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孔德敏

作品数：4 被引量：3H指数：1
供职机构：山东师范大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金山东省博士后创新项目国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇纳米
  • 2篇激光分子束外...
  • 2篇分子束
  • 2篇分子束外延
  • 2篇ZNO纳米
  • 2篇CU掺杂
  • 2篇掺杂
  • 2篇L-MBE
  • 1篇电特性
  • 1篇氧分压
  • 1篇生长温度
  • 1篇热蒸发
  • 1篇热蒸发法
  • 1篇紫外
  • 1篇禁带
  • 1篇禁带宽度
  • 1篇夹层
  • 1篇光电
  • 1篇光电特性
  • 1篇光致

机构

  • 4篇山东师范大学

作者

  • 4篇孔德敏
  • 2篇刘爱华
  • 2篇郭进进
  • 2篇满宝元
  • 2篇侯娟
  • 1篇姜守振
  • 1篇刘玫
  • 1篇刘枚

传媒

  • 1篇材料导报
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 2篇2013
  • 2篇2012
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
ZnO纳米晶须的形态控制及其结构表征
2012年
采用激光分子束外延法先在Si(111)衬底上制备Zn薄膜,在不同的氧气体积流量和生长温度下,用热蒸发法在镀有Zn薄膜的Si(111)衬底上制备了不同形貌的ZnO纳米晶须。分别用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对样品的成分、微结构和形貌进行了表征。Zn薄膜在高温下被氧化,并为晶体生长提供均匀的成核点,有利于形成一定大小和数量的ZnO晶核。研究结果表明,氧气体积流量和生长温度对ZnO纳米晶须的形貌有一定的影响。
侯娟刘爱华郭进进刘玫孔德敏满宝元
关键词：生长温度热蒸发法
掺杂对L-MBE法异质外延Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜光电特性的影响
21世纪半导体材料的一个研究热点就是在半导体材料中掺杂少量的金属离子，通过掺入不同的金属离子可以得到P型或N型半导体。直接带隙宽禁带半导体材料—Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>，应用范围广泛。Ga<...
孔德敏
关键词：激光分子束外延CU掺杂
LMBE法异质外延β-Ga_2O_3薄膜及其紫外和发光特性的研究被引量：3
2012年
采用激光分子束外延法在蓝宝石衬底上异质外延β-Ga2O3薄膜。研究了氧分压对薄膜表面结构和结晶程度的影响,结果表明β-Ga2O3薄膜的均方根粗糙度和X射线衍射谱峰的半高宽随着氧分压的减小呈现先减小后增大的趋势。并对氧分压为10-2 Pa条件下的薄膜进行了光致发光谱、紫外透射谱、禁带宽度变化和拉曼谱的研究,结果显示β-Ga2O3薄膜的带隙随氧分压的减小而不断增大,β-Ga2O3薄膜具有蓝光发光和深紫外高透射特性,是用于光电器件特别是紫外特性氧敏传感器的最佳材料之一。
郭进进刘爱华满宝元刘枚姜守振侯娟孔德敏
关键词：氧分压光致发光禁带宽度
掺杂对L-MBE法异质外延Ga2O3薄膜光电特性的影响
21世纪半导体材料的一个研究热点就是在半导体材料中掺杂少量的金属离子，通过掺入不同的金属离子可以得到P型或N型半导体。直接带隙宽禁带半导体材料—Ga
孔德敏
关键词：激光分子束外延CU掺杂
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