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孙丙成

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：桂林电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：自动化与计算机技术一般工业技术电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 2篇科技成果
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇电容
  • 3篇变薄
  • 3篇CE掺杂
  • 3篇掺杂
  • 2篇异质结
  • 2篇直流磁控
  • 2篇直流磁控溅射
  • 2篇溶胶
  • 2篇溅射
  • 2篇SUB
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 2篇存储器
  • 2篇X
  • 1篇电性能
  • 1篇性能研究
  • 1篇整流
  • 1篇溶胶-凝胶
  • 1篇溶胶-凝胶法
  • 1篇介电

机构

  • 6篇桂林电子科技...

作者

  • 6篇孙丙成
  • 5篇王华
  • 5篇杨玲
  • 5篇许积文
  • 4篇张玉佩
  • 4篇周尚菊
  • 4篇李志达
  • 3篇赵霞妍
  • 1篇高书明
  • 1篇任明放

传媒

  • 1篇兵器材料科学...

年份

  • 2篇2017
  • 1篇2015
  • 3篇2013
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种Ce掺杂Bi<Sub>4-x</Sub>Ce<Sub>x</Sub>Ti<Sub>3</Sub>O<Sub>12</Sub>电致阻变薄膜及其阻变电容的制备方法
本发明公开了一种Ce掺杂Bi<Sub>4-x</Sub>Ce<Sub>x</Sub>Ti<Sub>3</Sub>O<Sub>12</Sub>电致阻变薄膜及其阻变电容的制备方法，包括以Pt/TiO<Sub>2</Sub>/...
王华孙丙成许积文周尚菊杨玲张玉佩李志达赵霞妍
文献传递
自整流电致阻变异质结的制备与性能研究
王华许积文杨玲周尚菊任明放高书明孙丙成李志达张玉佩
存储器是计算机、通讯设备等信息处理系统中不可或缺的关键组成部分，已成为其关键技术和经济影响因素之一。然而，当今在快速存取数据存储器中居支配地位的半导体随机存储器(SRAM)存在重大缺陷：电源一消失就会失去所有信息，即挥发...
关键词：
关键词：存储器
一种Ce掺杂Bi<Sub>4-<I>x</I></Sub>Ce<I><Sub>x</Sub></I>Ti<Sub>3</Sub>O<Sub>12</Sub>电致阻变薄膜及其阻变电容的制备方法
本发明公开了一种Ce掺杂Bi<Sub>4-<I>x</I></Sub>Ce<Sub><I>x</I></Sub>Ti<Sub>3</Sub>O<Sub>12</Sub>电致阻变薄膜及其阻变电容的制备方法，包括以Pt/Ti...
王华孙丙成许积文周尚菊杨玲张玉佩李志达赵霞妍
文献传递
Bi_3.75Ce_0.25Ti_3O_12电致阻变薄膜的制备及其性能研究
2013年
采用溶胶-凝胶工艺在Pt/TiO2/Si衬底上制备Bi3.75Ce0.25Ti3O12电致阻变薄膜，研究退火温度对Bi3.75Ce0.25Ti3O12薄膜结构和介电、阻变特性的影响，分析了薄膜在低阻态和高阻态时的电流传导机理。结果表明，所制备Bi3.75Ce0.25Ti3O12薄膜具有单一的钙钛矿晶格结构，不同退火温度Bi3.75Ce0.25Ti3O12薄膜的低、高阻态电流比ILRS/IHRS在104-106，在600℃时有2.5 V的最低Vset电压。无论是高阻态还是低阻态，Bi3.75Ce0.25Ti3O12薄膜的介电常数都随退火温度的升高而增大，介电损耗则随退火温度的升高而减小，高阻态大于低阻态时的介电常数和介电损耗。在低阻态和高阻态的低压区以欧姆传导为主，在高阻态的高压区以空间电荷限制电流（SCLC）传导为主。
孙丙成王华许积文杨玲
关键词：溶胶-凝胶介电性能
Bi系氧化物电致阻变薄膜及其异质结的制备与性能研究
存储器有着巨大的市场需求,是国际国内诸多企业和行业产品的重要组成部分,由于现有半导体存储器的技术缺陷和其物理极限的限制,迫切需要在存储器材料和技术方面取得新的突破。其中,电阻式存储器(RRAM)因具有高速度、高密度、长寿...
孙丙成
关键词：异质结溶胶-凝胶法掺杂改性
文献传递
一种Ce掺杂Bi4-xCexTi3O12电致阻变薄膜及其阻变电容的制备方法
王华孙丙成许积文周尚菊杨玲张玉佩李志达赵霞妍
普遍应用的半导体动态随机存取存储器（DRAM）存在挥发性缺陷，即当电源关闭时，会从DRAM中擦除所有已存储的数据，使数据丢失。然而Flash等非挥发性存储器又存在读写速度慢、存储密度低等技术障碍，同时还面临严重的缩放问题...
关键词：
关键词：磁存储器
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