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李栋才

作品数：3 被引量：29H指数：2
供职机构：北京交通大学更多>>
发文基金：北京市科技新星计划国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电气工程动力工程及工程热物理更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电气工程
  • 1篇动力工程及工...

主题

  • 2篇电池
  • 2篇晶体硅
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硅
  • 1篇氮化硅膜
  • 1篇电阻
  • 1篇镀膜
  • 1篇镀膜工艺
  • 1篇正极
  • 1篇少子寿命
  • 1篇丝网印刷
  • 1篇太阳电池
  • 1篇太阳能
  • 1篇太阳能电池
  • 1篇体硅
  • 1篇晶体硅太阳电...
  • 1篇晶体硅太阳能...
  • 1篇均匀性
  • 1篇扩散
  • 1篇高阻

机构

  • 3篇北京交通大学
  • 2篇北京中联科伟...

作者

  • 3篇李栋才
  • 2篇刘金虎
  • 2篇徐征
  • 2篇赵谡玲
  • 2篇刘志平

传媒

  • 2篇太阳能学报

年份

  • 1篇2012
  • 2篇2011
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
晶体硅太阳能电池丝网印刷工艺优化的研究
本文主要研究的是太阳能电池丝网印刷工艺，通过对丝网印刷工艺中的浆料优化与栅线优化，实现单晶硅太阳能电池片效率的整体提升。虽然在实际的工业生产中，已经形成了较为成熟的电池丝网印刷工艺，但是在实际生产中缺乏对于理论的研究。本...
李栋才
关键词：丝网印刷太阳能电池晶体硅
晶体硅太阳电池扩散工艺研究被引量：6
2012年
作为晶体硅太阳电池制作的心脏环节,扩散的效果也就是扩散后方块电阻的均匀性显得尤为重要。影响方块电阻均匀性的主要因素有:大小氮的流量、O2的流量、通源时间、再分布时间和中心温度。通过逐一改变这些因素,分析所得数据,得到一个能有效控制方块电阻大小、使方块电阻均匀性达到最佳的规律:大小氮流量的变化共同影响方块电阻均匀性;方块电阻大小的改变主要靠温度、时间、小氮的流量的改变来调节。通过以上实验规律的研究,便于常规工艺的调试和高方块电阻工艺中高方块电阻的制备和极差的优化。
刘金虎徐征赵谡玲刘志平李栋才
关键词：方块电阻均匀性
PECVD沉积氮化硅膜的工艺研究被引量：22
2011年
采用等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)法在晶体硅太阳电池表面镀上一层氮化硅减反射膜,通过数值分析和实验研究的方法讨论了压强、SiH_4/NH_3比、总气体流量及时间等工艺参数对镀膜速率、折射率和镀膜均匀性及钝化效果的影响。在温度为450℃、NH_3/SiH_4=8:1、总气体流量为4320sccm、压力为170Pa、沉积时间为720s的条件下生长出平均膜厚为75nm、折射率为2.05、少子寿命相对较高的氮化硅膜,且应用于单晶整舟为168片的管式PECVD设备,片间膜厚级差在5nm以内,而折射率级差在0.3以内,少子寿命可提高约30%。
刘志平赵谡玲徐征刘金虎李栋才
关键词：PECVD氮化硅镀膜工艺少子寿命
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