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张国炳: 作品数：33 被引量：107H指数：3; 供职机构：北京大学更多>>; 发文基金：北京市自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

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硅基MEMS加工技术及其标准工艺研究被引量：61: 2002年; 本文论述了硅基MEMS标准工艺 ,其中包括三套体硅标准工艺和一套表面牺牲层标准工艺 .深入地研究了体硅工艺和表面牺牲层工艺中的关键技术 .体硅工艺主要进行了以下研究 :硅 /硅键合、硅 /镍 /硅键合、硅 /玻璃键合工艺及其优化 ;研究了高深宽比刻蚀工艺、优化了工艺条件 ;解决了高深宽比刻蚀中的Lag效应 ;开发了复合掩膜高深宽比多层硅台阶刻蚀和单一材料掩膜高深宽比多层硅台阶刻蚀工艺研究 .表面牺牲层工艺主要进行了下列研究 :多晶硅薄膜应力控制工艺 ;; 王阳元武国英郝一龙张大成肖志雄李婷张国炳张锦文; 关键词：硅基键合多晶硅应力微机电系统

聚酰亚胺薄膜工艺及其在MEMS中的应用: 介绍了聚酰亚胺薄膜的制备工艺，研究了薄膜的刻蚀特性，发现湿法腐蚀得到的聚酰亚胺薄膜图形受最小尺寸的限制。对于O2等离子刻蚀，改变参教得到了刻蚀速率随O2流量和功率的变化曲线；对于RIE干法刻蚀，通过两次测量得到了更加精确...; 耿小宝张海霞唐观荣田大宇李素兰张国炳; 关键词：聚酰亚胺薄膜刻蚀工艺性能评价微机电系统

PECVD SiC薄膜的应力控制及抗腐蚀特性研究: 运用低温的PECVD方法进行了SiC薄膜的制备,通过改变关键工艺参数,如气体流量,功率等,研究工艺参数对SiC薄膜应力的影响,制备出低应力的SiC薄膜。研究了退火工艺、离子注入工艺对薄膜应力的影响,使得薄膜应力可控制,将...; 郭辉王煜张海霞田大宇张国炳李志宏; 关键词：微机电系统碳化硅应力离子注入抗腐蚀; 文献传递

硅化物在表面微机械中的应用研究: 报道了硅化物在表面微机械中应用的实验研究.由于硅化物可以降低串联电阻和接触电阻,对于改善RF MEMS和微开关的动态特性是很有利的.文章研究了硅化物制备工艺与表面微机械制备技术的兼容性以及硅化物电导和应力特性对其影响,实...; 张国炳李志宏郝一龙王伟唐秀英; 关键词：硅化物微机械电子系统; 文献传递

Design of a Silicon Beam Resonator for a Novel Gas Sensor被引量：1: 2006年; A new silicon beam resonator design for a novel gas sensor based on simultaneous conductivity and mass change measurement is investigated. High selectivity and sensitivity in gas detection can be obtained by measuring the charge-to-mass ratio of gas molecules. Structures of silicon beam resonators are designed, simulated, and optimized. This gas sensor is fabricated using sacrificial layer microelectronmechanical system technology, and the resonant frequency of the microbeam is measured.; 郝一龙徐佳嘉张国炳武国英闫桂珍; 关键词：MEMS

PECVD SiC薄膜的制备、应力控制与力学特性研究: 本文采用PECVD方法进行了SiC的薄膜制备,利用俄歇分析(AES)、X光衍射测试(XRD)、傅利叶红外吸收技术(FTIR)等分析了SiC薄膜的组分和结构组成.利用应力仪和纳米硬度计进行测试,以获取薄膜的力学参数,如应力...; 王煜张海霞田大宇李素兰张国炳郝一龙; 关键词：SIC薄膜折射率残余应力应力控制力学特性; 文献传递

PECVD SiC薄膜的应力控制及抗腐蚀特性研究: 本文运用低温的PECVD方法进行了SiC薄膜的制备,通过改究工艺参数对SiC薄膜应力的影响,制备出低应力的SiC薄膜.研究了退火工艺、离子注入工艺对薄膜应力的影响,使得薄膜应力可控制,将无定形态的SiC变成微晶态SiC;...; 郭辉王煜张海霞田大宇张国炳李志宏; 关键词：碳化硅薄膜微机电系统离子注入抗腐蚀; 文献传递

一种用于表面工艺多晶硅结构释放的方法: 本发明是一种用于表面工艺多晶硅结构释放的方法。通常采用的表面牺牲层工艺，在腐蚀后的清洗干燥过程中，多晶硅结构由于处理液的张力会粘附到衬底上。;本发明在多晶硅结构制备的过程中，同时形成许多与衬底相连的多晶硅支柱；并分别利用...; 肖志雄郝一龙张国炳李婷张大成刘诗美李志宏陈文茹武国英王阳元; 文献传递

反应溅射TiW_yN_x薄膜扩散势垒特性研究: 1993年; 本文利用XRD、RBS、AES、SEM和电学测量技术系统地研究了反应溅射制备的TiW_yN_x薄膜的组份、结构和扩散势垒特性,实验结果表明,膜的组份、结构和特性受溅射时N_2流量影响和溅射功率的影响,这种TiW_yN_x膜经550℃30分钟退火后,仍能有效防止Al-Si扩散,从而改善了Al/TiW_yN_x/CoSi_2/Si浅结接触的热稳定性。; 张国炳武国英徐立郝一龙隋小平A.P.ClarkeP.J.ClarkeM.D.StrathmanT.GatesS.Baumann; 关键词：扩散反应溅射集成电路