宋马成
- 作品数：6 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所更多>>
- 发文基金：国防科技重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>
- 2英寸GaAs快速热退火技术研究
- 1996年
- 为配合２０００门ＧａＡｓ超高速门阵列及ＧａＡｓ超高速分频器等２英寸ＧａＡｓ工艺技术研究，开展了２英寸ＧａＡｓ快速热退火技术研究。做出了阈值电压为０～０．２Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的Ｅ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ和夹断电压为－０．４～－０．６Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的低阈值Ｄ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ。
- 张绛红宋马成郝景辰廉亚光
- 关键词：砷化镓快速热退火离子注入
- GaAs超高速门阵列集成电路Se离子注入技术研究
- 1997年
- 采用室温下Se+离子注入半绝缘GaAs衬底,通过优化注入能量、剂量、注入角度及快速热退火温度、时间,获得了高剂量(1×1013cm-2、200Kev)下杂质激活率大于74%,注入层平均载流子浓度为(5—6)×1017-cm-2,平均载流子迁移率为3010cm2/v.s,载流子浓度分布陡峭的优质离子注入薄层,成功地研制出了3000门GaAs超高速门阵列集成电路.
- 张降红宋马成郝景晨廉亚光张海明曹彦新
- 关键词：离子注入快速热退火砷化镓集成电路
- H3英寸GaAs离子注入掺杂材料研究
- 1999年
- 详细介绍了Φ３
- 张降洪宋马成
- 关键词：离子注入砷化镓掺杂
- 半导体器件与集成电路制造中的亚微米技术
- 1991年
- 本文叙述了当前世界上亚微米、深亚微米技术的发展趋势,分析了我国亚微米技术的现状,最后介绍了机械电子工业部第十三研究所在亚微米技术方面的进展及其在半导体器件与集成电路制造中的成功应用。
- 毕克允宋马成
- 关键词：半导体器件集成电路
- 迎接亚微米技术时代的到来被引量：1
- 1991年
- 半导体与信息技术是实现未来技术革命、产业现代化和社会文明的先导技术,其基础是半导体器件与集成电路及集成传感器。要进一步提高现有半导体产品的性能水平,关键是实现亚微米、深亚微米加工技术。本文着重叙述了当前世界上亚微米技术的发展趋势。最后简要地分析了我国亚微米技术的现状和发展。
- 毕克允宋马成
- 关键词：微细加工半导体器件
- 新型的高能Ａｓ＃+[＋]注入多晶硅Ｔ形电极晶体管（ＴＥＴ）
- 宋马成赵彤伍舒珍
- 关键词：砷离子注入晶体管
