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张彦辉

作品数：19 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 18篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 15篇半导体
  • 6篇导电类型
  • 6篇导通
  • 6篇电阻
  • 6篇功率半导体
  • 6篇功率半导体器...
  • 6篇半导体技术
  • 6篇半导体器件
  • 6篇LDMOS器...
  • 5篇导通电阻
  • 5篇有源层
  • 5篇比导通电阻
  • 4篇介质层
  • 4篇金属
  • 3篇功率器件
  • 3篇场板
  • 2篇导电
  • 2篇导电材料
  • 2篇电荷
  • 2篇电荷平衡

机构

  • 19篇电子科技大学

作者

  • 19篇张彦辉
  • 18篇罗小蓉
  • 15篇尹超
  • 14篇周坤
  • 13篇魏杰
  • 11篇张波
  • 9篇刘建平
  • 7篇马达
  • 6篇吴俊峰
  • 5篇徐青
  • 4篇王骁玮
  • 4篇范远航
  • 4篇范叶
  • 4篇李肇基
  • 3篇李鹏程
  • 2篇罗尹春
  • 2篇蔡金勇
  • 2篇邓高强
  • 2篇葛薇薇

年份

  • 1篇2019
  • 3篇2018
  • 2篇2017
  • 5篇2016
  • 4篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2013
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种功率MOS器件
本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种功率MOS器件。本发明包括具有高K介质延伸栅结构的元胞结构、漏延伸区和介质槽终端，且多个元胞结构并联排布，使得器件具有以下特点：兼顾VDMOS可并联产生大电流以及LDMOS易集成...
罗小蓉尹超谭桥张彦辉刘建平周坤魏杰马达吴俊峰
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一种横向SOI功率半导体器件
一种横向SOI功率半导体器件，属于功率半导体器件技术领域。器件元胞结构包括衬底、绝缘介质层及绝缘介质层上方的器件有源层，器件有源层包括源区、漏区、栅和漂移区；其中源区和漏区之间的漂移区由两个平行于器件横向方向的第一半导体...
罗小蓉王骁玮范叶范远航尹超魏杰蔡金勇周坤张彦辉张波李肇基
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一种LDMOS器件的制造方法
本发明属于半导体技术，具体的说是涉及一种LDMOS器件的制造方法。本发明LDMOS器件制造方法的主要步骤为：在第二导电类型半导体衬底上表面生成第一导电类型半导体有源层；在第一导电类型半导体有源层上层键合剥离形成介质隔离层...
罗小蓉张彦辉刘建平谭桥尹超魏杰周坤吕孟山田瑞超张波
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一种横向MOSFET器件的制造方法
本发明属于半导体技术，具体的说是涉及一种槽型横向MOSFET器件的制造方法。本发明的方法主要为：通过刻蚀深槽、倾斜离子注入、高温退火、外延等工艺步骤，使注入的离子与硅反应形成U型介质层，同时在介质层表面仍保留有单晶硅层，...
罗小蓉刘建平张彦辉谭桥尹超周坤魏杰阮新亮李鹏程张波
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一种LDMOS器件的制造方法
本发明属于半导体技术，具体的说是涉及一种LDMOS器件的制造方法。本发明LDMOS器件制造方法的主要步骤为：在第二导电类型半导体衬底上表面生成第一导电类型半导体有源层；在第一导电类型半导体有源层上层注入离子形成介质隔离层...
罗小蓉张彦辉刘建平谭桥尹超魏杰周坤马达徐青张波
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一种槽栅功率MOSFET器件
本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种槽栅功率MOSFET器件。本发明有以下特点：一、采用横向重掺杂半导体漏区和纵向漏延伸区，从而使器件同时具有VDMOS可并联产生大电流和LDMOS易集成的优点；二、采用分段沟槽栅结...
罗小蓉吕孟山尹超张彦辉马达吴俊峰阮新亮葛薇薇
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一种槽型MOS功率器件
本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种槽型MOS功率器件。本发明的槽型功率MOS器件具有槽栅结构和槽源结构，不仅保持功率VDMOS可并联产生大电流和元胞尺寸小的特点，而且兼具可集成的优点。在反向耐压状态下，槽栅结构和...
罗小蓉尹超刘建平谭桥张彦辉田瑞超吕孟山马达
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一种具有结型场板的SOI功率LDMOS器件
一种具有结型场板结构的SOI功率LDMOS器件，属于功率半导体器件技术领域。这种JFP SOI LDMOS器件采用PN结作为场板，并利用高K介质作为场板介质。一方面，结型场板的PN结电场调制器件表面电场，改善器件的电场分...
罗小蓉罗尹春范远航徐青魏杰范叶王骁玮周坤张彦辉尹超张波李肇基
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一种横向IGBT
本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种横向IGBT。本发明的横向IGBT器件，其技术方案是：SOI层上层两端分别具有P型阱区和N型阱区；N型阱区表面远离P型阱区的一端具有P型阳极区，P型阱区表面远离N型阱区的一端具有...
罗小蓉邓高强周坤吴俊峰张彦辉
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一种具有延伸栅结构的SOI LDMOS器件
一种具有延伸栅结构的SOI LDMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在常规SOI LDMOS器件漂移区表面引入从多晶硅栅延伸至漏电极的延伸栅结构。在延伸栅结构中引入在器件开态时反向偏置的PN结来减小泄漏电流。延...
罗小蓉李鹏程田瑞超徐青张彦辉魏杰石先龙张波
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