孙拓
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
- 供职机构：北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 掺入石墨烯碎片提高MEH—PPV的迁移率
- MEH-PPV是一种重要的发光和光伏材料，被广泛的应用于有机发光、光伏器件和有机场效应管中。但是MEH-PPV只有很低的载流子迁移率，大约只有10-6cm2/V·s量级。这大大影响MEH-PPV器件的性能。石墨烯纳米片(...
- 孙拓戴伦秦国刚
- 关键词：迁移率
- 体硅阳极和薄膜微晶硅阳极聚合物顶发光白光器件
- 2012年
- 分别以p型体硅和p型薄膜微晶硅为阳极,以掺入MEH-PPV的PFO为发光层,以透明金属Sm/Au为阴极,制作了顶发光白光器件。器件结构是:硅阳极/PEDOT:PSS/MEH-PPV:PFO/Cs2CO3/Sm/Au。通过调节MEH-PPV在PFO中的质量百分比,改进了白光器件的发射色度。当MEH-PPV的质量百分比为0.13%时,发光在白光范围,CIE色坐标为(0.372,0.391)。研究了器件发光效率对体硅阳极电阻率的影响,当体硅阳极电阻率为0.079.cm时,器件电流效率和功率效率都达到极大,分别是0.191 cd/A和0.131 lm/W。以金属Ni诱导硅晶化的薄膜微晶硅为阳极,通过调节Ni层厚度,优化器件效率。当Ni层厚度为2 nm时,薄膜硅阳极器件的电流效率和功率效率分别达到最大值:0.371 cd/A和0.187 lm/W,相对于最佳电阻率体硅阳极器件分别提高了94%和43%。
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- 关键词：MEH-PPVPFO
