张明
- 作品数：8 被引量：0H指数：0
- 供职机构：复旦大学物理学系李政道物理学综合实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信金属学及工艺更多>>
- Mn/GaAs(100)界面电子结构的同步辐射光电子能谱研究
- 1995年
- 利用同步辐射光电子能谱,研究了室温下在GaAs(100)表面上淀积的Mn的超薄膜的电子结构.实验发现,在θ<2ML的覆盖度下,Mn3d电子的能量态密度分布与体金属α-Mn差别很大;当θ>2ML之后,便逐步接近α-Mn的体电子结构.这一结果可由Mn3d电子的自旋向上带和自旋向下带的交换分裂很好地解释.由此推断,当覆盖度θ<2ML时,在GaAs(100)表面上淀积的Mn的超薄膜具有磁有序结构.
- 陈艳董国胜张明金晓峰陆尔东潘海斌徐彭寿张新夷范朝阳
- 关键词：电子结构光电子能谱
- 一种新的亚稳态Mn的制备和结构研究
- 1993年
- 本文利用反射式高能电子衍射,对于Mn在GaAs(001)清洁表面上的分子束外延进行了研究,第一次从实验上直接观察到Mn的一种新的亚稳态,即γ-Mn(面心立方结构)。实验还发现,在靠近GaAs界面处的外延层中,晶格常数在平面内约有5％的膨胀,这一晶格畸变随着与界面距离的增大而逐步减少。
- 朱兴国张明徐敏董国胜金晓峰
- 关键词：锰分子束外延
- 亚稳态γ-Mn与GaAs(100)界面的形成:扩散和化学反应
- 1995年
- 利用低能电子衍射、电子能量损失谱和X射线电子能谱,对亚稳态了γ-Mn在清洁、有序的GaAs(100)表面的淀积过程进行了研究.研究结果表明,淀积初期锰的生长是层状的.在生长过程中界面发生互混井伴随着Mn与衬底间的化学反应.我们用一简单的模型对上述过程进行了理论计算,得到的结果与实验基本吻合.这对于进一步理解亚稳态γ-Mn的形成机理具有重要意义.
- 张明董国胜徐敏陈艳金晓峰朱兴国
- 关键词：扩散化学反应
- Mn／GaAs（100）界面磁性的光电子能谱研究
- 1995年
- 利用Ｘ光电子谱（ＸＰＳ）和紫外光电子谱（ＵＰＳ），对室温下Ｍｎ在ＧａＡｓ（１００）清洁表面淀积后的电子结构进行了研究．实验结果表明，当锰的覆盖度θ≤θｃ（θｃ≈０．２５ｎｍ）时，界面体系是半导体性的；而当θ＞θｃ时，界面表现出金属性．我们认为这是铁磁交换积分导致３ｄ能带分裂的结果．另外，从Ｍｎ３ｓ芯能级的多重分裂来看，至少从θ＞０．４ｎｍ开始，Ｍｎ的原子局域磁矩大小就不再变化．
- 张明董国胜朱兴国徐敏金晓峰
- 关键词：砷化镓光电子能谱电子结构
- 亚稳态fcc-Mn薄膜的生长及其同步辐射光电子能谱研究
- 1995年
- 报道亚稳态fcc-Mn薄膜在衬底温度为400K的GaAs(001)表面成功外延的结果.进而利用同步辐射光电子能谱研究该fcc-Mn薄膜随厚度变化的过程.从实验上得到fcc-Mn占有态的电子态密度分布,比较分析亚稳态的fcc-Mn相与热力学稳定的a-Mn相之间电子结构的显著差别,并给出可能的机制.
- 陈艳董国胜张明徐敏金晓峰陆尔东潘海斌徐彭寿张新夷范朝阳
- 关键词：光电子能谱
- γ相亚稳态Mn的制备和研究
- 1993年
- 董国胜张明金晓峰
- 关键词：锰Γ相亚稳态分子束外延
- GaAs(001)表面外延生长Mn薄膜的XPS研究
- 1996年
- 利用x射线光电子能谱的深度剖面技术,对不同衬底温度下分子束外延生长的Mn薄膜及其与GaAs(001)衬底间的界面进行了元素组分和化学结合状态随深度变化的研究。实验发现衬底温度等于400K时制备的fcc-Mn/GaAs(001)体系中,fcc-Mn层与GaAs衬底之间存在一层较厚的Mn-Ga-As的缓冲层;衬底温度等于300K(室温)时制备的a-Mn/GaAs(001)体系中也存在类似的缓冲层,但它的厚度与fcc-Mn的情形相比要小得多;而当衬底温度等于450K时制备的体系在GaAs衬底之上全部是Mn-Ga-As的合金,并不存在Mn占绝对优势的区域。结果表明生长中保持一定的衬底温度(约400K),以获得适当厚度的缓冲层,对于制备Fcc-Mn是一个必不可少的条件。
- 徐敏朱兴国张明董国胜金晓峰
- 关键词：砷化镓锰
- Mn/GaAs(100)界面的形成和化学反应的研究
- 1993年
- 利用低能电子衍射(LEED)、X射线光电子能谱(XPS)、电子能量损失谱(EELS)、紫外光电子能谱(UPS),对室温下Mn在GaAs(100)4×1表面的淀积过程进行了研究。研究结果表明,当锰的覆盖度θ≥0.25nm时,LEED图案完全消失,表明Mn没有生长成单晶。LEED,EELS的结果都表明淀积初期是层状生长的。对XPS的Ga2p_(3/2),As2p_(3/2)的峰形、强度进行分析,可以知道在很小的覆盖度下,Mn就与衬底反应。置换出的Ga被局限在离原来的界面约3nm以内的区域内;而As以As-Mn化合物的形式偏析在Mn层的表面。在淀积的后期,Mn在GaAs表面也是层状生长的。UPS的结果直观地支持了XPS的结论。
- 张明董国胜李喆深徐敏金晓峰王迅朱兴国
- 关键词：锰砷化镓化学反应
