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孙嘉兴

作品数:25 被引量:37H指数:4
供职机构:辽宁大学物理学院更多>>
发文基金:辽宁省教育厅基金国家重点基础研究发展计划沈阳市科技局资助项目更多>>
相关领域:理学自动化与计算机技术电子电信金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 23篇期刊文章
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 9篇理学
  • 8篇自动化与计算...
  • 6篇电子电信
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇电气工程
  • 2篇文化科学
  • 1篇机械工程
  • 1篇医药卫生

主题

  • 5篇合金
  • 4篇电子结构
  • 4篇子结构
  • 3篇数据采集
  • 3篇计算机
  • 3篇二元合金
  • 2篇第一原理计算
  • 2篇电子结构计算
  • 2篇原子
  • 2篇原子间
  • 2篇普朗克
  • 2篇最速下降法
  • 2篇校正方法
  • 2篇抗腐蚀
  • 2篇抗腐蚀性
  • 2篇光电效应
  • 2篇光电效应实验
  • 2篇腐蚀性
  • 2篇CR含量
  • 1篇带隙基准

机构

  • 25篇辽宁大学
  • 5篇沈阳建筑大学
  • 2篇激光科技有限...
  • 1篇南京大学
  • 1篇中国科学院金...
  • 1篇中国刑警学院

作者

  • 25篇孙嘉兴
  • 14篇刘艳侠
  • 5篇王逊
  • 3篇宫元九
  • 2篇宋丽丽
  • 1篇沈群
  • 1篇胡子阳
  • 1篇苏展
  • 1篇周刚
  • 1篇王皞
  • 1篇孙绍平
  • 1篇孙佳佳
  • 1篇宁润涛
  • 1篇徐东生
  • 1篇赵庆哲
  • 1篇邱巍
  • 1篇马芳
  • 1篇刘宏俊
  • 1篇孙石岩
  • 1篇李盈余

传媒

  • 13篇辽宁大学学报...
  • 2篇电子测量技术
  • 2篇物理学报
  • 2篇原子与分子物...
  • 1篇物理实验
  • 1篇仪器仪表学报
  • 1篇沈阳电力高等...
  • 1篇辽宁高等教育...

