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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇等离子体
  • 1篇气相
  • 1篇气相沉积
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积

机构

  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇范迎新
  • 1篇任伟
  • 1篇杨基南
  • 1篇王萍
  • 1篇廖佐昇
  • 1篇李学文

传媒

  • 1篇电子工业专用...

年份

  • 1篇2003
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
液态源化学气相淀积制备SiO_2薄膜的设备研制被引量:1
2003年
采用液态有机硅源的等离子体增强化学气相淀积设备是通向深亚微米时代的桥梁。介绍研制的液态源化学气相淀积设备的工作原理、结构特点和工艺结果,制备的SiO2薄膜膜厚均匀性±2%,折射率1.452±0.014,生长速率40nm?min。
廖佐昇范迎新任伟王萍李学文杨基南
关键词:等离子体化学气相沉积
共1页<1>
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