曾宪庭
- 作品数：11 被引量：12H指数：3
- 供职机构：华中理工大学光电子工程系更多>>
- 发文基金：香港特区政府研究资助局资助项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 用正电子湮没寿命技术研究纯铜的形变缺陷
- 1990年
- 本文用正电子湮没寿命方法研究了形变纯铜缺陷产生的特点及其运动规律,讨论了位错密度和形变量之间的关系以及正电子寿命方法研究形变缺陷的适用范围。对试样所作的TEM观测得到与正电子寿命方法定性一致的结果。
- 曾宪庭唐超群陈洗
- 关键词：铜形变正电子湮没
- 用对向靶溅射法制备巨磁阻超晶格薄膜被引量：3
- 1995年
- 巨磁阻(GMR)超晶格薄膜(如Co/Cu,Ni/Ag以及Fe/Cr等系统)的研究已取得许多重要成果,其中Co/Cu多层薄膜受到特别重视,因其具有较高的室温巨磁阻效应,而且重复性好和容易制备,极有希望首先得到应用,已报道的制备方法包括分子束外延、超高真空蒸发以及磁控溅射,其中,磁控溅射法所得到的GMR较大,采用较为普遍,普通磁控溅射中铁磁靶材引起的磁屏蔽导致溅射率低,而且靶面溅蚀不均匀以及存在对薄膜的二次溅射等问题.
- 曾宪庭黄康权
- 关键词：巨磁阻超晶格钴铜
- ZnO压敏材料的PAT研究
- 1991年
- ZnO压敏材料自60年代问世以来发展迅速,应用越来越广泛,市场对材料性能也不断提出新的要求.如何从实验中研究出性能优良、价格低廉的实用材料和器件一直成为该领域科技人员努力的目标,其技术突破的关键又在于寻找合适的掺杂配方和烧结工艺.本文试图用正电子湮没寿命方法研究材料性能与掺杂量及烧结工艺之间的内在联系,探讨不同条件下微观结构的变化,以期寻求一种优化掺杂和工艺的新方法.从结果来看,这种研究方法是有意义的.
- 曾宪庭王豫陈洗唐超群
- 关键词：ZNO压敏材料PAT陶瓷半导体
- 光学层析卷积反投影算法中的滤波函数
- 1993年
- 研究了光学层析卷积反投影算法中滤波函数的性质和作用,导出并分析了全息干涉法测量和光束偏转扫描测量中的滤波函数.
- 是度芳肖旭东唐川曾宪庭
- 关键词：卷积反投影
- 全文增补中
- 用FTMS方法制备Co／Cu巨磁阻超晶格多层薄膜
- 1995年
- 本文用双靶相对磁控溅射法（ＦＴＭＳ）在云母单晶基板上原位生长了巨磁阻Ｃｏ／Ｃｕ超晶格薄膜，研究了放电气压及背景真空对薄膜结构和电磁性质的影响．结果表明，在优化溅射沉积条件下生长的超晶格薄膜，具有很好的［１１１］择优取向外延结构和光滑的Ｃｏ／Ｃｕ界面．高背景真空条件下生长薄膜能明显减少薄膜及界面缺陷和得到较高的巨磁阻效应，随着Ｃｕ层厚度的增加，两个磁阻振荡峰及２８％的饱和室温磁阻被观察到，其振荡周期为０．９ｎｍ．磁化强度测量表明，随着Ｃｕ厚度的变化，薄膜中交替出现铁磁和反铁磁相邻层间偶合．
- 曾宪庭赵伟杰费杨黄康权
- 关键词：巨磁阻超晶格钴铜
- 用对向靶溅射法外延生长La-Ca-Mn-O巨磁阻单晶薄膜被引量：1
- 1996年
- 用对向靶溅射法(FTS)在(110)NdGaO_3基板上外延生长出La-Ca-Mn-O(LCMO)单晶薄膜,其三维晶体结构用高分辨率双晶X射线衍射技术(DCD)和掠面衍射技术(GID)分析,薄膜表面形貌用原子力显微镜(AFM)测量.结果表明,薄膜有c轴位于薄膜平面的类钙钛矿结构,所有已测量X射线衍射峰的摇摆曲线的半高宽度均约为0.01°,这是迄今报道过的陶瓷薄膜的最小结构参数.AFM图象清楚表明薄膜为单原子层状生长,表面原子层台阶高度为0.195nm.台阶宽度为360～400nm.台阶边缘沿(001)方向.原位生长的薄膜已具有较大的巨磁阻效应.
- 曾宪庭黄康权许建斌
- 关键词：巨磁阻
- Ｌａ－Ｃａ－Ｍｎ－Ｏ巨磁阻单晶薄膜的外延生长
- 曾宪庭许建斌
- 关键词：单晶氧化镧晶体生长磁阻
- 钙钛矿型锰氧化合物的光电效应被引量：2
- 1998年
- 报道了Ｌａ０．６７Ｃａ０．３３ＭｎＯδ单晶薄膜的光响应．这类钙钛矿型锰氧化物响应为测辐射热模式．新型测辐射热计宽波段光吸收系数高．调整掺杂组份和氧计量比可获得合适工作温区．此外，还报道了样品的噪声特性．
- 郝建华曾宪庭黄康权
- 关键词：LCMO光探测辐射热钙钛矿型光电效应
- 全文增补中
- Al掺杂对ZnO压敏材料性能影响的研究被引量：3
- 1992年
- 研究了Al^(3+)掺杂量的变化对ZnO中高压压敏材料主要性能参数的影响,从微观上分析了产生这些影响的原因以及提高材料稳定性能的措施,并从实验上得到了性能优良的中高压压敏材料。
- 曾宪庭王豫王士良陈洗
- 关键词：ZNO压敏材料铝掺杂非线性
