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支华军

作品数：5 被引量：18H指数：2
供职机构：上海大学材料科学与工程学院高分子材料系更多>>
发文基金：上海市科委纳米专项基金更多>>
相关领域：理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇理学
  • 3篇一般工业技术

主题

  • 5篇纳米
  • 4篇纳米线
  • 4篇光致
  • 4篇ZNO纳米
  • 3篇光致发光
  • 3篇发光
  • 3篇ZNO纳米线
  • 2篇氧化锌纳米
  • 2篇氧化锌纳米线
  • 2篇自组装
  • 2篇光致发光性能
  • 2篇发光性
  • 2篇发光性能
  • 1篇溶液法
  • 1篇锌盐
  • 1篇六方晶系
  • 1篇纳米ZNO
  • 1篇晶系
  • 1篇降解
  • 1篇光催化

机构

  • 5篇上海大学

作者

  • 5篇支华军
  • 4篇贺英
  • 3篇桑文斌
  • 2篇王均安
  • 2篇颜莉莉
  • 1篇高利聪
  • 1篇方云英
  • 1篇雷芝红
  • 1篇吴若峰

传媒

  • 1篇化工新型材料
  • 1篇材料导报
  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2006
  • 3篇2005
  • 1篇2004
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
离子络合法制备ZnO纳米线被引量：7
2005年
通过高聚物PAM与锌盐发生离子络合反应 ,将络合溶液涂膜在单晶硅片上 ,再通过烧结使之生长出ZnO纳米线。用场发射扫描电子显微镜 (FE SEM )、X射线衍射 (XRD)、红外光谱 (IR)对所得样品的结构与形貌进行分析表征 ,结果表明ZnO纳米线直径约 6 0～ 80nm、长度约 1～ 2 μm ,单晶 ,为六方晶系 ,且沿c轴方向优先生长。
颜莉莉贺英支华军桑文斌
关键词：高聚物锌盐六方晶系纳米线场发射
高分子软模板法自组装生长ZnO纳米线及其光学性能被引量：11
2006年
采用自组装技术，利用均聚极性高分子（聚丙烯酰胺、聚乙烯醇等）长分子链作为自组装模板在半导体硅衬底上自组装生长出ZnO纳米线。采用扫描电镜（FE-SEM）和透射电镜（HRTEM）对样品的表面形貌和结构分析表征的结果表明，ZnO纳米线直径约50～80nm、长度大于4μm，具有六方纤锌矿单晶结构，且沿c轴方向择优取向生长。采用室温下光致发光（PL）谱和紫外吸收（UV）光谱对制得的ZnO纳米线的光学性能研究表明，其PL光谱上有较强的紫外发射和较弱的蓝光发射，UV吸收光谱表明样品在紫外区有强的宽带吸收，且随着纳米线粒径的减小，吸收峰出现了蓝移现象。研究探讨了高分子诱导ZnO纳米线自组装定向生长机制、发光机理及其与工艺条件的内在联系。
贺英王均安桑文斌支华军雷芝红高利聪
关键词：氧化锌纳米线自组装光致发光
纳米ZnO的光催化和光致发光性能
2004年
纳米ZnO的制备方法、生长机理、性能及应用已被广泛研究并取得很大进展，尤其是纳米ZnO的光催化降解及光致发光因具有广阔的应用前景而引起高度重视。着重介绍了目前国内外ZnO纳米粒子的光催化、降解和纳米线／棒的光致发光性能的研究及成果。
支华军贺英
关键词：光致发光性能纳米ZNO光催化降解纳米线
溶液法常压制备ZnO纳米结构的研究
氧化锌(ZnO)是一种自激活半导体材料，禁带宽度为3.37eV，室温下的激子束缚能高达60meV，远大于ZnSe的22meV和GaN的25meV，也大于ZnO在室温下的热离化能(26meV)。这些特性使ZnO更易在室温下...
支华军
关键词：ZNO光致发光高分子化学
文献传递
硅衬底上氧化锌纳米线的自组装生长及其光致发光性能
本文介绍了一种在硅衬底上自组装生长ZnO纳米线的方法,新方法以高分子材料作为自组装络合载体,采用离子络合转换方法和聚合物网络骨架限域模型,制备出生长在硅衬底上的ZnO纳米线晶体。对ZnO纳米线结构和光致发光性能进行了分析...
贺英桑文斌王均安吴若峰支华军颜莉莉方云英
关键词：ZNO纳米线自组装光致发光
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