张求龙
- 作品数：5 被引量：6H指数：2
- 供职机构：江西师范大学物理与通信电子学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江西省自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学机械工程更多>>
- Ge/GeO_2核壳复杂结构纳米体系生长过程中的应变场分布的研究
- 2013年
- 核壳结构的复合材料由于其独特而多样的物理与化学性质而越来越受到人们的关注。对于埋嵌在介电材料中的核壳结构的纳米体系,在其生长过程中总是不可避免的伴随着多重应变场作用,而这种复杂的应变场会对核壳结构的纳米体系的物理性能产生重要的影响。用有限元法系统地模拟了核壳结构的Ge/GeO2纳米体系在生长过程中的应变场分布。研究发现,随着核壳结构的Ge/GeO2纳米体系的生长,GeO2壳层受到了很强的非均匀的偏应变而且应变强度逐渐增大,这导致了GeO2壳层通过形成多晶结构来释缓一部分应变;而Ge核受到了较弱的均匀应变且应变强度逐渐变小,因此Ge核会始终是单晶的。这种应变的分布对核壳结构的Ge/GeO2纳米体系的微观结构有很大的影响。应变场是一个有效调控Ge/GeO2核壳结构纳米颗粒物理性能的一个有效手段。
- 王水勤张求龙
- 关键词：核壳结构应变场杨氏模量有限元法
- 不同生长环境下砷化镓纳米颗粒的应变场模拟被引量：2
- 2013年
- 对于埋嵌在薄膜材料中的纳米颗粒,在其生长过程中总是不可避免地伴随着应变场的产生,而这种应变场的分布能反映纳米颗粒的结构变化,纳米颗粒结构与它的物理性能有重要的关系.研究埋嵌在不同薄膜材料中的纳米颗粒生长过程中的应变场分布对于调控纳米颗粒的物理性能有着重要的意义.本文利用有限元算法分别计算了埋嵌在非晶氧化铝薄膜和非晶二氧化硅薄膜材料中的砷化镓纳米颗粒生长过程中的应变场分布.砷化镓纳米颗粒在以上两薄膜材料生长过程中都受到非均匀偏应变作用.对于埋嵌在氧化铝薄膜中的砷化镓纳米颗粒,其生长过程中,纳米颗粒内部受到的应变大于纳米颗粒表面受到的应变;而对于埋嵌在二氧化硅薄膜中的砷化镓纳米颗粒,纳米颗粒内部受到的应变小于纳米颗粒表面受到的应变.选择砷化镓纳米颗粒生长的薄膜材料可以调控纳米颗粒生长过程中的应变场分布,从而进一步调控纳米颗粒的晶格结构和形貌及其物理性能.
- 江子雄张求龙袁彩雷
- 纳米颗粒生长过程中的应变场研究
- 由于拥有与常规块体材料不同，甚至相反的物理特性，纳米材料受到人们的高度关注，特别是近几年，核壳结构的复合纳米材料由于其独特而多样的物理与化学性质而越来越受到人们的关注。埋嵌型的纳米材料在高密度磁存储材料、光电子器件等方面...
- 张求龙
- 关键词：有限元法核壳结构物理特性
- 利用脉冲激光沉积技术制备镍纳米颗粒及其生长过程中的应变场模拟被引量：1
- 2012年
- 利用脉冲激光沉积技术和快速退火成功地制备了镶嵌在非晶Al2O3薄膜中的Ni纳米颗粒,用高分辨率透射电子显微镜观察到镶嵌在非晶Al2O3薄膜中的Ni纳米颗粒,用有限元算法系统地模拟了Ni纳米颗粒生长过程中的应变场分布.研究发现:在Ni纳米颗粒的生长过程中,纳米颗粒受到母体Al2O3材料的非均匀的偏应变的作用,而且随着Ni纳米颗粒的长大,纳米颗粒受到母体Al2O3材料的非均匀偏应变也逐渐增加.这种非均匀偏应变对于纳米颗粒的晶格结构和形貌有较大的影响,可以通过调节Ni纳米颗粒生长过程中的应变场来实现对Ni纳米颗粒界面态的调控,从而进一步优化Ni纳米颗粒的物理性能.
- 袁彩雷张求龙江子雄
- 关键词：应变场脉冲激光沉积
- 埋嵌在超薄Al_2O_3薄膜中的Ni纳米颗粒在生长过程中的应变场分布被引量：3
- 2012年
- 对于埋嵌在介电材料中的纳米颗粒,在其生长过程中总是不可避免的伴随着应变场的产生,而这种应变场会的分布对纳米颗粒的物理性能产生重要的影响.在本文中用脉冲激光沉积技术和快速退火成功地制备了埋嵌在超薄Al2O3薄膜中的Ni纳米颗粒.利用高分辨透射电子显微镜观察到立方形Ni纳米颗粒埋嵌在超薄Al2O3薄膜中.用有限元算法系统地模拟了Ni纳米颗粒生长过程中的应变场分布,研究工作发现,随着Ni纳米颗粒的生长,Ni纳米颗粒受到了非均匀偏应变作用逐渐增强,而且变得越来越不均匀,这种非均匀的偏应变作用对于纳米颗粒的微观结构有很大的影响.可以通过调节Ni纳米颗粒生长过程中的应变场来实现对Ni纳米颗粒界面态的调控,从而进一步优化Ni纳米颗粒的物理性能.系统地研究磁性Ni纳米材料的应变场分布,对有效的调控其物理化学性能有着非常重大的意义.
- 张求龙江子雄袁彩雷张振荣
- 关键词：磁性纳米颗粒透射电子显微镜
