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黄铜矿半导体DMS的第一原理计算被引量：2: 2005年; 为了寻找新的高Tc的稀磁半导体(DMS),利用自旋局域密度泛函的第一性原理对 3d过渡金属(TM= V、Cr、Mn、Fe、Co或Ni)掺杂的II IV V2(CdGeP2 和ZnGeP2)以及I III VI2(CuGaS2 和CuGaSe2)黄铜矿半导体的电磁性质进行系统计算.结果发现:V或Cr 掺杂的 II IV V2 将出现铁磁(FM)状态,而 Mn、Fe或者 Co掺杂的 II IV V2 将出现反铁磁(AFM)状态,Ni掺杂时,DMS的磁性非常不稳定;在TM掺杂的 I III VI2 的DMS中,Cr、Mn掺杂的 CuGaS2 和 CuGaSe2将表现为FM状态,而当V、Fe、Co或Ni掺杂时,Cu(Ga,TM)S2 和Cu(Ga,TM)Se2 则表现了AFM性质.Cr掺杂的I IV V 以及 I III VI 黄铜矿半导体将可能出现较高的居里温度(Tc).; 曾永志黄美纯; 关键词：稀磁半导体过渡金属双交换作用黄铜矿

TM掺杂的Ⅲ-Ⅴ族稀磁半导体电磁性质的第一原理计算被引量：26: 2006年; 使用基于自旋局域密度泛函理论的第一性原理方法对3d过渡金属(TM=V,Cr,Mn,Fe,Co和Ni)掺杂的Ⅲ-Ⅴ族半导体(GaAs和GaP)的电磁性质进行了计算.结果发现:用V,Cr和Mn掺杂时体系将出现铁磁状态,而Fe掺杂时将出现反铁磁状态,Co和Ni掺杂时,其磁性则不稳定.其中,Cr掺杂的GaAs和GaP将可能是具有较高居里温度的稀磁半导体(DMS).在这些DMS系统中,V离子的磁矩大于理论期待值,Fe,Co和Ni离子的磁矩小于理论期待值,Cr和Mn离子的磁矩与期待值的差距取决于晶体的对称性以及磁性离子的能带分布.此外,使用Si和Mn共同对Ⅲ-Ⅴ族半导体进行掺杂,将有利于DMS表现为铁磁状态,并可以使体系的TC进一步提高.; 林秋宝李仁全曾永志朱梓忠; 关键词：稀磁半导体过渡金属掺杂共掺杂

双层阴极结构BaO/Al聚合物电致发光器件电子注入的研究被引量：1: 2005年; 介绍了用双层阴极BaO/Al和发光层MEHPPV制成的聚合物电致发光器件(PLEDs),研究了绝缘层BaO对电子注入所起的作用.实验发现,BaO对电子的注入起到显著的促进作用,与直接用Al做阴极的器件对比,其发光亮度和效率分别提高了20倍和10倍,达到了1250cd/m2和0.4%.同时也研究了不同厚度的绝缘层BaO对电子注入的影响,随着厚度的增加,外部量子效率和亮度先增加后减少,存在一个约为1nm的最佳厚度.另外,国外用绝缘层LiF和CsF做成器件,与他们的实验结果对比,发现是绝缘层BaO增强了电子的注入,而不是BaO分解得到的金属Ba.; 张伟黄美纯刘银春许运华曾永志; 关键词：聚合物电致发光器件电子注入 BAO AL PPV CSF

TM掺杂Ⅱ-Ⅳ-Ⅴ_2黄铜矿半导体的电磁性质被引量：7: 2005年; 利用自旋局域密度泛函的第一性原理对 3d过渡金属 (TM =V ,Cr,Mn ,Fe ,Co和Ni)掺杂的Ⅱ Ⅳ Ⅴ2 (CdGeP2 和ZnGeP2 )黄铜矿半导体的电磁性质进行系统计算 .结果发现 :V和Cr掺杂的CdGeP2 和ZnGeP2 将出现铁磁状态(FM) ,Mn ,Fe以及Co掺杂的CdGeP2 和ZnGeP2 将出现反铁磁状态 (AFM) ,而Ni掺杂时 ,稀磁半导体 (DMS)的磁性比较不稳定 .其中Cr掺杂的CdGeP2 和ZnGeP2 将可能是具有较高居里温度TC 的DMS .当TM 3d电子的t2g态部分被填充时 ,其掺杂的DMS将出现FM状态 ;而当TM 3d电子的t2g态全满或者全空时 ,其掺杂的DMS将出现AFM状态 .在(Cd ,Mn)GeP2 和 (Zn ,Mn)GeP2 中分别掺入电子和空穴载流子 ,可以发现载流子是否具有TM 3d电子的巡游特性是DMS是否出现FM状态的主要原因 .; 曾永志黄美纯; 关键词：稀磁半导体过渡金属双交换作用

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曾永志