朱兆旻
- 作品数：18 被引量：37H指数：4
- 供职机构：江南大学更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金江苏省“六大人才高峰”高层次人才项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术电气工程更多>>
- 回力标形状的ZnO纳米棒的制备和光致发光特性(英文)
- 2014年
- 在1 050°C条件下,利用碳热蒸发的方法在NiO覆盖的Si(100)衬底上制备了回力标形状的ZnO纳米棒,这是一种新的ZnO的纳米结构。通过结构分析,发现这种回力标形状的ZnO纳米棒具有纤锌矿结构。室温的光致发光图谱中有两个发光峰:380nm附近的弱近紫外发光峰和524nm及575nm附近较宽的绿光发光峰。拉曼谱以及X电子能量谱也用于研究其性质。最后讨论了缓冲层的作用及ZnO纳米棒的生长机理。
- 王福学蔡小龙闫大为朱兆旻顾晓峰
- 关键词：氧化锌纳米棒光致发光
- 短沟道无结柱状围栅MOSFET的解析模型被引量：1
- 2014年
- 通过在柱坐标系下求解二维泊松方程,建立了短沟道无结柱状围栅金属氧化物半导体场效应管的电势模型,并推导了阈值电压、亚阈值区电流和亚阈值摆幅的解析模型。在此基础上,分析了沟道长度、沟道直径和栅氧化层厚度等参数对阈值电压、亚阈值区电流和亚阈值摆幅的影响。最后,利用Atlas软件对器件进行了模拟研究。结果表明,根据解析模型得到的计算值与模拟值一致,验证了模型的准确性。这些模型可为设计和应用新型的短沟道无结柱状围栅金属氧化物半导体场效应管提供理论基础。
- 赵青云于宝旗朱兆旻顾晓峰
- 关键词：阈值电压
- 双栅掺杂隔离肖特基MOSFET的解析模型被引量：1
- 2014年
- 通过考虑肖特基势垒降低效应求解三段连续的二维泊松方程,建立了双栅掺杂隔离肖特基MOSFET亚阈值区全沟道连续的电势模型。在该电势模型的基础上,推导了阈值电压模型和漏致势垒降低效应的表达式;研究了掺杂隔离区域不同掺杂浓度下的沟道电势分布,分析了沟道长度和厚度对短沟道效应的影响。结果表明,掺杂隔离区域能改善肖特基MOSFET的电学特性;对于短沟道双栅掺杂隔离肖特基MOSFET,适当减小沟道宽度能有效抑制短沟道效应。
- 王睿赵青云朱兆旻顾晓峰
- 关键词：短沟道效应
- 具有物联网特色的微电子专业人才培养机制探索
- 2013年
- 物联网作为一门学科技术的新产物,国内相对应的具有物联网特色的微电子教学模式还不成熟。微电子技术为物联网技术提供硬件支撑,是物联网技术的重要组成部分。探讨在目前的微电子专业人才培养机制基础上,结合物联网技术特点,形成一个完整的具有物联网特色的微电子专业人才培养机制。
- 闫大为彭勇朱兆旻梁海莲赵琳娜
- 关键词：物联网微电子专业专业教学模式
- 以科学史为脉络讲解近代物理
- 2014年
- 本文从作者的实际经历和体会出发,以科学史为脉络讲解大学近代物理知识,让同学们在学习看似繁琐难懂的近代物理知识过程中了解其所对应的科学史,同时穿插跟近代物理有关的科学家们的奇闻轶事,提高了同学们对近代物理的理解和兴趣,取得了良好的效果。
- 朱兆旻徐国青于宝旗
- 关键词：科学史近代物理教学改革高等教育
- 无源电子元件忆阻器的建模和参数分析被引量：4
- 2014年
- 在边界迁移模型的基础上,用分离变量法推导出了忆阻器电流电压特性的解析公式,建立了一个可用于对忆阻器进行电路仿真的SPICE模型,对忆阻器中各个参数的影响进行了分析与比较。结果发现:减小角频率、增加开关电阻比或增加平均迁移率可以提高忆阻器在同一电流值下相应的电阻差值。
- 朱兆旻王有航
- 关键词：SPICE仿真
- 短沟道双栅MOSFET二维表面势解析模型被引量：3
- 2013年
- 采用分解电势的方法求解二维泊松方程,建立了考虑电子准费米势的短沟道双栅MOSFET的二维表面势模型,并在其基础上导出了阈值电压、短沟道致阈值电压下降效应和漏极感应势垒降低效应的解析模型。研究了不同沟道长度、栅压和漏压情况下的沟道表面势,分析了沟道长度和硅膜厚度对短沟道效应的影响。研究结果表明,电子准费米势对开启后的器件漏端附近表面势有显著影响,新模型可弥补现有模型中漏端附近表面势误差较大的缺点;对于短沟道双栅MOSFET,适当减小硅膜厚度可抑制短沟道效应。
- 王睿赵青云朱兆旻顾晓峰
- 关键词：表面势阈值电压短沟道效应解析模型
- ULSI互连中纳米多孔SiO_2的制造工艺、特性及应用前景被引量：6
- 2002年
- 综述了 ULSI互连中纳米多孔二氧化硅 (NPS)电介质主要品种干燥凝胶 (Xerogel)的典型制造工艺 ,给出并分析了介电常数、应力、热导率和机械强度等主要特性 。
- 阮刚陈智涛肖夏朱兆旻段晓明
- 关键词：ULSI低介电常数介质
- 硅纳米管和纳米线场效应晶体管的模拟和比较被引量：1
- 2014年
- 从硅纳米管和纳米线场效应晶体管的结构出发,先用Silvaco公司的TCAD仿真软件模拟出硅纳米管和纳米线的电势分布,然后根据电势分布依次求出两种器件的有效哈密顿量、非平衡格林函数及自能函数和电子浓度,再从电子浓度推导出电流密度与电压方程,并对其进行了分析比较。仿真结果显示,在沟道横截面积相同的情况下,纳米管器件的阈值电压比纳米线器件的高,且随管内外径之差的增加而减小。栅压比较大的情况下,在饱和区纳米管器件比纳米线器件能提供更大的驱动电流。两者在亚阈值区域表现相似,亚阈值摆幅分别为58和57 mV/dec。纳米管器件的饱和电压比纳米线器件的略小,在饱和区纳米管器件的电流更加平直,短沟道效应更不明显。
- 朱兆旻张存
- 关键词：纳米管纳米线非平衡格林函数
- 短沟道双栅MOSFET的亚阈值特性分析被引量：3
- 2014年
- 基于泊松方程和拉普拉斯方程,结合双栅MOSFET的边界条件,采用牛顿-拉夫逊迭代法推导了双栅MOSFET亚阈值区全沟道的电势解析解。在亚阈值区电流密度方程的基础上,提出了双栅MOSFET的一个亚阈值电流模型,并获得了亚阈值摆幅的解析公式。通过对物理模型和数值模拟结果进行比较,发现在不同的器件结构参数下,亚阈值摆幅之间的误差均小于5%。
- 朱兆旻王睿赵青云顾晓峰
- 关键词：亚阈值特性短沟道效应
