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李明乾

作品数：5 被引量：11H指数：2
供职机构：中国科学院上海原子核研究所上海应用物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划上海市青年科技启明星计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 2篇荧光谱
  • 2篇砷化镓
  • 2篇离子注入
  • 2篇光谱
  • 2篇光荧光
  • 2篇光荧光谱
  • 2篇半导体
  • 1篇质子
  • 1篇量子
  • 1篇ALGAAS
  • 1篇GAAS/A...
  • 1篇GAAS量子...
  • 1篇GAAS

机构

  • 5篇中国科学院

作者

  • 5篇陆卫
  • 5篇朱德彰
  • 5篇李志锋
  • 5篇陈昌明
  • 5篇李明乾
  • 4篇缪中林
  • 4篇蔡炜颖
  • 4篇沈学础
  • 3篇徐文兰
  • 3篇袁先漳
  • 3篇陈平平
  • 3篇刘平
  • 2篇潘浩昌
  • 1篇史国良
  • 1篇胡钧
  • 1篇刘兴权
  • 1篇陈贵宾
  • 1篇胡军
  • 1篇胡均

传媒

  • 2篇物理学报
  • 2篇红外与毫米波...
  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2002
  • 3篇2001
  • 1篇2000
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱界面混合效应光荧光谱研究
2001年
用分子束外延系统生长了 Ga As/ Al Ga As非对称耦合双量子阱 (ACDQW) ,用组合注入的方法 ,在同一块衬底上获得了不同注入离子和不同注入剂量的耦合量子阱单元 ,没有经过快速热退火过程 ,在常温下测量了不同单元的显微光荧光谱 ,发现子带间跃迁能量最大变化范围接近 10 0 me V。
缪中林陆卫陈平平李志锋刘平袁先漳蔡炜颖徐文兰沈学础陈昌明朱德彰胡均李明乾
关键词：光荧光谱GAASALGAAS
离子注入诱导量子阱界面混合效应的光致荧光谱研究被引量：8
2002年
采用多元芯片方法获得了一系列不同离子注入剂量的GaAs AlGaAs非对称耦合量子阱单元 ,通过光致荧光谱测量 ,研究了单纯的离子注入导致的界面混合效应 .荧光光谱行为与有效质量理论计算研究表明 ,Al原子在异质结界面的扩散在离子注入过程中已基本完成 ,而热退火作用主要是去除无辐射复合中心 .
陈贵宾陆卫缪中林李志锋蔡炜颖沈学础陈昌明朱德彰胡钧李明乾
关键词：离子注入半导体
离子注入法制备GaAs量子阱集成多波长发光芯片被引量：2
2000年
报道了用离子注入方法和组合技术制备的 Al Ga As/Ga As单量子阱多波长发光集成芯片 ,利用量子阱界面混合原理在同一块 Ga As衬底片上获得了 2 0多个发光波长从 787～ 72 4nm的 Ga As量子阱发光单元 ,研究了不同剂量的 As和 H离子分别单独注入和迭加组合注入对量子阱发光峰位的影响 ,采用了组合技术和离子注入技术大大简化了制备工艺过程 ,这种发光芯片对于波分复用器件和建立离子注入数据库等方面都有重要的意义 .
李志锋刘兴权陈昌明陈昌明陆卫沈学础朱德彰潘浩昌李明乾
关键词：砷化镓离子注入
组合注入质子导致不对称耦合双量子阱界面混合效应研究被引量：1
2001年
用分子束外延系统 (MBE)生长了GaAs/AlGaAs不对称耦合双量子阱 (ACDQW ) ,采用组合注入质子的方法 ,在同一块衬底上获得了不同注入剂量的GaAs/AlGaAs不对称耦合双量子阱单元 ,没有经过快速热退火的过程 ,在常温下测量了不同注入剂量量子阱单元的显微光荧光谱和光调制反射光谱 ,发现了各区域子带间跃迁能量最大变化范围达到 81meV .由于样品未作高温热退火处理 ,为此由Al组分误差函数模型推导的扩散长度要大大高于扩散系数公式 .耦合量子阱的界面混合效应对于质子注入非常敏感 .
缪中林陈平平蔡炜颖李志锋袁先漳刘平史国良徐文兰陆卫陈昌明朱德彰潘浩昌胡军李明乾
关键词：半导体砷化镓
组合离子注入导致非对称耦合双量子阱界面混合效应光调制反射光谱被引量：1
2001年
用分子束外延系统 (MBE)生长了 Ga As/ Al Ga As非对称耦合双量子阱 (ACDQW) ,用组合离子注入的方法 ,在同一块衬底上获得了不同注入离子 As+ 、 H+ 和不同注入剂量的 Ga As/ Al Ga As非对称耦合双量子阱单元 ,在未经快速热退火的条件下 ,于常温下测量了光调制反射光谱 ,发现各单元的子带间跃迁能量最大变化范围可达80 me V .
缪中林陆卫陈平平李志锋刘平袁先漳蔡炜颖徐文兰沈学础陈昌明朱德彰胡军李明乾
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