廖燕平
- 作品数：27 被引量：76H指数：5
- 供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金吉林省科技发展计划基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 离子注入机
- 本发明属于半导体器件制作技术领域，是一种多晶硅薄膜晶体管离子注入机。本发明包含有真空室，抽气装置，气路部分，电控制器。本发明的气路部分通过配气截止阀同真空室连接，向真空室运送所要注入的气体。抽气装置通过角阀和闸板阀同真空...
- 付国柱邵喜斌荆海廖燕平高文涛史辉琨
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- 多晶硅的定向生长方法
- 本发明属于半导体材料技术领域，是一种把非晶硅转化成定向多晶硅的方法。本发明是在已脱氢的非晶硅表面溅射一薄层金属镍，薄层厚度为2.0～3.0nm，在400～500℃温度，氮气气氛下退火3～5小时，形成一薄层镍硅化合物NiS...
- 廖燕平邵喜斌邝俊峰荆海付国柱骆文生郜峰利缪国庆
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- 驱动有机电致发光二极管显示的薄膜晶体管研究
- 廖燕平
- 关键词：OLEDS亚稳态
- 氢原子在Cat-CVD法制备多晶硅薄膜中的作用被引量：7
- 2004年
- 采用钨丝催化化学气相沉积(Cat CVD)方法制备多晶硅(p Si)薄膜,研究氢气稀释率(FR(H2)/(FR(H2)+FR(SiH4))对制备多晶硅薄膜的影响。XRD和喇曼光谱分析分别显示(111)面取向的多晶硅峰及喇曼频移为520cm-1多晶硅峰的强度随氢气稀释率的增加而增强,由喇曼光谱计算的结晶度也有同样的趋势。通过分析测试结果得出,氢原子以表面脱氢、刻蚀弱的Si—Si键,及进入晶格内部进行深度脱氢等方式改善薄膜材料的结晶度。
- 邝俊峰付国柱高博高文涛黄金英廖燕平荆海
- 关键词：多晶硅薄膜氢原子催化化学气相沉积
- 用金属诱导准分子激光晶化法制备多晶硅薄膜被引量：4
- 2005年
- 提出了一种新的晶化方法———金属诱导准分子激光晶化法(MI ELA)。该方法在制备多晶硅(p Si)薄膜中包括两个步骤:第一步是用镍金属诱导方法(MIC)通过热退火形成NiSi2;第二步是再通过准分子激光退火方法(ELA)晶化形成p Si。通过用XRD、Raman与SEM测试,研究了p Si的结晶性和表面形貌特征。研究发现,MI ELA方法制备的p Si与传统的ELA方法和MIC方法相比在形貌上不一样,而且从XRD的特征峰强度可以看出在结晶度上有进一步提高。这个结果源于用MIC方法形成的且与c Si晶格匹配的NiSi2在ELA中起到晶核的作用。这种晶化方法说明,在ELA中,晶粒生长不再仅仅依赖于熔融非晶硅和氧化物表面上残存的随机的固体a Si作为成核媒介。这种方法不但可以提供晶粒稳定生长条件,而且也可能使获得更大晶粒粒度的激光晶化能量展宽。
- 廖燕平邵喜斌吴渊骆文生付国柱荆海马凯
- 关键词：多晶硅薄膜
- 一种提高a－Si－TFT有机电致发光二极管亮度稳定性的方法
- 本发明属于显示技术领域，是一种提高a－Si－TFT有机电致发光二极管亮度稳定性的方法。本发明改变了传送的列数据信号时序，将原来的某象素数据时序通过开关管1TFT传送到驱动管2TFT的栅极上，驱动管2TFT上的栅信号波形能...
- 张志伟廖燕平邵喜斌付国柱荆海刘少林
- 文献传递
- 一种提高a－Si－TFT有机电致发光二极管亮度稳定性的方法
- 本发明属于显示技术领域，是一种提高a－Si－TFT有机电致发光二极管亮度稳定性的方法。本发明改变了传送的数据信号时序，将原来的某象素数据时序通过开关管1TFT数据线传送到驱动管2TFT的栅极上，驱动管2TFT上的栅信号波...
- 廖燕平邵喜斌张志伟付国柱荆海马凯
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- 一种改进的C-V方法对向列相液晶弹性常数k_(11)、k_(33)测量的理论研究被引量：8
- 2007年
- 提出了一种更为准确的测量向列相液晶展曲、弯曲弹性常数的C-V方法。以正性液晶材料为例,当沿面排列的液晶分子预倾角不为零时,阈值电压值不易确定,k11的确定必定存在误差,而以前报道并未考虑到此问题。文章针对此问题给出了在强锚定条件下,预倾角不为零时C-V的关系式,并提出了通过曲线拟合来同时确定弹性常数k11、k33的方法。此方法对弹性常数的测量更为准确,液晶盒的制作要求降低,且测试简单、易操作。
- 孔祥建荆海黄霞廖燕平刘金娥
- 关键词：向列相液晶预倾角
- 一种有机电致发光显示的驱动方法
- 本发明属于显示技术领域，是一种有源有机电致发光显示器件的驱动方法。本发明是在通常的数据信号时序中加插了与数据信号相比极性相反的特定信号，即在原数据信号的帧与帧之间加插一帧反极性的特定信号，并且也改变了原数据信号的帧周期，...
- 邵喜斌廖燕平刘金娥张志伟付国柱荆海
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- 质子交换LiTaO_3光波导特性及晶格常数变化被引量：4
- 2001年
- 采用气相质子交换方法，在Ｚ－切ＬｉＴａＯ３晶体表面制备平面光滑波导层。样品制备采用２４５℃苯甲酸气体，在 ＬｉＴａＯ３晶体在－Ｃ和＋Ｃ表面交换 ８～２０ 小时。质子交换层在 ＬｉＴａＯ３表面形成，并用棱镜耦合测量波导样品。然后在ＨＦ：ＨＮＯ３酸中用化学方法腐蚀波导层，并用电子显微镜观测光波导层与衬底界面的形貌。用Ｘ射线衍射法，测量ＬｉＴａＯ３质子交换光波层的晶格常数变化。用双晶Ｘ射线测量质子交换（ＰＥ）和退火质子交换（ＡＰＥ）波导层晶格常数的变化。样品的Ｘ射线衍射曲线表明，ＰＥ和ＡＰＥ波导晶格常数的变化不同。实验中，还测量了有无极畴反转ＬｉＴａＯ３晶格常数的改变。
- 马少杰廖燕平邓文渊张红坡李玉善刘弦
- 关键词：质子交换光波导LITAO3晶格常数钽酸锂