年份

  • 1篇2021
  • 2篇2020
  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 2篇2006
  • 1篇2002
  • 3篇2001
  • 3篇2000
  • 1篇1999
  • 1篇1998
25 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
谐振式大功率高频开关电源
宫元九孙嘉兴汪江
该项成果是为程控交换机等通讯设备设计的直流稳压电源。采用移相谐振工作方式结合大功率MOSFET构成功率变换器,具有较高的工作频率,降低了电源设备的体积与重量。该电源设计新颖,其工作频率、转换效率、输出功率和智能控制等方面...
关键词:
关键词:开关电源谐振式
研究性教学模式的实践研究——以《计算材料学》课程为例被引量:2
2015年
研究性教学是培养大学生学习能力、研究能力和创新能力的行之有效的手段.将研究性教学的理念应用于《计算材料学》课程的教学中,首先根据该课程的特点设计了开放性的问题,其次设计了小组评价、考核及成员互评方案,学生以小组形式完成任务.通过这种方式,培养学生的合作意识、团队精神及协作能力;通过教学与研究相结合,激发学生探索新知识的兴趣,培养学生分析问题、解决问题的能力,进而达到培养学生的研究能力和创新能力的目的.
刘艳侠孙嘉兴邱巍王逊
关键词:研究性教学计算材料学
C语言在数据库管理中的应用
2000年
以用C语言存取数据库中的数据为例 。
刘艳侠孙嘉兴
关键词:数据库C语言编程
Cr含量对Ti-V-Cr合金结构稳定性及抗腐蚀性影响的电子结构计算
2020年
在合金体系中添加合金化元素来提高合金体系的抗腐蚀性是科学研究的重要手段之一.首先讨论了不同Cr含量下,Cr原子的分布对合金结构稳定性的影响.在此基础上,通过计算不同Cr含量的Ti-V-Cr合金体系的内聚能和形成能、费米能级和态密度,从电子层次分析Cr含量对Ti-V-Cr合金体系抗腐蚀性的影响.结果表明:随着合金体系Cr含量的增加,合金体系的内聚能升高,表明合金体系结构稳定性在降低;形成能均为负值,表明合金都稳定存在.态密度的研究表明,随着Cr含量的增加,赝能隙逐渐消失,合金体系中相邻原子间的成键作用减弱,合金体系的结构稳定性随着Cr含量的增加而降低,与内聚能的计算结果一致.态密度的研究还表明,随着Cr含量的增加,合金体系的费米能级在降低,费米能级处的总态密度值明显减小,并且态密度最大值向低能级方向移动,合金体系失电子能力减弱,有利于提高合金体系的抗腐蚀性.
刘艳侠刘晓瑞陈芳芳程超韩宏悦孙嘉兴
关键词:电子结构
一种简单的电流控制振荡器被引量:3
2008年
设计了一种简单的电流控制的振荡器.该电路充分利用系统内部基准电流源产生的电流信号对电容进行充放电,此振荡器是降压变换器内部电路的一部分,在3.3 V电源电压下,经过控制电路作用后,上升时间和下降时间很接近,使振荡器输出的谐波信号近似于三角波信号.
孙嘉兴于晓鹏
关键词:振荡器基准电流源电容
数据采集中微弱信号处理
本文主要阐述微机自动化检测系统中微弱信号接收、放大等的方法。
孙嘉兴刘艳侠
关键词:数据采集信号处理
文献传递
VDMOSFET的终端优化设计被引量:6
2006年
主要介绍了VDMOSFET的终端优化设计,讨论了已有终端结构中的场环、场板技术,工作原理.以一种新型的高频VDMOSFET与模拟栅相结合的结构为例,详细讨论了场板在减少反馈电容、提高器件的击穿电压、降低导通电组、改善跨导、提高输出电阻、改进安全工作区方面的理论机制及作用.
孙嘉兴杨颖林爽
关键词:VDMOSFET结终端击穿电压
一种高精度带隙基准的分析与设计被引量:1
2009年
介绍了带隙基准电压源的原理,实现了一种高精度的带隙基准电压源电路.基于CSMC0.6 um用cadence的spectre工具仿真,温度从-40℃到125℃变化时,温度系数为1.947 ppm/℃,电源电压在3 V^6 V变化时,电源抑制比为97.68 db.
孙嘉兴梅当民裴东伟杨晓瑗染洁
关键词:CMOS带隙基准温度系数
Ti-Al系二元合金的稳定性及电子结构性能研究
2018年
采用基于密度泛函理论的第一原理赝势平面波方法优化了TiAl、Ti_5Al_3、Ti_3Al这三种成分的Ti-Al系二元合金,通过对合金的内聚能、形成能和差分电荷密度的计算分析了合金的结构稳定性;通过计算合金的态密度、差分电荷密度研究了合金的电子结构性质.三种Ti-Al系合金的内聚能值分别为-4.33eV、-4.55eV、-4.71eV,表明常温下Ti_3Al稳定性最好.三种合金的形成能均为负值,结果分别为-3.61eV、-4.50eV、-4.42eV.由差分电荷密度可以看出,在三种合金中,Ti_3Al的稳定性最好.同时,在态密度的研究中,我们发现Al不是β相的稳定元素,随着Al含量的减少,体系费米能级升高,TiAl、Ti_5Al_3、Ti_3Al的抗腐蚀性依次减弱.
刘艳侠马云莉程超陈星太孙嘉兴王逊
关键词:抗腐蚀性电子结构
外边界支承环板在局部均布荷载和线性分布荷载共同作用下的塑性极限分析
1998年
本文针对外边界支承的固支和简支环板。
刘宏俊沈群孙嘉兴温德全
关键词:环板极限荷载塑性力学
共3页<123>
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