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孙丙成
作品数:
6
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供职机构:
桂林电子科技大学
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
自动化与计算机技术
一般工业技术
电气工程
电子电信
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合作作者
许积文
桂林电子科技大学材料科学与工程...
杨玲
桂林电子科技大学材料科学与工程...
王华
桂林电子科技大学材料科学与工程...
李志达
桂林电子科技大学
周尚菊
桂林电子科技大学
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溶胶-凝胶
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介电
机构
6篇
桂林电子科技...
作者
6篇
孙丙成
5篇
王华
5篇
杨玲
5篇
许积文
4篇
张玉佩
4篇
周尚菊
4篇
李志达
3篇
赵霞妍
1篇
高书明
1篇
任明放
传媒
1篇
兵器材料科学...
年份
2篇
2017
1篇
2015
3篇
2013
共
6
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一种Ce掺杂Bi<Sub>4-x</Sub>Ce<Sub>x</Sub>Ti<Sub>3</Sub>O<Sub>12</Sub>电致阻变薄膜及其阻变电容的制备方法
本发明公开了一种Ce掺杂Bi<Sub>4-x</Sub>Ce<Sub>x</Sub>Ti<Sub>3</Sub>O<Sub>12</Sub>电致阻变薄膜及其阻变电容的制备方法,包括以Pt/TiO<Sub>2</Sub>/...
王华
孙丙成
许积文
周尚菊
杨玲
张玉佩
李志达
赵霞妍
文献传递
自整流电致阻变异质结的制备与性能研究
王华
许积文
杨玲
周尚菊
任明放
高书明
孙丙成
李志达
张玉佩
存储器是计算机、通讯设备等信息处理系统中不可或缺的关键组成部分,已成为其关键技术和经济影响因素之一。然而,当今在快速存取数据存储器中居支配地位的半导体随机存储器(SRAM)存在重大缺陷:电源一消失就会失去所有信息,即挥发...
关键词:
关键词:
存储器
一种Ce掺杂Bi<Sub>4-<I>x</I></Sub>Ce<I><Sub>x</Sub></I>Ti<Sub>3</Sub>O<Sub>12</Sub>电致阻变薄膜及其阻变电容的制备方法
本发明公开了一种Ce掺杂Bi<Sub>4-<I>x</I></Sub>Ce<Sub><I>x</I></Sub>Ti<Sub>3</Sub>O<Sub>12</Sub>电致阻变薄膜及其阻变电容的制备方法,包括以Pt/Ti...
王华
孙丙成
许积文
周尚菊
杨玲
张玉佩
李志达
赵霞妍
文献传递
Bi_3.75Ce_0.25Ti_3O_12电致阻变薄膜的制备及其性能研究
2013年
采用溶胶-凝胶工艺在Pt/TiO2/Si衬底上制备Bi3.75Ce0.25Ti3O12电致阻变薄膜,研究退火温度对Bi3.75Ce0.25Ti3O12薄膜结构和介电、阻变特性的影响,分析了薄膜在低阻态和高阻态时的电流传导机理。结果表明,所制备Bi3.75Ce0.25Ti3O12薄膜具有单一的钙钛矿晶格结构,不同退火温度Bi3.75Ce0.25Ti3O12薄膜的低、高阻态电流比ILRS/IHRS在104-106,在600℃时有2.5 V的最低Vset电压。无论是高阻态还是低阻态,Bi3.75Ce0.25Ti3O12薄膜的介电常数都随退火温度的升高而增大,介电损耗则随退火温度的升高而减小,高阻态大于低阻态时的介电常数和介电损耗。在低阻态和高阻态的低压区以欧姆传导为主,在高阻态的高压区以空间电荷限制电流(SCLC)传导为主。
孙丙成
王华
许积文
杨玲
关键词:
溶胶-凝胶
介电性能
Bi系氧化物电致阻变薄膜及其异质结的制备与性能研究
存储器有着巨大的市场需求,是国际国内诸多企业和行业产品的重要组成部分,由于现有半导体存储器的技术缺陷和其物理极限的限制,迫切需要在存储器材料和技术方面取得新的突破。其中,电阻式存储器(RRAM)因具有高速度、高密度、长寿...
孙丙成
关键词:
异质结
溶胶-凝胶法
掺杂改性
文献传递
一种Ce掺杂Bi4-xCexTi3O12电致阻变薄膜及其阻变电容的制备方法
王华
孙丙成
许积文
周尚菊
杨玲
张玉佩
李志达
赵霞妍
普遍应用的半导体动态随机存取存储器(DRAM)存在挥发性缺陷,即当电源关闭时,会从DRAM中擦除所有已存储的数据,使数据丢失。然而Flash等非挥发性存储器又存在读写速度慢、存储密度低等技术障碍,同时还面临严重的缩放问题...
关键词:
关键词:
磁存储器
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