张晓康
- 作品数：16 被引量：11H指数：2
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金北京市属高等学校人才强教计划资助项目更多>>
- 相关领域：理学生物学机械工程电子电信更多>>
- 氮化硼薄膜的红外光谱研究被引量：2
- 2008年
- 用磁控溅射法制备六角氮化硼薄膜,在衬底温度、衬底偏压、工作气压等条件一定的情况下改变工作气体(氮气+氩气)中氮气的比例,以制备高质量的六角氮化硼薄膜,薄膜以红外吸收光谱标识。实验结果表明,工作气体中氮气的比例对制得的六角氮化硼薄膜有很大影响,在氮气比例为20%时得到理想的六角氮化硼薄膜。
- 邓金祥王瑶张晓康周涛汪旭洋姚倩陈光华
- 关键词：氮化硼薄膜红外光谱
- 氮化硼薄膜在退火相变中的应力研究
- 利用射频溅射系统在 p 型 Si(100)衬底上制备氮化硼薄膜．对其进行600～1000℃的常压下 N保护退火．通过傅立叶变换红外谱(FTIR)分析,发现 hBN-cBN-hBN 的可逆相变．通过不同温度退火后立方相横光...
- 张晓康邓金祥王瑶陈光华郝伟侯碧辉贺德衍
- 关键词：氮化硼薄膜退火傅立叶变换红外光谱应力
- 文献传递
- 一种立方氮化硼薄膜的制备方法
- 一种制备立方氮化硼薄膜的方法属于宽带隙半导体或者超硬材料薄膜领域。直接制备高立方相含量氮化硼薄膜工艺控制困难，可重复性差；立方氮化硼薄膜的成核与生长过程中须有能量粒子对薄膜表面的轰击，这会产生薄膜结构缺陷，薄膜残余应力过...
- 邓金祥张晓康陈光华
- 文献传递
- 一种立方氮化硼薄膜的制备方法
- 一种制备立方氮化硼薄膜的方法属于宽带隙半导体或者超硬材料薄膜领域。直接制备高立方相含量氮化硼薄膜工艺控制困难，可重复性差；立方氮化硼薄膜的成核与生长过程中须有能量粒子对薄膜表面的轰击，这会产生薄膜结构缺陷，薄膜残余应力过...
- 邓金祥张晓康陈光华
- 文献传递
- 氮化硼薄膜的红外光谱研究
- ＜正＞立方氮化硼薄膜是一种理想的新型宽带隙（Eg≈6．6eV）半导体薄膜材料。立方氮化硼具有高的电阻率和高的热稳定性,可被掺杂成 p 型和 n 型,不仅可能用于制作高频、大功率、高温电子器件, 而且还可能用于制作场致电子...
- 邓金祥王瑶张晓康周涛汪旭阳姚倩陈光华
- 文献传递
- 立方氮化硼薄膜的p型掺杂方法
- 立方氮化硼薄膜的p型掺杂方法属于宽带隙半导体薄膜掺杂领域。克服宽带隙超硬材料c－BN薄膜很难实现p型掺杂的困难，实现c－BN薄膜的有效p型掺杂。本发明步骤：(1)使用低压气相薄膜生长设备衬底上沉积一层本征c－BN薄膜，这...
- 邓金祥陈光华何斌张晓康陈浩
- 文献传递
- 立方氮化硼薄膜的相变和光、电性能研究
- 在氮化硼系统中，立方氮化硼(Cubic boron nitride，c-BN)是集众多优异的物理和化学特性于一身的超硬、宽带隙半导体材料。基于c-BN的高硬度和高热导率、在空气中优异的高温抗氧化性、对铁族金属较低的化学活...
- 张晓康
- 关键词：立方氮化硼薄膜退火温度离子注入
- 电子束蒸发立方氮化硼薄膜的光学性质
- 用电子束蒸发法制备了c-BN薄膜。衬底采用单面抛光n型Si(100),在背底真空为1.3×10 Pa,电子枪束流为80 mA,衬底温度为室温的条件下蒸发镀膜40 min,再将BN薄膜样品在氮气保护下900℃退火1 h。所...
- 汪旭洋邓金祥张晓康姚倩王玲
- 关键词：电子束蒸发立方氮化硼薄膜傅里叶变换红外光谱光学性质
- 文献传递
- 氮化硼薄膜在退火相变中的应力研究
- 2007年
- 利用射频溅射系统在P型Si（100）衬底上制备氮化硼薄膜。对其进行600～1000℃的常压下N2保护退火。通过傅立叶变换红外谱（FTIR）分析，发现hBN-cBN-hBN的可逆相变。通过不同温度退火后立方相横光学振动模式峰位的移动，计算了氮化硼薄膜中残余应力的变化。发现沉积后退火很好地解决了高立方相氮化硼薄膜应力释放的问题，可提高立方氮化硼薄膜在硅衬底上的粘附性。并且探索性地讨论在退火过程中c-BN成核、生长与薄膜中应力变化的关系。
- 张晓康邓金祥王瑶陈光华郝伟侯碧辉贺德衍
- 关键词：氮化硼薄膜退火傅立叶变换红外光谱应力
- 氮化硼薄膜退火诱导相变的红外光谱研究
- 利用射频溅射法在Si(100)衬底上制备纯六方相(h-BN)和以正交相(E-BN)为主相的两组氮化硼薄膜。对其进行600～1000℃的N保护退火。通过傅里叶变换红外谱(FTIR)分析,发现hBN-cBN-hBN的可逆相变...
- 张晓康邓金祥姚倩汪旭洋陈光华贺德衍
- 关键词：立方氮化硼薄膜傅里叶变换红外光谱退火相变
- 文献传递
