时间无直接对应关系,而取决于抛光腐蚀深度。当硅片抛光腐蚀深度小于45μm时,抛光效果不佳,而大于此深度时,抛光效果良好。多晶硅片抛光腐蚀深度会明显影响之后刻蚀显示的位错密度,较浅时得到的位错密度值将偏高,影响区的深度大于19μm。提出一个表征化学腐蚀抛光液新旧程度的参数——硅溶解系数K,给出了抛光腐蚀速率、抛光液表观色泽与K值之间的明确对应关系。
- 周剑辛超魏秀琴周潘兵周浪张运锋张美霞
- 关键词：抛光多晶硅片位错
- 定向凝固多晶硅的结晶组织及晶体缺陷与杂质研究被引量：16
- 2008年
- 多晶硅是目前最主要的光伏材料,其结晶组织、缺陷和杂质含量显著影响太阳能电池的转换效率。通过控制硅锭定向凝固过程获得取向一致、粗大均一的结晶组织和采用各种吸杂及钝化方法降低杂质及缺陷对电学性能的影响是目前提高多晶硅太阳能电池转换效率的重要途径。介绍和评述了国内外包括本研究组对多晶硅的结晶组织及控制、晶体缺陷、杂质水平与分布及其与硅片性能关系的研究进展,并对当前的各种吸杂与钝化方法及其效果进行了总结。
- 钟根香周浪周潘兵万跃鹏
- 关键词：多晶硅晶体缺陷
- 铸造多晶硅中氧与碳在连续冷却中的沉淀研究被引量：2
- 2012年
- 实验结果显示,铸造多晶硅经1350℃加热1h后在高达10℃/s的速率下冷却仍会产生氧沉淀和热施主,生成氧沉淀的量和热施主的浓度在0.017～10℃/s范围内随冷却速率的增大而减少;与等温过程相比,连续冷却中的氧沉淀和热施主形成速率明显提高;碳在低至0.017℃/s冷却速率下也基本不发生沉淀析出。多晶硅片的少子寿命随冷却速率的增大而减小。基于硅中氧、碳的结构状态与扩散性质对上述沉淀动力学特征及其对多晶硅电学性能的影响进行了讨论。
- 周潘兵龚洪勇陈泽文汤斌兵周浪
- 关键词：多晶硅氧碳
- 铸造多晶硅少子寿命的热衰减研究
- 2013年
- 研究了加热温度与冷却速率对热处理铸造多晶硅少子寿命和间隙铁含量的影响。实验结果表明，铸造多晶硅在300～1050℃范围加热40min，以50℃／s的速率快冷至室温会提高硅片的间隙铁含量，降低硅片的少子寿命，加热温度越高，快冷后硅片的间隙铁含量越高，少子寿命越低；铸造多晶硅在900～1050℃的范围加热，以50℃／s的速率快冷至室温，高温下固溶于硅中的铁原子约有10％会形成间隙铁，约90％形成铁沉淀。铸造多晶硅片分别经800、900和1000℃加热40min后在0．017～50℃／s的速率范围冷却，硅片间隙铁含量随冷却速率增加而增加，少子寿命随冷却速率增加而降低，加热温度越高，间隙铁含量上升的幅度越大，而少子寿命下降的幅度越大。
- 周潘兵周浪
- 关键词：少子寿命
- 一种以触盘代替主栅线的太阳电池正面电极栅线结构
- 本发明涉及硅太阳电池技术领域，特别涉及一种以触盘代替主栅线的太阳电池正面电极栅线结构，包括多条水平细栅线，所述水平细栅线均各自平行等距排布，每条水平细栅线上均等距分布着若干个触盘式电极，由于每条水平细栅线上都有多个触盘式...
- 岳之浩周潘兵黄海宾周浪
- 文献传递
- 分离硅粉体与碳化硅粉体的泡沫浮选方法
- 本发明涉及一种太阳能光伏领域的硅片线锯工艺产生的砂浆中的硅与碳化硅的粉体分离技术，特别是采用泡沫浮选方法分离硅与碳化硅。该分离硅粉体与碳化硅粉体的泡沫浮选方法的步骤如下：向从硅片线锯工艺产生的砂浆中加入处理剂，按重量配比...
- 熊裕华魏秀琴周浪尹传强周潘兵杨志宏
- 文献传递
