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李国铮

作品数:9 被引量:19H指数:1
供职机构:山东大学化学与化工学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金山东省自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域:理学电子电信生物学电气工程更多>>

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 5篇理学
  • 1篇生物学
  • 1篇电气工程

主题

  • 5篇多孔硅
  • 3篇电化学
  • 3篇光电化学
  • 3篇发光
  • 3篇N^+
  • 3篇SI
  • 2篇电极
  • 2篇修饰
  • 2篇光致
  • 2篇半导体
  • 2篇PS
  • 1篇电池
  • 1篇电催化
  • 1篇电化学电池
  • 1篇电致发光
  • 1篇修饰电极
  • 1篇阳极
  • 1篇阳极极化
  • 1篇氧还原
  • 1篇制氢

机构

  • 8篇山东大学
  • 2篇山东师范大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇厦门大学

作者

  • 9篇李国铮
  • 3篇李怀祥
  • 3篇王士勋
  • 3篇张承乾
  • 1篇郑东红
  • 1篇陆天虹
  • 1篇肖淑娟
  • 1篇贺月娇
  • 1篇薛成山
  • 1篇张强
  • 1篇张存中
  • 1篇贾瑞宝
  • 1篇郭成花

传媒

  • 3篇电化学
  • 3篇化学学报
  • 1篇物理化学学报
  • 1篇2002'全...
  • 1篇2000年中...

年份

  • 1篇2002
  • 1篇2000
  • 3篇1997
  • 2篇1996
  • 1篇1995
  • 1篇1991
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
N型多孔硅光致红、绿、蓝发光的研究
对三种N型衬底制成的多孔硅进行了表面修饰。通过涂覆不同的修饰液,然后进行快速热氧化,原本发橙黄光致荧光的多孔硅在紫外灯下可发射红、绿、蓝光。发现衬底电阻率越高,制成的多孔硅其光致荧光特性越好。用量子限制/发光中心模型解释...
贺月娇李怀祥郭成花薛成山肖淑娟李国铮
关键词:多孔硅表面修饰光致荧光
文献传递
多孔硅诱导生长的石板印刷术
在半导体硅单晶表面上制作几何图案,是集成线路特种工艺之一,称为石板印刷术.本文研究了在单晶硅上制作纳米级的图案.
李国铮R.Bruce Lennox
关键词:半导体材料多孔硅
文献传递
镍铂修饰n型硅电极光电解析氧被引量:1
1996年
本文以 n/n^+-Si半导体为基底,通过碱溶液刻蚀处理和Ni/Pt双层金属膜表面修饰后作为光阳极,用于1.0mol·dm^(-3)KOH溶液中光助电解水析氧.在恒电势1.0V(相对HgO/Hg电极)和90mW·cm^(-2)光照射下,最佳电极的析氧电流达到65.2mA·cm^(-2),稳定性实验表明,连续光照不超过200小时,光电极具有良好的抗腐蚀性.对电极表面进行了X-光电子能谱(ESCA)分析.
李怀祥李国铮王士勋
关键词:光电化学光解水制氢
维生素B_(12)修饰电极及其催化氧还原性质的研究被引量:17
1997年
发现维生素B12能吸附在经阳极化处理的玻碳电极上,从而制成稳定的维生素B12修饰玻碳电极.详细研究了此电极的电化学性质.并发现此修饰电极能有效地催化分子氧的二电子还原.
郑东红陆天虹张存中李国铮
关键词:维生素B12化学修饰电极电催化氧还原
光电化学刻蚀n^+-Si光致发光
1997年
光电化学刻蚀n+┐Si光致发光①李国铮*张承乾杨秀梅(山东大学化学系济南250100)对PS的光致发光(PL),研究最早见于Canham1990年的报导[1].高孔率的PS样品在室温下发出强的可见光,被认为是二维量子尺寸效应所致.这一解释很难从实验上...
李国铮张承乾杨秀梅
关键词:PS刻蚀光致发光
n^+-Si在HF溶液中的阳极极化行为和阻抗谱被引量:1
1995年
n^(+)-Si在0.25~1.0%HF溶液中无光照和光照下的伏安曲线均明显地分为三段:在低极化下呈线性关系,对应于硅的阳极溶解,形成多孔硅层 (PSL);在中间电位区,电极部分表面为硅氧化物所覆盖,阳极溶解和非均匀电抛光过程同时进行;在高极化区,全部表面为硅氧化物所覆盖,发生均匀的电抛光过程.在上述三个区域中由交流阻抗测得的特征电容环和电感应环的变化,揭示了由单—阳极溶解逐渐转变为均匀抛光过程的一些细节,定性地说明了n^(+)-Si上进行的竞争性反应的速率是随电位而改变,并受光照影响.
贾瑞宝王士勋李国铮
关键词:多孔硅阻抗谱阳极极化氟化氢
n型多孔硅的电发光性能及其XPS和LIMA表征
1996年
n型多孔硅的电发光性能及其XPS和LIMA表征①李国铮*张承乾张强(山东大学化学系,济南250100)(厦门大学化学系,厦门361005)多孔硅(PS)的发光性能与其化学组成和结构的关系已为人们所关注.曾有人认为,发光是由于纳米级多孔硅的量子限制效应...
李国铮张承乾张强
关键词:多孔硅XPS
金属修饰半导体硅组成光电化学电池的研究被引量:1
1991年
本文以 n/n^+-Si 和 p/n^+-Si 为基底,通过铂、镍等金属膜表面修饰后组成光电化学电池,探讨了金属/n-Si 间的 Schottky 势垒对电池开路光电压的影响.研究了铂膜修饰电极的光电化学性能.用 p/n^+-Si 电极,在65mW·cm^(-2)的光照射下,最佳电池的输出参数是:开路光电压0.530 V,短路光电流47.6mA·cm^(-2),填充因子0.35,光电转换效率13.6%.连续照光75小时,电池性能基本稳定。
李怀祥王士勋李国铮
关键词:电化学电池半导体硅
光电化学刻蚀n^+-Si的电致发光
1997年
n+-Si在HF水溶液中经光电化学刻蚀形成的微米级多孔硅(PS)具有较好的电致发光(EL)性能,其发光光谱的波长范围约在500~800nm之间,阴极EL的波长和强度均随调制电位可逆变化;在酸性溶液中,发光强度较大,光淬灭过程也较中性溶液为慢.与n--Si的结果类似,PS的制备电位也决定性地影响着EL的强度.光淬灭前的伏安行为表明,除S2O2-3和H+还原外,可能还涉及PS表面化合物的转化.对能带图进行了讨论.
李国铮张承乾杨秀梅
关键词:多孔硅电致发光PS光电化学
共1页<1>
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