曾锦川
- 作品数：12 被引量：8H指数：2
- 供职机构：华侨大学信息科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金福建省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 硒化镉薄膜微区分析
- 1993年
- 本文用电子探针对硒化镉薄膜进行微区分析,对薄膜的成分和厚度进行同时测定,并分析了制备条件对薄膜参数的影响。
- 郭亨群叶天水曾锦川
- 关键词：半导体微区分析硒化镉
- a－CdSe超快光电探测器特性研究
- 1994年
- 本文报道淀积条件对非晶态硒化镉（ａ－ＣｄＳｅ）薄膜微区结构的影响，并对利用ａ－ＣｄＳｅ为光敏介质的超快光电探测器的特性进行了比较深入的测试研究。
- 曾锦川郭亨群叶天水陈两坤王加贤刘泰山
- 关键词：光电探测器硒化镉
- 超短光脉冲作用下非晶硅的瞬态光电导
- 1991年
- 本文对制备时衬底温度不同的辉光放电沉积a-Si样品在超短光脉冲作用下的瞬态光电导进行研究,响应时间与样品缺陷态密度的关系表明a-Si中光生电流衰减的机制是缺陷态对光生载流子的俘获。与化学气相沉积a-Si和进口硅PIN快速光电探测器的瞬态响应实验结果的比较说明,a-Si的瞬态响应稳定性好。
- 郭亨群叶天水曾锦川
- 关键词：非晶硅
- 非晶态硒化镉薄膜瞬态光电特性
- 1991年
- 本文报道用真空热蒸发法淀积的非晶态硒化镉薄膜作光敏介质制备超快光电导探测器。用对撞脉冲锁模Nd:YAG激光器产生的超短光脉冲序列对探测器的响应时间进行检测,结果表明a-CdSe薄膜对皮秒(10^(-12)秒)级的超短光脉冲作用具有良好的瞬态响应光电特性,探讨a-CdSe薄膜快速弛豫过程的内在机理。
- 叶天水郭享群曾锦川
- 关键词：非晶态半导体光电特性
- 硒化镉薄膜结构形貌和光谱特性的测试与探索被引量：1
- 1992年
- 本文介绍硒化镉(CdSe)薄膜结构形貌和光谱特性的测试研究结果,以及制备工艺条件对该薄膜的结构形貌和光谱特性可能产生的影响所进行的某些探索。
- 曾锦川郭亨群叶天水
- 关键词：硒化镉光谱特性
- 非晶硒化镉激光探测器的瞬态响应特性
- 1994年
- 本文报道淀积条件对非晶态硒化镉（ａ－Ｃｄｓｅ）光敏介质的超快光电探测器瞬态响应特性的影响。
- 曾锦川郭亨群叶天水
- 关键词：瞬态响应激光探测器
- 非晶态硒化镉超快激光探测器被引量：2
- 1990年
- 本文报道用真空热蒸发法淀积非晶态硒化镉薄膜,结果表明 a-CdSe 光电导探测器对 PS 级的超短光脉冲具有良好的瞬态响应。
- 叶天水郭亨群曾锦川
- 关键词：激光探测器
- 非晶硒化镉超快光电探测器瞬态响应
- 1994年
- 报道淀积条件对以非晶态硒化镉（ａ－ＣｄＳｅ）为光敏介质的超快光电探测器瞬态响应特性的影响．
- 曾锦川郭亨群叶天水
- 关键词：光电探测器
- 非晶态硒化镉薄膜光电特性的研究被引量：1
- 1990年
- 本文报道用真空热蒸发淀积非晶态硒化镉薄膜,研究淀积基底温度及退火处理对薄膜光电特性的影响。光谱实验表明吸收边有随基底温度降低而向长波方向移动的现象,发现淀积基底温度为150℃的样品其光电导与暗电导的比率最高。用超短序列光脉冲对薄膜的瞬态光电导特性进行研究,表明非晶态硒化镉薄膜对ps级超短光脉冲具有良好的瞬态响应,可用作快速光电探测器的光敏材料薄膜。
- 叶天水郭亨群曾锦川
- 关键词：非晶态半导体硒化镉
- 非晶硒化镉和辉光放电非晶硅对锁模激光的瞬态响应被引量：5
- 1992年
- 用对撞锁模Nd:YAG激光器产生的超短光脉冲对非晶硒化镉和辉光放电非晶硅的瞬态响应进行研究,并用多重俘获传导模型分析光生载流子的弛豫过程.
- 郭亨群叶天水曾锦川
- 关键词：瞬态响应硒化镉非晶态激光
